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하부 전극 구조체와,상기 하부 전극 구조체 상에 물리적 증착법을 통해 형성된 3차원 나노구조 반도체 구조체와 상기 반도체 구조체에 흡착된 염료층을 포함하는 광 전극과,상기 광 전극 상에 형성된 상부 전극 구조체와,상기 하부 전극 구조체와 상부 전극 구조체 사이에 배치되는 전해질을 포함하며,상기 반도체 구조체는 다공성 구조로 이루어져 있고, 상기 반도체 구조체의 기공에는 TiO2 나노 입자 및 ZnO 나노 입자 중 하나 이상의 나노 입자가 삽입되어 복합체를 이루는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항에 있어서,상기 다공성 구조의 기공은 상기 염료층을 구성하는 염료 분자들보다 큰 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상부 및 하부 전극 구조체는, 기판과 이 기판상에 형성되는 전극층을 포함하며, 상기 기판은 유리, 금속, 폴리머 또는 이들의 혼합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 하부 전극 구조체의 전극층은, ITO, SnO2 및 FTO 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 4 항에 있어서,상기 상부 전극 구조체의 전극층은, ITO, SnO2, FTO, ZnO 및 탄소나노튜브 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 구조체는, 티타늄 산화물(TiO2), 아연 산화물(ZnO), 탄탈 산화물(Ta2O5), 주석 산화물(SnO2), 지르코늄 황화물(ZrS2), 니오븀 산화물(Nb2O5) 티탄산바륨(BaTiO3), 카드뮴 산화물(CdO), 철산이트륨(YFeO3) 및 티탄산철(FeTiO3) 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 구조체는, 헬릭스, 리본, 스프링, 콘(cone), 지그재그, 스퀘어 헬릭스 중 어느 하나의 형상을 갖는 것을 특징으로 염료감응형 태양전지
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제 2 항에 있어서,나노임프린팅 리소그래피 또는 전자빔 리소그래피를 통해 상기 반도체 구조체에 존재하는 기공의 크기와 배열을 조절하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 반도체 구조체에는, TiO2 나노 입자 및 ZnO 나노 입자 중에서 적어도 하나의 나노 입자로 이루어진 층이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 염료층은, 루테늄(ruthenium)계 염료 혹은 쿠마린(coumarin)계 염료 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 전해질은, 아세토니트릴(acetonitrile), 프로피오니트릴 (propionitrile), DMPII(1,2-dimethyl-3-propylimidazolium iodide) 및 고체 고분자 전해질 중의 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지
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하부 전극 구조체와, 상기 하부 전극 구조체 상에 형성된 반도체 구조체와 이 반도체 구조체에 흡착된 염료층을 포함하는 광 전극과, 상기 광 전극 상에 형성된 상부 전극 구조체와, 상기 하부 전극 구조체와 상부 전극 구조체 사이에 배치되는 전해질을 포함하는 염료감응형 태양전지의 제조방법으로,상기 반도체 구조체는 반도체 증착 물질을 상기 하부 전극 구조체에 대해 소정의 경사각을 두고 증착하는 경사각 증착을 통해 3차원 나노구조를 갖도록 하며,상기 경사각 증착 시, 증착물질인 상기 반도체의 플럭스 선이 상기 하부 전극 구조체면의 수선에 대해 이루는 경사각이 50°~ 90°미만인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 경사각 증착 시, 상기 하부 전극 구조체는 연속 회전 또는 단속 회전되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 반도체 구조체를 300~900℃에서 열처리하여 결정화시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 하부 전극 구조체의 전극층을 다이아몬드 랩핑 또는 폴리싱 필름을 이용하여 폴리싱하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
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제 13 항 또는 제 14 항에 있어서,상기 반도체 구조체는, 전자빔 증착법, 열 증착법 또는 스퍼터링법을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지의 제조방법
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