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전도성 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014055806
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 박막, 이의 제조 방법 및 이를 포함한 전자 소자가 제공된다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) C08L 27/12 (2006.01) C08L 101/12 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020130022497 (2013.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1392101-0000 (2014.04.28)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185126-23
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0100148-66
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0897335-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0126923-13
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0126911-76
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0280520-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전층(conductive layer) 및 표면 에너지-제어층(surface energy-tuning layer)를 포함하고, 상기 도전층은 전도성 고분자 및 제1불소계 물질을 포함하고, 상기 표면 에너지-제어층은 제2불소계 물질을 포함하되, 상기 전도성 고분자는 비포함하고, 상기 제1불소계 물질과 상기 제2불소계 물질은 서로 동일하거나 상이한, 전도성 박막
2 2
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자가, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 폴리에틸렌디옥시티오펜, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌, 폴리페닐비닐렌, 폴리카바졸, 이들 중 2 이상의 서로 다른 반복 단위를 포함한 공중합체, 이들의 유도체 또는 이들 중 2 이상의 블렌드를 포함한, 전도성 박막
3 3
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는, 이온기 및 고분자산(polymeric acid) 중 1종 이상으로 도핑된 셀프-도핑(self-doped) 전도성 고분자를 포함하고, 상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택된, 전도성 박막
4 4
제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 1로 표시되는 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 1003e#상기 화학식 1에서, 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000, 0≤ a ≤ 20, 0 ≤ b ≤ 20 이고;A, B, A'및 B'는 각각 독립적으로, C, Si, Ge, Sn, 및 Pb로 이루어지는 군으로부터 선택되고;R1, R2, R3, R4, R1', R2', R3' 및 R4' 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 단, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 이온기이거나, 이온기를 포함하고; X 및 X'는 각각 독립적으로 단순 결합, O, S, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되되,단, n이 0인 경우, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 할로겐 원소를 포함하는 소수성 작용기이거나, 소수성 작용기를 포함한다
5 5
제4항에 있어서, 상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택된, 전도성 박막
6 6
제4항에 있어서, 상기 소수성 작용기가 할로겐 원소인, 전도성 박막
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1불소계 물질 및 상기 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 2 내지 13의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 2003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 3003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 4003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 5003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 6003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 7003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, Y는 -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 8003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 9003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 10003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 11003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 12003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, Rf = -(CF2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(CF2CF2O)zCF2CF2-(z는 1 내지 50의 정수), -(CF2CF2CF2O)zCF2CF2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 13003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, Y는 각각 독립적으로, -SO3-M+, -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다
