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전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014055808
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전도성 박막 및 이를 포함한 전자 소자가 제공된다.
Int. CL H01B 1/12 (2006.01) H01B 1/24 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01) C08G 61/12 (2006.01)
CPC H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01) H01B 1/12(2013.01)
출원번호/일자 1020130022496 (2013.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1458690-0000 (2014.10.30)
공개번호/일자 10-2014-0108051 (2014.09.05) 문서열기
공고번호/일자 (20141105) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185124-32
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0202594-11
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0099833-08
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0897334-15
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0126886-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0126902-65
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0434277-64
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.08.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0807581-31
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.09.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0896482-84
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.09.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0896481-38
15 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0729238-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1 내지 9 중 하나로 표시된 반복 단위를 적어도 하나 포함한 이온형 전도성 고분자 및 불소계 물질을 포함한 전도성 박막: 003c#화학식 1003e# 003c#화학식 2003e#003c#화학식 3003e# 003c#화학식 4003e#003c#화학식 5003e# 003c#화학식 6003e# 003c#화학식 7003e# 003c#화학식 8003e# 003c#화학식 9003e#상기 화학식 1 내지 9 중,X11, X21, X31, X41, X51, X61, X71, X81 및 X91은 서로 독립적으로, *-[O]p-[CH2]q-X100로 표시되고(여기서, p는 0 또는 1이고, q는 0 내지 50의 정수이고, X100은 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함한 이온기로서, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO-, BO22-, 또는 고, 상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고, 상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 또는 Al+3이고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+, NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 또는 RCHO+(상기 R은 CH3(CH2)n-이고; n은 0 내지 50의 정수임)임);R11, R21, R22, R23, R31, R32, R41, R42, R61, R71, R81, R82, R83 및 R91은 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 히드록실기, 아미노기, C1-C20알킬기 또는 C1-C20알콕시기이고;Y11은 S 또는 NH이고;aa, ab, ai 및 ao는 서로 독립적으로, 1 또는 2이고;ac 및 ad는 서로 독립적으로 1 내지 5의 정수이고;ae, af, ag, ah, aj, ak, al, am 및 an은 서로 독립적으로 1 내지 4의 정수이고;q21, q22, q31, q32, q41 및 q42는 몰비를 나타낸 것으로서, q21, q31 및 q41은 서로 독립적으로 0
2 2
제1항에 있어서,상기 p는 0 또는 1이고, q는 0 내지 10의 정수이고;상기 X100 중 음이온기는 PO32-, SO3-, COO- 또는 BO22-이고;상기 X100 중 양이온기는 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+, NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 또는 RCHO+인, 전도성 박막:상기 CH3(CH2)nNH3+에서 n은 0 내지 50의 정수이고;상기 RCHO+에서 R은 CH3(CH2)n- 이고, n은 0 내지 50의 정수이다
3 3
제1항에 있어서,상기 R11, R21, R22, R23, R31, R32, R41, R42, R61, R71, R81, R82, R83 및 R91은 서로 독립적으로, 수소, 히드록실기, 아미노기, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기 또는 펜톡시기인, 전도성 박막
4 4
제1항에 있어서,상기 불소계 물질이 하기 화학식 10으로 표시되는 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 10003e#상기 화학식 10에서, 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000, 0≤ a ≤ 20, 0 ≤ b ≤ 20 이고;A, B, A'및 B'는 각각 독립적으로, C, Si, Ge, Sn, 및 Pb로 이루어지는 군으로부터 선택되고;R1, R2, R3, R4, R1', R2', R3' 및 R4' 는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 니트로기, 치환 또는 비치환된 아미노기, 시아노기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴옥시기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬에스테르기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되며, 단, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 이온기이거나, 이온기를 포함하고; X 및 X'는 각각 독립적으로 단순 결합, O, S, 치환 또는 비치환된 C1-C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1-C30 헤테로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C20의 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C5-C30의 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6-C30의 아릴에스테르기 및, 치환 또는 비치환된 C2-C30의 헤테로아릴에스테르기로 이루어진 군으로부터 선택되되,단, n이 0인 경우, R1, R2, R3, 및 R4 중에서 적어도 하나 이상은 할로겐 원소를 포함하는 소수성 작용기이거나, 소수성 작용기를 포함한다
5 5
제4항에 있어서, 상기 이온기는 음이온기 및 상기 음이온기에 대한 카운터 양이온기를 포함하고, 상기 음이온기는 PO32-, SO3-, COO-, I-, CH3COO- 및 BO22-으로 이루어진 군에서 선택되고,상기 양이온기는 금속 이온 및 유기 이온 중 1종 이상을 포함하고,상기 금속 이온은 Na+, K+, Li+, Mg+2, Zn+2 및 Al+3으로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 유기 이온은 H+, CH3(CH2)nNH3+, NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+ 및 RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)로 이루어진 군으로부터 선택된, 전도성 박막:상기 CH3(CH2)nNH3+에서 n은 0 내지 50의 정수이다
6 6
제4항에 있어서, 상기 소수성 작용기가 할로겐 원소인, 전도성 박막
7 7
제1항에 있어서, 상기 불소계 물질이 하기 화학식 22 내지 33의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한 이오노머인, 전도성 박막:003c#화학식 22003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 23003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 24003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 25003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 26003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 27003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, Y는 -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 28003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 29003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 30003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 31003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 32003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, Rf = -(CF2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(CF2CF2O)zCF2CF2-(z는 1 내지 50의 정수), -(CF2CF2CF2O)zCF2CF2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 33003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, Y는 각각 독립적으로, -SO3-M+, -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다
8 8
제1항에 있어서,상기 불소계 물질이, 하기 화학식 40으로 표시되는 불화 올리고머인, 전도성 박막:003c#화학식 40003e#X-Mfn-Mhm-Mar-G상기 화학식 40 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이다
9 9
삭제
10 10
제1항에 있어서,탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한, 전도성 박막
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 애노드와 상기 발광층 사이에 제1항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 전도성 박막이 개재되어 있는, 유기 발광 소자
14 14
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 발광층;을 포함하고, 상기 애노드가 제1항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 전도성 박막인, 유기 발광 소자
15 15
제14항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 발광 소자
16 16
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 헤테로접합층;을 포함하고,상기 애노드와 상기 헤테로접합층 사이에 제1항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 전도성 박막이 개재되어 있는, 유기 태양 전지
17 17
애노드; 상기 애노드에 대향된 캐소드; 및 상기 애노드와 상기 캐소드 사이에 개재된 헤테로접합층;을 포함하고,상기 애노드가 제1항 내지 제8항 및 제10항 중 어느 한 항의 전도성 박막인, 유기 태양 전지
18 18
제17항에 있어서,상기 애노드인 전도성 박막 하부에, 전도성 고분자, 금속성 탄소나노튜브, 그라펜 (graphene), 환원된 산화그라펜(reduced graphene oxide), 금속 나노와이어, 금속 그리드(metal grid), 카본 나노점(carbon nanodot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중 선택된 적어도 하나를 포함한 전도성 박막 보조층이 추가로 형성된, 유기 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.