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반응기의 외주면 주위에 배치되는 가이드 튜브;상기 가이드 튜브 내부를 이동하되 상기 반응기 주위를 회전하며 감마선을 방출하는 선원;상기 가이드 튜브 내부로 상기 선원을 이동시키는 비파괴(NDT) 조사기; 및상기 가이드 튜브의 외주면 주위에 배치되어 상기 반응기에서 투과되는 방사선을 검출하는 복수의 검출기를 포함하며,상기 복수의 검출기들 각각은 비 등거리(non-equidistance)의 비대칭 구조로 배치되며, 특정 갠트리(gantry)를 갖는 구조가 아닌 점대점(point-to-point)으로 위치가 지정되어 설치되는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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제 1항에 있어서,상기 선원은 감마선을 방출하는 밀봉 방사성 동위원소로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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제 2항에 있어서,상기 선원은 세슘(137Cs)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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제 2항에 있어서,상기 선원은 코발트(60Co)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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제 1항에 있어서,상기 비파괴(NDT) 조사기는 상기 선원의 위치를 확인하여 표시하는 위치표시부가 포함되는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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제 1항에 있어서,상기 비파괴(NDT) 조사기는 상기 선원의 위치를 제어하는 위치제어부가 포함되는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 장치
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반응기 주위에 복수의 검출기를 밀착시키고 선원을 상기 반응기 주위로 회전시키며 불 균등(임의적) 격자스캔 데이터를 계측하는 제 1단계;상기 선원과 검출기의 위치를 결정하여 가중치 함수를 생성하고 상기 불 균등(임의적) 격자스캔 데이터로부터 감쇄율(ray-sum)을 계산하는 제 2단계; 및상기 가중치 함수와 감쇄율(ray-sum)을 반복적 계산 알고리즘에 적용하여 이미지를 복원하는 제 3단계를 포함하며,상기 제 1단계는,상기 반응기의 외주면 주위에 가이드 튜브를 배치하는 가이드 튜브 배치공정;상기 가이드 튜브 외주면 주위에 비 등거리(non-equidistance)의 비대칭 구조로 상기 복수의 검출기를 배치하는 검출기 배치공정;상기 가이드 튜브 내부로 선원을 공급하여 상기 반응기 주위로 회전시키는 선원 공급공정; 및상기 반응기에서 투과되는 투과 방사선을 상기 검출기에서 검출하는 투과 방사선 검출공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 8항에 있어서,상기 제 1단계는,상기 선원 공급공정 이후에 상기 선원의 위치를 제어하는 선원위치 제어공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 10항에 있어서,상기 제 1단계는,상기 선원위치 제어공정 전후에 상기 선원의 위치를 표시하는 선원위치 표시공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 8항에 있어서,상기 가중치 함수는 M × N 매트릭스로 이루어지되, 상기 매트릭스에서 hij는 i번째 스캔 라인(scan line) 방정식과 j번째 픽셀(pixel)간의 교차점 길이를 나타내는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 8항에 있어서,상기 감쇄율(ray-sum)은 하기의 수학식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 13항에 있어서,상기 I와 I0는 하기의 수학식에 의해 계산되는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 8항에 있어서,상기 반복적 계산 알고리즘은 하기의 수학식을 가지는 DSGA 알고리즘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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제 8항에 있어서,상기 반복적 계산 알고리즘은 하기의 수학식을 가지는 ML-EM 알고리즘으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전산 단층 촬영 방법
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