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T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014054910
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요약 본 발명은 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법에 관한 것으로서, 특히 액상의 T-iso-POS 가스를 기화시켜 산소 가스와 혼합하는 제 1공정과; 상기에서 혼합된 혼합 가스를 이용하여 반도체 기판 위에 T-iso-POS층을 저온 화학 기상 증착(LPCVD) 방법에 의해 증착하여 게이트 산화막을 형성하는 제 2공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.상기와 같은 본 발명에 따르면 기하학적으로 특수한 iso 구조를 가지고 있는 T-iso-POS를 사용하여 산화막을 형성함으로써 별도의 후처리 공정이 없어도 탄소의 분해가 용이하여 채널층과 산화막간의 계면에 발생하는 계면준위 및 산화막내 결함을 낮출 수 있어 제품의 제조단가를 낮출 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01) H01L 21/02164(2013.01)
출원번호/일자 1020110064240 (2011.06.30)
출원인 재단법인 녹색에너지연구원
등록번호/일자 10-1218687-0000 (2012.12.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20130121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 대한민국 전라남도 목포시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임철현 대한민국 전라남도 목포시 옥암로***번
2 하나쥰이치 일본 일본국 요코하마시
3 이석호 대한민국 전라남도 무안군
4 송승헌 대한민국 전라남도 목포시 통일대로**번길
5 박주영 대한민국 전라남도 목포시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 선종철 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 녹색에너지연구원 전라남도 목포시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0499991-41
2 보정요구서
Request for Amendment
2011.07.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0060407-29
3 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2011.07.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0517532-21
4 수수료 사후 감면 신청서
Request for Follow-up Reduction of Official Fee
2011.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0541814-10
5 수수료 사후 감면안내서
Notification of Follow-up Reduction of Official Fee
2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0064364-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0429046-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0627410-07
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0627412-98
9 등록결정서
Decision to grant
2012.12.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0782250-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-5170319-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.15 수리 (Accepted) 4-1-2018-0012701-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
액상의 T-iso-POS(Si(OC3H7)4, Tetra-iso-Propoxysilane) 가스를 기화시켜 산소 가스와 혼합하는 제 1공정과;상기에서 혼합된 혼합 가스를 이용하여 반도체 기판 위에 T-iso-POS층을 저온 화학 기상 증착(LPCVD) 방법에 의해 증착하여 게이트 산화막을 형성하는 제 2공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1공정은,상기 액상의 T-iso-POS 가스를 기화 또는 버블링기를 사용하여 100~140℃에서 기화시켜 가스화시키는 것을 특징으로 하는 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제 2공정은,증착온도 20~350℃, 산소와 T-iso-POS의 가스비 10~50%의 조건하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법
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제 3 항에 있어서,상기 제 2공정은,정전용량결합형 플라즈마 화학기상증착기(Plasma enhanced chemical vapor deposition)를 이용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법
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제 4 항에 있어서,상기 정전용량결합형 플라즈마 화학기상증착기는,전극거리 20~50mm, 공정압력 1~10torr, 플라즈마 주파수 13
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 기판은,p-type 실리콘웨이퍼를 RCA 세척을 실시하여 증착 직전에 1% HF를 통해 자연산화막을 제거하는 것을 특징으로 하는 T-iso-POS를 이용한 박막 트랜지스터의 저온 게이트 산화막 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.