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박막패턴 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014054985
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막간의 단차를 최소화할 수 있는 박막패턴 어레이 및 그 제조방법을 개시한다. 기판위에 위치하는 하부 박막패턴, 하부 박막패턴의 상단에 위치하는 상부 박막패턴 및 하부 박막패턴과 상부 박막패턴 사이에 위치하며, 하부 박막패턴과 상기 박막패턴 간의 단차를 줄일 수 있도록 완만한 테이퍼 각을 갖는 단차완충패턴을 포함하므로, 박막들의 두께를 균일화하고 박막의 손상을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 21/3205 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130081351 (2013.07.11)
출원인 숭실대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1428697-0000 (2014.08.04)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.11)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이호진 대한민국 서울 강남구
2 김영석 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 윤귀상 대한민국 서울특별시 금천구 디지털로*길 ** ***호 (가산동, 한신IT타워*차)(디앤특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 숭실대학교산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0623167-47
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0785641-32
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0381054-68
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.06.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-0546997-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.06.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0547055-16
6 등록결정서
Decision to grant
2014.08.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0529337-11
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2016-5110636-51
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번호 청구항
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기판위에 제1 박막 및 제2 박막을 순차적으로 형성하는 단계; 상기 제2 박막을 패터닝하여 단차완충패턴을 형성하는 단계; 및상기 제1 박막을 패터닝하여 상기 단차완충패턴에 의해 덮혀지고, 상기 제1 박막을 선택적으로 과식각하여 상기 단차완충패턴의 선폭보다 작은 선폭을 갖는 하부 박막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막패턴 어레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 단차완충패턴을 형성하는 단계는 포토리소그라피 공정에 의해 상기 제2 박막위에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 상기 제2 박막에서 상기 포토레지스트 패턴과 비중첩되는 부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막패턴 어레이의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 단차완충패턴 위에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 위에 위치하며 상기 하부 박막패턴과 전기적으로 분리되는 상부 박막패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막패턴 어레이의 제조방법
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 단차완충패턴 위에 위치하며 상기 하부 박막패턴과 전기적으로 연결되는 상부 박막패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 박막패턴 어레이의 제조방법
11 11
제 6 항에 있어서, 상기 단차완충패턴은 상기 하부 박막패턴과 중첩되는 수평부, 상기 수평부와 연결되며 상기 하부 박막 패턴의 바깥쪽으로 신장된 경사부, 및 상기 경사부와 연결되며 상기 기판과 접촉되는 엣지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막패턴 어레이의 제조방법
12 12
기판위에 제1 박막 및 제2 박막을 순차적으로 형성하는 단계와, 상기 제2 박막을 패터닝하여 단차완충패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 박막을 패터닝하여 상기 단차완충패턴에 의해 덮혀지고, 상기 제1 박막을 선택적으로 과식각하여 상기 단차완충패턴의 선폭보다 작은 선폭을 갖는 하부 박막패턴을 형성하는 단계를 포함하는 박막패턴 어레이의 제조방법에 의해 제조된 박막패턴 어레이
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1 US09530668 US 미국 FAMILY
2 US20160141185 US 미국 FAMILY
3 WO2015005527 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 WO2015005527 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 숭실대학교 산학협력단 신진연구지원사업 무선에너지 전력 응용을 위한 디스플레이 소자 기반의 초소형 및 고효율의 특성을 가지는 공진형 Antenna 통합 수신단 설계 기술 연구