요약 | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자가 제공된다. |
---|---|
Int. CL | H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) |
CPC | H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020130039340 (2013.04.10) |
출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1476907-0000 (2014.12.19) |
공개번호/일자 | 10-2013-0116023 (2013.10.22) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20141226) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020120037584 | 2012.04.10
|
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.04.10) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이태우 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
2 | 김영훈 | 대한민국 | 대전 대덕구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인이상 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0312279-46 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2013.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0340532-05 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.03.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0190679-58 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.05.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0456819-79 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0563846-89 |
8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0668657-30 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0766948-98 |
10 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.08.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0766950-80 |
11 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0857747-76 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제1표면 거칠기(Rq) 값을 갖는 제1표면을 갖고, 비철계 금속으로 이루어진, 금속층; 및 상기 제1표면 상에 형성되고, 제2표면 거칠기 값을 갖는 제2표면을 갖고, 반도체 물질을 포함한 반도체층;을 포함하고,상기 반도체층은, 상기 반도체 물질 및 상기 반도체 물질의 전구체 중 적어도 하나를 이용한 용액 공정에 의하여 형성되어 상기 금속층의 제1표면을 평탄화시키는 반도체성 평탄화층을 포함하고,상기 제1표면 거칠기 값은 10nm 내지 100nm 범위이고, 상기 제2표면 거칠기 값은 10nm 미만인,기판과 전극의 역할을 동시에 하는, 일체형 전도성 기판 |
2 |
2 삭제 |
3 |
3 제1항에 있어서,상기 금속층의 제1표면과 상기 반도체성 평탄화층이 서로 접촉한, 일체형 전도성 기판 |
4 |
4 제3항에 있어서,상기 반도체층이 증착법에 의하여 형성된 중간층을 더 포함하고, 상기 중간층은 상기 반도체성 평탄화층 상부에 위치한, 일체형 전도성 기판 |
5 |
5 제1항에 있어서,상기 반도체층이 증착법에 의하여 형성된 중간층을 더 포함하고, 상기 중간층은 상기 금속층의 제1표면과 상기 반도체성 평탄화층 사이에 위치한, 일체형 전도성 기판 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 비철계 금속이 구리, 알루미늄, 금, 백금, 팔라디움, 은, 니켈, 납, 니오디움, 아연 및 주석 중에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함한 일체형 전도성 기판 |
7 |
7 제1항에 있어서,상기 반도체층에 포함된 반도체 물질이 TiOx(x는 1 내지 3의 실수임), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화바나듐(V2O5, VO2, V4O7 and V5O9, V2O3) 산화몰리브데늄 (MoO3 or MoOx), 산화구리 (Copper(II) Oxide: CuO), 산화니켈(NiO), 산화구리알루미늄(CopperAluminiumOxide:CAO, CuAlO2), 산화아연로듐 (ZincRhodiumOxide: ZRO, ZnRh2O4), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide), 및 ZrO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한, 일체형 전도성 기판 |
8 |
8 제1항에 있어서,상기 금속층의 두께가 50nm 내지 5mm이고, 상기 반도체층의 두께가 5nm 내지 300nm인, 일체형 전도성 기판 |
9 |
9 제1표면 거칠기(Rq) 값을 갖는 제1표면을 갖고, 비철계 금속으로 이루어진, 금속층을 준비하는 단계; 및 상기 금속층의 제1표면 상에, 제2표면 거칠기 값을 갖는 제2표면을 갖고, 반도체 물질을 포함한 반도체층을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 반도체층 형성 단계는,상기 금속층의 제1표면 상에, 상기 반도체 물질 및 상기 반도체 물질의 전구체 중 적어도 하나와 용매를 포함한 제1혼합물을 제공한 후 상기 용매를 제거하여, 상기 금속층의 제1표면을 평탄화시키는 반도체성 평탄화층을 형성하는 공정을 포함하고,상기 제1표면 거칠기 값은 10nm 내지 100nm 범위이고, 상기 제2표면 거칠기 값은 10nm 미만인,일체형 전도성 기판의 제조 방법 |
10 |
10 제1항, 및 제3항 내지 제8항 중 어느 한 항의 일체형 전도성 기판을 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판의 금속층 하면이 외기와 접촉하며,상기 일체형 전도성 기판이 전극과 기판의 역할을 동시에 하는, 전자 소자 |
11 |
11 삭제 |
12 |
12 제10항에 있어서, 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층 상부에 화소 정의막이 패터닝되어 있는, 전자 소자 |
13 |
13 제10항에 있어서,상기 전자 소자가, 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 양극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 양극 사이에 개재된 발광층;을 더 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 음극의 역할을 동시에 하는, 유연 역구조 유기 발광 소자(flexible inverted organic light emitting diode)인, 전자 소자 |
14 |
14 제10항에 있어서,상기 전자 소자가,상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 양극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 양극 사이에 개재된 광활성층;을 더 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 음극의 역할을 동시에 하는, 유연 역구조 유기 태양 전지(flexible inverted organic photovoltaic cells)인, 전자 소자 |
15 |
15 제10항에 있어서,상기 전자 소자가, 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 음극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 음극 사이에 개재된 발광층;을 더 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 양극의 역할을 동시에 하는, 유연 정구조 유기 발광 소자(flexible normal-structure organic light emitting diode)인, 전자 소자 |
16 |
16 제10항에 있어서,상기 전자 소자가,상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 음극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 음극 사이에 개재된 광활성층;을 더 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 양극의 역할을 동시에 하는, 유연 정구조 유기 태양 전지(flexible normal-structure organic photovoltaic cells)인, 전자 소자 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US09608214 | US | 미국 | FAMILY |
2 | US20150325803 | US | 미국 | FAMILY |
3 | WO2013154355 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | US2015325803 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
2 | US9608214 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1476907-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130410 출원 번호 : 1020130039340 공고 연월일 : 20141226 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141215 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 51/52 발명의 명칭 : 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 존속기간(예정)만료일 : 20171220 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2014년 12월 19일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.04.10 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0312279-46 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2013.04.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0340532-05 |
3 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
4 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
5 | 의견제출통지서 | 2014.03.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0190679-58 |
6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.05.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0456819-79 |
7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.06.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0563846-89 |
8 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.07.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0668657-30 |
9 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.08.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0766948-98 |
10 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.08.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0766950-80 |
11 | 등록결정서 | 2014.12.15 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0857747-76 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
기술번호 | KST2014055761 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
기술명 | 일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자 |
기술개요 |
일체형 전도성 기판 및 이를 채용한 전자 소자가 제공된다. |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | ㅡ |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 라이센스 |
사업화적용실적 | ㅡ |
도입시고려사항 | ㅡ |
과제고유번호 | 1345212249 |
---|---|
세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 200812~201308 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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