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일체형 전도성 기판을 채용한 유기 발광 소자

  • 기술번호 : KST2014055763
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일체형 전도성 기판를 채용한 유기 발광 소자가 제공된다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01)
CPC H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01) H01L 51/50(2013.01)
출원번호/일자 1020130039523 (2013.04.10)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1491244-0000 (2015.02.02)
공개번호/일자 10-2013-0115171 (2013.10.21) 문서열기
공고번호/일자 (20150206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020120037585   |   2012.04.10
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.10)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구
2 김영훈 대한민국 대전 대덕구
3 이배근 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.10 수리 (Accepted) 1-1-2013-0313060-23
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0340532-05
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0002807-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0184173-72
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0446728-33
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0446725-07
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0656350-40
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2014.10.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1019761-60
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1019760-14
13 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2014.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0809464-91
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1표면 거칠기(Rq) 값을 갖는 제1표면을 갖고, 철을 함유한, 도전층; 및 상기 제1표면 상에 형성되고, 제2표면 거칠기 값을 갖는 제2표면을 갖고, 반도체 물질을 포함한 반도체층;을 포함하고,상기 반도체층은, 상기 반도체 물질 및 상기 반도체 물질의 전구체 중 적어도 하나를 이용한 용액 공정에 의하여 형성되어 상기 도전층의 제1표면을 평탄화시키는 반도체성 평탄화층을 포함하고,상기 제1표면 거칠기 값은 10nm 내지 100nm 범위이고, 상기 제2표면 거칠기 값은 10nm 미만이며,상기 도전층의 두께가 50nm 내지 5mm이고, 상기 반도체층의 두께가 5nm 내지300nm인,기판과 전극의 역할을 동시에 하는, 일체형 전도성 기판을 채용한 유기 발광 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판의 도전층 하면이 외기와 접촉하는, 유기 발광 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판의 반도체층 상부에 화소 정의막이 패터닝되어 있는, 유기 발광 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판;상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 양극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 양극 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 음극의 역할을 동시에 하는, 유기 발광 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 일체형 전도성 기판;상기 일체형 전도성 기판의 반도체층에 대향된 투명 음극; 및 상기 일체형 전도성 기판의 반도체층과 상기 투명 음극 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 일체형 전도성 기판은 기판과 양극의 역할을 동시에 하는, 유기 발광 소자
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 도전층의 제1표면과 상기 반도체성 평탄화층이 서로 접촉한, 유기 발광 소자
8 8
제7항에 있어서,상기 반도체층이 증착법에 의하여 형성된 중간층을 더 포함하고, 상기 중간층은 상기 반도체성 평탄화층 상부에 위치한, 유기 발광 소자
9 9
제1항에 있어서,상기 반도체층이 증착법에 의하여 형성된 중간층을 더 포함하고, 상기 중간층은 상기 도전층의 제1표면과 상기 반도체성 평탄화층 사이에 위치한, 유기 발광 소자
10 10
제1항에 있어서, 상기 도전층이 철강, 탄소강, 특수강, 스테인리스 스틸(Stainless steel), 주철(cast iron) 및 주강(steel casting) 중에서 선택된 1종 이상의 물질을 포함한, 유기 발광 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 반도체층에 포함된 반도체 물질이 TiOx(x는 1 내지 3의 실수임), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 산화아연(ZnO), 산화아연주석(Zinc Tin Oxide), 산화갈륨 (Ga2O3), 산화텅스텐(WO3), 산화알루미늄, 산화티타늄, 산화바나듐(V2O5, VO2, V4O7 and V5O9, V2O3) 산화몰리브데늄 (MoO3 or MoOx), 산화구리 (Copper(II) Oxide: CuO), 산화니켈(NiO), 산화구리알루미늄(CopperAluminiumOxide:CAO, CuAlO2), 산화아연로듐 (ZincRhodiumOxide: ZRO, ZnRh2O4), 산화철, 산화크롬, 산화비스무스, IGZO (indium-Gallium Zinc Oxide), 및 ZrO2 중에서 선택된 적어도 하나를 포함한, 유기 발광 소자
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101564137 KR 대한민국 FAMILY
2 US09590198 US 미국 FAMILY
3 US20150075606 US 미국 FAMILY
4 WO2013154354 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101564137 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
2 KR20130115169 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
3 US2015075606 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9590198 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.