8 8
제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 화학식 14 내지 19 중 하나로 반복 단위를 포함한 불소계 고분자인, 전도성 박막:003c#화학식 14003e# 003c#화학식 15003e# 003c#화학식 16003e# 003c#화학식 17003e# 003c#화학식 18003e# 003c#화학식 19003e# 상기 화학식 14 내지 19 중,R11 내지 R14, R21 내지 R28, R31 내지 R38, R41 내지 R48, R51 내지 R58 및 R61 내지 R68은 서로 독립적으로, 수소, -F, C1-C20알킬기, C1-C20알콕시기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, Q1, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 (여기서, n 및 m은 서로 독립적으로, 0 내지 20의 정수이되, n+m은 1 이상임) 및 -(OCF2CF2)x-Q3 (여기서, x는 1 내지 20의 정수임) 중에서 선택되되, i) 상기 화학식 1의 R11 내지 R14 중 적어도 하나, ii) 상기 화학식 2의 R21 내지 R28 중 적어도 하나, iii) 상기 화학식 3의 R31 내지 R38 중 적어도 하나, iv) 상기 화학식 4의 R41 내지 R48 중 적어도 하나, v) 상기 화학식 5의 R51 내지 R58 중 적어도 하나, 및 v) 상기 화학식 6의 R61 내지 R68 중 적어도 하나는, -F, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알킬기, 적어도 하나의 -F로 치환된 C1-C20알콕시기, -O-(CF2CF(CF3)-O)n-(CF2)m-Q2 및 -(OCF2CF2)x-Q3 중에서 선택되며, 상기 Q1 내지 Q3는 이온기이다
9 9
제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질이 서로 독립적으로, 하기 화학식 20으로 표시되는 불화 올리고머인, 전도성 박막:003c#화학식 20003e#X-Mfn-Mhm-Mar-G상기 화학식 20 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다
10 10
제1항에 있어서,상기 제1불소계 물질과 상기 제2불소계 물질이 서로 상이하고, 상기 도전층과 상기 표면 에너지-제어층 사이에, 상기 전도성 고분자, 상기 제1불소계 물질 및 상기 제2불소계 물질을 포함한 중간층(interlayer)이 개재되어 있는, 전도성 박막
11 11
제10항에 있어서,상기 중간층에 포함된 제1불소계 물질 및 제2불소계 물질의 농도는 상기 표면 에너지-제어층에서 상기 도전층을 향하는 방향에 따라 감소하는 구배를 갖는, 전도성 박막
12 12
제1항에 있어서,상기 전도성 박막이 100nm의 두께를 가질 경우, 1x10-7S/cm 내지 1x106S/cm의 전도도를 갖는, 전도성 박막
13 13
제1항에 있어서, 상기 도전층이, 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한, 전도성 박막
14 14
기판 상에 전도성 고분자, 제1불소계 물질 및 제1용매를 포함한 제1혼합물을 제공한 후, 상기 제1용매의 일부 이상을 제거하여 도전층을 형성하는 단계; 및상기 도전층 상부에 제2불소계 물질 및 제2용매를 포함한 제2혼합물을 제공하여, 상기 제2용매의 일부 이상을 제거하여 표면 에너지-제어층을 형성하는 단계;를 포함하는, 제1항의 전도성 박막 제조 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 표면 에너지-제어층 형성 단계 중 상기 도전층 상부에 제2불소계 물질 및 제2용매를 포함한 제2혼합물을 제공 시, 상기 전도성 고분자, 상기 제1불소계 물질, 상기 제2불소계 물질 및 제2용매를 포함한 제1층, 그리고상기 제2불소계 물질 및 상기 제2용매를 포함한 제2층이 형성되고 상기 제2용매를 제거함으로써, 상기 전도성 고분자, 상기 제1불소계 물질 및 상기 제2불소계 물질을 포함한 중간막과 상기 제2불소계 물질을 포함하되 상기 전도성 고분자를 비포함한 표면 에너지-제어층이 동시에 형성되는, 전도성 박막 제조 방법
16 16
삭제
17 17
삭제
18 18
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층; 및 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 개재된 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 전도성 박막;을 포함하고, 상기 전도성 박막에 포함된 도전층은 상기 애노드 측에 위치하고, 상기 전도성 박막에 포함된 표면 에너지-제어층은 상기 발광층 측에 위치한, 유기 발광 소자
19 19
애노드인 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 전도성 박막; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층;을 포함하고,상기 전도성 박막에 포함된 표면 에너지-제어층이 상기 발광층 측에 위치한, 유기 발광 소자
20 20
제19항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막의 도전층 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 발광 소자
21 21
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 헤테로접합층; 및 상기 애노드와 상기 헤테로접합층 사이에 개재된 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 전도성 박막;을 포함하고, 상기 전도성 박막에 포함된 도전층은 상기 애노드 측에 위치하고, 상기 전도성 박막에 포함된 표면 에너지-제어층은 상기 헤테로접합층 측에 위치한, 유기 태양 전지
22 22
애노드인 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 전도성 박막; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 헤테로접합층;을 포함하고, 상기 전도성 박막에 포함된 표면 에너지-제어층이 상기 헤테로접합층 측에 위치한, 유기 태양 전지
23 23
제22항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막의 도전층 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 태양 전지
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