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고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014055850
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극을 채용한 전자 소자가 제공된다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) H01B 1/00 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01) H01L 51/5212(2013.01)
출원번호/일자 1020130022501 (2013.02.28)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1449249-0000 (2014.10.01)
공개번호/일자 10-2014-0108483 (2014.09.11) 문서열기
공고번호/일자 (20141010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구
2 정수훈 대한민국 부산광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0185130-17
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0272933-71
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.20 수리 (Accepted) 9-1-2013-0098296-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0181031-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2014-0434561-80
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0434562-25
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0662939-17
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
30mN/m 이하의 표면 에너지를 갖는 저-표면 에너지 물질(material having low surface energy)을 포함하되, 전도성 물질을 비포함하고, 제1면 및 상기 제1면에 대향되는 제2면을 갖고, 상기 제2면의 일함수가 5
2 2
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 F를 포함한 불화 물질인, 전자 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질이, 하기 화학식 2 내지 13의 반복 단위들 중 1종 이상을 포함한, 이오노머인, 전자 소자: 003c#화학식 2003e#상기 식 중, m은 1 내지 10,000,000의 수이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 10의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 3003e#상기 식중, m은 1 내지 10,000,000의 수이다;003c#화학식 4003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000 이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 5003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 6003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, z는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 7003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, Y는 -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 8003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 9003e#상기 식 중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이다;003c#화학식 10003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x는 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 11003e#상기 식중, m 및 n은 0 003c# m ≤ 10,000,000, 0 ≤ n 003c# 10,000,000이며, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 12003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, Rf = -(CF2)z- (z는 1 내지 50의 정수, 단 2는 제외), -(CF2CF2O)zCF2CF2-(z는 1 내지 50의 정수), -(CF2CF2CF2O)zCF2CF2- (z는 1 내지 50의 정수)이며, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다;003c#화학식 13003e#상기 식중, m 및 n은 0 ≤ m 003c# 10,000,000, 0 003c# n ≤ 10,000,000이고, x 및 y는 각각 독립적으로 0 내지 20의 수이며, Y는 각각 독립적으로, -SO3-M+, -COO-M+, -SO3-NHSO2CF3+, -PO32-(M+)2 중에서 선택된 하나이고, M+은 Na+, K+, Li+, H+, CH3(CH2)nNH3+ (n은 0 내지 50의 정수), NH4+, NH2+, NHSO2CF3+, CHO+, C2H5OH+, CH3OH+, RCHO+(R은 CH3(CH2)n-; n은 0 내지 50의 정수)을 나타낸다
4 4
제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질이, 화학식 14 내지 19의 구조를 가지는 불화 이오노머인 혹은 화학식 20의 불화 저분자인 전자 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함한, 전자 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 금속 나노와이어, 반도체 나노와이어, 카본나노점 및 금속 나노점 표면에 -S(Z100) 및 -Si(Z101)(Z102)(Z103)으로 표시되는 적어도 하나의 모이어티(여기서, 상기 Z100, Z101, Z102, 및 Z103는 서로 독립적으로, 수소, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C1-C20알콕시기임)가 결합되어 있는, 전자 소자
7 7
제1항에 있어서,상기 전도성 산화물이 ITO(인듐 주석 산화물), IZO(인듐 아연 산화물), SnO2 및 InO2 중 하나인, 전자 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 하이브리드 전극에서 일함수-제어층의 제2면에서 관측된 일함수가 5
9 9
제1항에 있어서, 상기 일함수-제어층이, 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한, 전자 소자
10 10
제1항에 있어서,유기 발광 소자, 유기 태양 전지, 유기 트랜지스터, 유기 메모리 소자, 유기 광검출기(photodetector) 또는 유기 CMOS 센서인, 전자 소자
11 11
제1항에 있어서,상기 전자 소자가 유기 발광 소자이고,상기 유기 발광 소자가, 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층;를 포함하고,상기 제1전극이 상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극이고;상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극 중 일함수-제어층이 상기 발광층과 상기 전도도-제어층 사이에 개재되어 있는, 전자 소자
12 12
제1항에 있어서,상기 전자 소자가 유기 태양 전지이고,상기 유기 태양 전지가, 기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 광활성층;을 포함하고,상기 제1전극이 상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극이고;상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전극 중 일함수-제어층이 상기 광활성층과 상기 전도도-제어층 사이에 개재되어 있는, 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101523135 KR 대한민국 FAMILY
2 US20160020420 US 미국 FAMILY
3 WO2014133373 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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