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신규한 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014055736
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 아미노 알콕사이드 리간드를 갖는 신규의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물 및 그 제조 방법에 관한 것이다.[화학식 1]Bi[O-A-NR1R2]3[상기 화학식 1에서, A는 C2-C5의 알킬렌이고; 상기 A는 하나 이상의 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기로 더 치환될 수 있고; R1 및 R2는 서로 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.]본 발명에 따르는 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물은 비스무트 전구체로서 상온에서 고체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 비스무트를 포함하는 물질의 박막의 증착 또는 여러 가지 합금 증착에 비스무트 원료 물질로 유용하게 사용될 수 있다.
Int. CL C01G 29/00 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) C07F 9/94 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC C07F 9/94(2013.01) C07F 9/94(2013.01) C07F 9/94(2013.01) C07F 9/94(2013.01)
출원번호/일자 1020110000493 (2011.01.04)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1242772-0000 (2013.03.06)
공개번호/일자 10-2012-0079282 (2012.07.12) 문서열기
공고번호/일자 (20130312) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.04)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
2 김창균 대한민국 대전광역시 유성구
3 이영국 대한민국 대전광역시 유성구
4 안기석 대한민국 대전광역시 유성구
5 이선숙 대한민국 대전광역시 중구
6 박보근 대한민국 강원도 원주시 남원로***번길
7 정석종 대한민국 대전광역시 유성구
8 정인경 대한민국 대구광역시 달서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.04 수리 (Accepted) 1-1-2011-0004391-92
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0488332-18
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0838425-74
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0838443-96
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.02.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0116016-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
하기 화학식 2로 표시되는 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물
3 3
제 2항에 있어서,상기 m이 1 또는 2인 것을 특징으로 하는 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물
4 4
제 2항에 있어서,상기 화학식 2의 R1, R2, R3 및 R4는 서로 독립적으로 메틸, 에틸, n-프로필, i-프로필 또는 t-부틸인 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물
5 5
하기 화학식 3으로 표시되는 비스무트 할라이드 화합물과 화학식 4로 표시되는 알코올의 알칼리 금속염을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물의 제조방법
6 6
하기 화학식 6으로 표시되는 비스무트 화합물과 하기 화학식 7로 표시되는 알코올을 반응시키는 것을 특징으로 하는 하기 화학식 1의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,하기 화학식 6으로 표시되는 비스무트 화합물은 하기 화학식 3의 비스무트 할라이드 화합물과 하기 화학식 5로 표시되는 알칼리금속 화합물을 반응시켜 제조되는 것을 특징으로 하는 화학식 1의 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물의 제조방법
8 8
제 2항 내지 제 4항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 비스무트 아미노 알콕사이드 화합물을 전구체로 사용하는 것을 특징으로 하는 비스무트 함유 박막의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서,상기 비스무트 함유 박막은 화학기상 증착법(MOCVD) 또는 원자층 증착법(ALD)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비스무트 함유 박막의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서,상기 비스무트 함유 박막은 비스무트 산화물 박막 또는 비스무트 박막인 것을 특징으로 하는 비스무트 함유 박막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 한국기계연구원 에너지자원기술개발사업 저차원 나노구조체 임베디드형 초격자 열전 소재 개발
2 교육과학기술부 한국화학연구원 미래기반기술개발사업 CVD/ALD 공정에 적합한 목적지향형 분자 전구체 설계 및 합성