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전도성 박막 및 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014055757
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 박막 및 이를 구비한 전자 소자가 제공된다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) C08L 27/12 (2006.01) C08L 101/12 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130022498 (2013.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1397256-0000 (2014.05.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185127-79
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0099968-52
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0899624-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0189268-25
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0189246-21
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0282642-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
i) 하기 화학식 1, 2, 4, 5 및 6 중 하나로 표시되는 반복 단위를 포함한 불소계 고분자 및 ii) 전도성 고분자를 포함한, 전도성 박막:003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e# 003c#화학식 3003e# 003c#화학식 4003e# 003c#화학식 5003e# 003c#화학식 6003e# 상기 화학식 1 내지 6 중,R11 내지 R14, R21 내지 R28, R31 내지 R38, R41 내지 R48, R51 내지 R58 및 R61 내지 R68은 서로 독립적으로, 수소, -F, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, Q1, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 (여기서, n 및 m은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수이되, n+m은 1 이상임) 및 -(OCF2CF2)x-Q3 (여기서, x는 1 내지 20의 정수임) 중에서 선택되고, 상기 Q1 내지 Q3는 이온기이고, 상기 이온기는 음이온기 및 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22- 중에서 선택되고, 상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고, 상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3 중에서 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)n1NH3+ (여기서, n1은 0 내지 50의 정수임), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(여기서, R은 CH3(CH2)n2-이고, n2는 0 내지 50의 정수임) 중에서 선택되되;R11 내지 R14 중 적어도 하나, R21 내지 R28 중 적어도 하나, R31 내지 R38 중 적어도 하나, R41 내지 R48 중 적어도 하나, R51 내지 R58 중 적어도 하나 및 R61 내지 R68 중 적어도 하나는, -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택되며;상기 화학식 1 중 R11 내지 R13은 서로 독립적으로 수소 또는 -F이고, R14는 -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-SO3H 또는 -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-PO3H2이고;상기 화학식 2에서, (ⅰ) R21 내지 R23은 서로 독립적으로, 수소 또는 -F이고, R24 내지 R28 중 적어도 하나는 -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택되거나, (ⅱ) R21 내지 R23 중 적어도 하나는 -F이고, R24 내지 R28 중 적어도 하나는 Q1이며;상기 화학식 5 중 R51 내지 R53은 서로 독립적으로 수소 또는 -F이고, R54 내지 R58 중 적어도 하나는, -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택된다
2 2
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3 3
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4 4
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5 5
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6 6
제1항에 있어서,상기 화학식 6으로 표시되는 반복 단위를 포함한 불소계 고분자를 포함하고, 상기 화학식 6 중 R61 내지 R64는 서로 독립적으로 수소 또는 -F이고, R65 내지 R68 중 적어도 하나는, -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택되는, 전도성 박막
7 7
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들 중 2 이상의 조합을 포함한, 전도성 박막
8 8
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자 및 상기 불소계 고분자가 균일하게 혼합되어 있는 단일층인, 전도성 박막
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한, 전도성 박막
11 11
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12 12
삭제
13 13
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 제1항, 제6항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 전도성 박막이 개재되어 있는, 유기 발광 소자
14 14
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 애노드가 제1항, 제6항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 전도성 박막인, 유기 발광 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 발광 소자
16 16
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 광활성층;을 포함하고,상기 애노드와 상기 광활성층 사이에 제1항, 제6항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 전도성 박막이 개재되어 있는, 유기 태양 전지
17 17
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 광활성층;을 포함하고,상기 애노드가 제1항, 제6항, 제7항, 제8항 및 제10항 중 어느 한 항에 따른 전도성 박막인, 유기 태양 전지
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제17항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.