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Reflow 본딩 공정이 적용된 Flip chip 소자가 적용된 White LED single 또는 multi array PKG 개발

  • 기술번호 : KST2014054908
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체, 그의 제조용 기판 조립체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로; 일정 이상의 높이를 가지는 댐이 형성된 기판에 하부에 범프가 형성된 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자가 댐 안쪽에 도포되어 범프와 기판을 전기적으로 연결시키는 전도성 실리콘 수지에 의해 기판에 고정된 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체를 제공한다. 그리하여, 열탄성이 강하고, 내성이 좋은 실리콘을 이용하면서도 본딩의 형태가 흐트러지지 않고 유지되기 때문에 제조된 플립칩 타입의 엘이디 소자 조립체에 대한 신뢰성을 확보할 수 있으며, 수명을 연장시킬 수 있다는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/56 (2014.01) H01L 33/48 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110070916 (2011.07.18)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1325735-0000 (2013.10.30)
공개번호/일자 10-2013-0010246 (2013.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.18)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박승현 대한민국 광주광역시 북구
2 이계선 대한민국 광주광역시 북구
3 조용익 대한민국 광주광역시 북구
4 이상헌 대한민국 광주광역시 광산구
5 정성훈 대한민국 경기도 용인시 처인구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 조성광 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, 가산더블유센터) ****호(지본특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0550210-54
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.04.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.05.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0037300-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0552267-73
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0948289-52
6 보정요구서
Request for Amendment
2012.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0141715-44
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1056588-00
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0978271-89
9 보정요구서
Request for Amendment
2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0153870-38
10 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1095991-45
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0054867-08
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2013-0146602-07
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0146607-24
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0430166-77
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0620671-22
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0620666-04
17 등록결정서
Decision to grant
2013.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0737774-83
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판에 고정되고, 상기 기판에서 일정 이상의 높이를 가지도록 형성된 댐(dam);전원을 공급하기 위한 범프(bump)가 하부에 구비된 플립칩 타입(flip chip type)의 발광 다이오드(LED)소자; 및상기 기판에 형성된 댐의 안쪽에 구비되고, 상기 발광 다이오드 소자와 기판을 전기적으로 연결하며, 상기 발광 다이오드 소자를 상기 기판에 고정시키는 전도성 실리콘 수지; 를 포함하고,상기 발광 다이오드 소자의 상부 및 측부에는 형광체가 포함된 실리콘 수지가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체
2 2
청구항 1에 있어서,상기 전도성 실리콘 수지에는 ACP(anisotrophy conductive particle)이 혼합된 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체
3 3
청구항 1에 있어서,상기 기판은 발광 다이오드 소자의 본딩(bonding)이 가능한 메탈 PCB, 세라믹 PCB 및 Si 서브마운트(submount) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체
4 4
삭제
5 5
청구항 1에 있어서,상기 범프는 금 및 땜납 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체
6 6
청구항 1에 있어서,상기 댐은 실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
기판에 댐(dam)을 형성하는 A단계;상기 A단계에서 댐이 형성된 기판의 댐의 내측에 전도성 실리콘 수지를 도포하는 B단계;범프(bump)가 형성된 발광 다이오드(LED) 소자를 상기 B단계에서 도포된 전도성 실리콘 수지가 접하도록 배치시키는 C단계;상기 발광 다이오드 소자를 소정의 압력을 가하여 가접합을 시키는 D단계; 및상기 D단계에서 가접합된 소자를 일정 시간 동안 열경화시키는 E단계; 를 포함하고,상기 C단계에서 배치되는 발광 다이오드 소자의 상부 및 측부에는 형광체가 포함된 실리콘 수지가 도포되어 있는 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체 제조 방법
13 13
삭제
14 14
청구항 12에 있어서,상기 E단계는 130 내지 180℃의 상태에서 1 내지 3시간 동안 열경화시키는 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체 제조 방법
15 15
청구항 12에 있어서,상기 B단계에서 도포되는 전도성 실리콘 수지에는 ACP(anisotrophy conductive particle)이 혼합된 것을 특징으로 하는 플립칩 타입의 발광 다이오드 소자 조립체 제조 방법
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.