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고분자 재료 표면에 방사선을 조사하여 관능기를 생성시키는 단계 (단계 1);조사된 고분자 표면에 기능성 단량체를 그라프트 중합하는 단계(단계 1-1); 및상기 단계 1의 표면 처리된 고분자 재료를 나노 재료를 포함하고 있는 수용액에 넣고 반응시켜 나노재료가 표면 처리된 부분에만 선택적으로 흡착되는 단계 (단계 2)를 포함하며,여기서,상기 단계 1의 고분자 재료는 폴리에스테르계 고분자, 폴리올레핀계 고분자, 아크릴계 고분자, 불소계 고분자, 실리콘계 고분자, 폴리이미드계 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 2 이상을 포함하는 것이고,상기 단계 1의 관능기는 친수성 관능기로서 카르복시산, 히드록시, 케톤기, 하이드로퍼옥사이드(hydroperoxide)기 및 퍼옥사이드(peroxide)기로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상이고,상기 단계 1-1의 기능성 단량체는 카르복시산 계열, 에폭시 계열, 무수물 계열, 히드록시 계열, 알데히드 계열, 아민 계열 및 아미드 계열의 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것이고,상기 단계 2의 나노재료는 금속 나노 재료, 산화물 나노재료, 자성 나노 재료(Magnetic nanomaterials), 양자점(Quantum dots) 으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 2 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 방사선은 1 keV ～ 1 MeV의 이온빔 또는 전자빔인 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 3에 있어서, 상기 이온빔의 총조사량은 1 × 109 ～ 1 × 1016 ions/cm2 인 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 3에 있어서, 전자빔의 총조사량은 5 ～ 1000 kGy인 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 1에서 방사선을 조사하는 과정에서 마스크를 사용하여 방사선을 특정 부위에만 선택적으로 조사함으로써, 조사된 부분에만 관능기를 형성시키는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 1-1의 그라프트 중합 반응은 상기 기능성 단량체를 단독으로 또는 용매와 혼합하여 사용되는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 단계 2의 나노 재료를 도입하여 고정화는 상기 단계 1-1을 통해 얻어진 고분자 재료를 이용하여 나노 재료 용액에 침지시켜 고정화하거나, 또는 나노 재료의 전구체를 함유하는 용액에 침지한 후 나노입자로 환원시켜 고정화하는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 단계 2의 나노입자전구체를 이용하여 환원 시켜 나노입자 고정화하는 과정에서 환원제는 수소화붕소나트륨(Sodium borohydride), 구연산 나트륨(Sodium cytrate), 아스코르빈산(ascobic acid), 타닌산(Tannic acid), 티오시안산염(thiocyanate) 또는 히드라진(hydrazine) 을 사용할 수 있는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 10에 있어서, 방사선, 마이크로파(microwave) 또는 초음파 처리(sonication)를 이용하여 환원시키는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 단계 2의 나노 재료를 도입하여 고정화하는 과정에서 추가적으로 시스티아민(cysteamine), 4-아미노티오페놀 (4-aminothiophenol), 에틸렌디아민 (ethylene diamine)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 화합물을 결합시키는 단계를 거치는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 단계 2의 나노 재료를 도입하여 고정화는 과정에서 단계 1-1를 통해 얻어진 고분자 재료에 나노재료 입자를 도입할 경우에 추가적으로 N,N'-dicyclohexylcarbodiimide(DCC); 또는 EDC(1-ethyl-3'-(3-dimethyl aminopropyl) carbodiimide) 및 NHS(N-hydroxysuccinimide) 의 혼합물을 이용하여 고정화하는 단계를 거치는 것을 특징으로 하는 방사선을 이용한 고분자 재료 표면에 나노 재료 고정화 및 패턴 형성 방법
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