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이온빔을 이용한 수소이온교환막의 표면처리 방법 및 이에 의하여 개질된 수소이온교환막

  • 기술번호 : KST2014055379
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 직접 메탄올 연료전지용 수소이온교환막의 메탄올 크로스오버 현상을 감소시키기 위한 이온빔을 이용한 표면처리 방법 및 이에 의하여 개질된 수소이온교환막에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 상업적으로 시판되는 나피온?과 같은 수소이온교환막의 일면 또는 양면을 이온빔 조사를 통하여 표면개질하여 메탄올의 투과를 억제시키는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 나피온?과 같은 기존의 수소이온교환막들의 우수한 전기적 특성 및 기계적 물성을 유지하면서 가장 취약점인 메탄올 크로스오버(Methanol Crossover) 현상, 즉, 음극에 연료로 공급된 메탄올 중 미반응 메탄올이 수소이온교환막을 통하여 공기극에 전달되어 반응함으로써 양극의 전위를 감소시키고, 양극에서의 환원반응을 방해하여, 전체의 전지 성능을 크게 떨어뜨리는 현상을 획기적으로 억제시킬 수 있다. 따라서, 본 발명은 휴대폰, PDA, 노트북 등의 소형 휴대 전자제품들에 이용될 수 있는 직접 메탄올 연료전지의 중요한 요소인 고성능 수소이온교환막 제조에 유용하게 응용될 수 있다.
Int. CL C08J 7/12 (2006.01) C08G 65/326 (2006.01) H01M 8/10 (2006.01) H01M 8/02 (2006.01)
CPC H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01) H01M 8/1086(2013.01)
출원번호/일자 1020100005159 (2010.01.20)
출원인 한국원자력연구원, 한국수력원자력 주식회사
등록번호/일자 10-1127567-0000 (2012.03.09)
공개번호/일자 10-2011-0085392 (2011.07.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120426) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.01.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 대한민국 경상북도 경주시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재학 대한민국 대전광역시 유성구
2 정찬희 대한민국 광주광역시 광산구
3 황인태 대한민국 서울특별시 강북구
4 이정수 대한민국 광주광역시 광산구
5 노영창 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국원자력연구원 대전광역시 유성구
2 한국수력원자력 주식회사 경상북도 경주시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2010-0038270-72
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2010-5177354-66
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.10.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2010-0078495-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0373411-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0692630-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0692633-49
8 등록결정서
Decision to grant
2012.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0138160-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.22 수리 (Accepted) 4-1-2012-5134067-95
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.16 수리 (Accepted) 4-1-2014-5109542-64
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.03.18 수리 (Accepted) 4-1-2016-5034922-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
수소이온교환막의 일면 또는 양면에 대하여 이온빔을 조사하되, 상기 이온빔 조사에 이용되는 원소는 수소이고, 총 조사량이 1×1015 내지 1×1016 ions/cm2이 되도록 조사하여 막의 이온전도도는 유지시키고 막의 메탄올에 대한 투과율은 저감시키는 것을 특징으로 하는 수소이온교환막의 표면처리 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 수소이온교환막은 술폰화된 불소화고분자계, 술폰화된 부분불소화 고분자계, 및 술폰화된 탄화수소고분자계로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막의 표면처리 방법
3 3
제 2항에 있어서, 상기 술폰화된 불소화고분자계 이온교환막은 폴리(테트라플루오르에틸렌)(polytetrafluoroetylene)을 주쇄로 하는 나피온?(Nafion?), 다우?(Dow?), 플레미온?(Flemion?), 및 에시플렉스?(Aciplex?)를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막의 표면처리 방법
4 4
제 2항에 있어서, 상기 술폰화된 부분불소화 고분자계 이온교환막은 부분불소화 폴리스티렌 술폰산(patially fluorinated poly(styrenesulfonic acid)), 술폰화된 폴리(에틸렌-코-테트라플루오로에틸렌)(sulfonated poly(ethylene- co- tetrafluoroethylene)), 술폰화된 폴리(비닐리덴 플루오라이드)(sulfonated poly(vinylidene fluoride), 술폰화된 폴리테트라플루오로에틸렌(sulfonated polytetrafluoroethylene), 폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리(에틸렌-코-테트라플루오로에틸렌)(poly(styrenesulfonic acid-grafted poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene)), 및 폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리(테트라플루오로에틸렌)(poly(styrenesulfonic acid-grafted polytetrafluoroethylene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막의 표면처리 방법
5 5
제 2항에 있어서, 상기 술폰화된 탄화수소고분자계 이온교환막에는 술폰화된 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyether ether ketone), 술폰화된 폴리아세탈(sulfonated polyacetal), 술폰화된 폴리페닐렌 옥사이드(sulfonated polyphenylen oxide), 술폰화된 폴리설폰(sulfonated polysulfone), 술폰화된 폴리에테르설폰(sulfonated polyether sulfone), 및 술폰화된 폴리페닐렌 설파이드(sulfonated polyphenylene sulfide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막의 표면처리 방법
6 6
삭제
7 7
삭제
8 8
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항의 방법으로 표면처리된 것을 특징으로 하는 메탄올 투과율이 저감된 수소이온교환막
9 9
제 8항에 있어서, 상기 수소이온교환막은 술폰화된 불소화고분자계, 술폰화된 부분불소화 고분자계, 및 술폰화된 탄화수소고분자계로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막
10 10
제 9항에 있어서, 상기 술폰화된 불소화고분자계 이온교환막은 폴리(테트라플루오르에틸렌)(polytetrafluoroetylene)을 주쇄로 하는 나피온?(Nafion?), 다우?(Dow?), 플레미온?(Flemion?), 및 에시플렉스?(Aciplex?)를 포함하는 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막
11 11
제 9항에 있어서, 상기 술폰화된 부분불소화 고분자계 이온교환막은 부분불소화 폴리스티렌 술폰산(patially fluorinated poly(styrenesulfonic acid)), 술폰화된 폴리(에틸렌-코-테트라플루오로에틸렌)(sulfonated poly(ethylene- co- tetrafluoroethylene)), 술폰화된 폴리(비닐리덴 플루오라이드)(sulfonated poly(vinylidene fluoride), 술폰화된 폴리테트라플루오로에틸렌(sulfonated polytetrafluoroethylene), 폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리(에틸렌-코-테트라플루오로에틸렌)(poly(styrenesulfonic acid-grafted poly(ethylene-co-tetrafluoroethylene)), 및 폴리스티렌술폰산이 그라프트된 폴리(테트라플루오로에틸렌)(poly(styrenesulfonic acid-grafted polytetrafluoroethylene)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막
12 12
제 9항에 있어서, 상기 술폰화된 탄화수소고분자계 이온교환막에는 술폰화된 폴리에테르에테르케톤(sulfonated polyether ether ketone), 술폰화된 폴리아세탈(sulfonated polyacetal), 술폰화된 폴리페닐렌 옥사이드(sulfonated polyphenylen oxide), 술폰화된 폴리설폰(sulfonated polysulfone), 술폰화된 폴리에테르설폰(sulfonated polyether sulfone), 및 술폰화된 폴리페닐렌 설파이드(sulfonated polyphenylene sulfide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 수소이온교환막
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국원자력연구원 원자력연구개발사업 방사선이용 기능성표면처리기술개발