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투명전극 형성방법과 그 투명전극 및 이를 포함하는 발광다이오드와 광학소자

  • 기술번호 : KST2014055837
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 지지 기판이나 광학소자에 접촉층, 금속층, 금속 산화물층을 순차적으로 적층하여 투명전극을 형성하고, 특히 낮은 두께에서 layer-by-layer 성장이 가능한 금속층 형성 방법을 제공한다. 본 발명에 따르면, Mg 및 Ti와 같은 첨가물(도판트)에 의하여 Ag 박막이 낮은 두께에서도 도메인끼리 연결되어 높은 투과도와 함께 낮은 면저항을 갖게 되고 고성능의 투명전극을 추가적인 공정 설비 및 단계를 거치지 않아도 형성할 수 있게 되며 이를 통해 고성능 광학소자를 제작할 수 있다.
Int. CL H01L 33/42 (2010.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020130044648 (2013.04.23)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0126842 (2014.11.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.23)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이일환 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 송양희 대한민국 경기 광명시 광덕산로 **, *

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0355360-99
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0005601-21
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0200566-88
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0432269-16
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0432268-60
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0665134-06
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체층과 같은 지지층 위에 Ag와 도판트 물질인 Mg, Ti, Cu, In 또는 이들의 합금으로 이루어진 금속층을 형성하는 단계; 및상기 금속층 위에 제1금속 산화물층을 형성하는 단계; 를 포함하는 투명전극 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속층을 형성하기 이전에 지지층 위에 접촉층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
3 3
제2항에 있어서,상기 금속층을 형성하기 이전에 접촉층 위에 제2금속 산화물층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
4 4
제2항에 있어서,상기 접촉층, 금속층 및 제1금속 산화물층을 열증착 공정, 전자빔 증착 공정 또는 스퍼터 공정을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
5 5
제2항에 있어서,상기 접촉층은 Ni, Ti, Pt, Cr로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
6 6
제2항에 있어서,상기 접촉층의 두께는 1 ~ 10Å인 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
7 7
제1항에 있어서,상기 Ag에 첨가되는 도판트의 양은 0
8 8
제7항에 있어서,상기 금속층의 면저항은 100Å 이하의 두께에서 10Ω/sq 이하인 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
9 9
제1항에 있어서,상기 금속층의 두께는 10 ~ 100Å인 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제1금속 산화물층은 MoOx, WOx, VOx, NiOx 및 RuOx로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
11 11
제10항에 있어서,상기 제1금속 산화물의 산소 함량(x)은 1 ~ 10인 것을 특징으로 하는 투명전극 형성방법
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의하여 형성된 투명전극
13 13
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의하여 형성된 투명전극을 포함하는 발광다이오드
14 14
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의하여 형성된 투명전극을 포함하는 광학소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발