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전도성 고분자 및 상기 전도성 고분자보다 낮은 표면에너지를 갖는 저-표면 에너지 물질(material having low surface energy)을 포함하고, 제1면 및 상기 제1면에 대향되는 제2면을 갖고, 상기 제2면의 저-표면 에너지 물질의 농도가 상기 제1면의 저-표면 에너지 물질의 농도보다 크고, 상기 제2면의 일함수가 5
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제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질의 농도가 제1면에서 제2면으로 갈수록 점진적으로 증가하는, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막
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제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 적어도 하나의 F를 포함한 불화 물질인, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막
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제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 1 내지 3 중 어느 하나의 반복 단위를 갖는 불화 고분자인, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 박막
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제1항에 있어서,상기 저-표면 에너지 물질은, 하기 화학식 10으로 표시되는, 불화 올리고머인, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 박막:003c#화학식 10003e#X-Mfn-Mhm-Mar-(G)p상기 화학식 10 중,X는 말단기이고;Mf는 퍼플루오로폴리에테르 알코올, 폴리이소시아네이트 및 이소시아네이트 반응성-비불소화 모노머의 축합 반응으로부터 수득한 불화 모노머로부터 유래된 단위 또는 플루오르화 C1-20알킬렌기를 나타내고;Mh는 비불소화 모노머로부터 유래된 단위를 나타내고;Ma는 -Si(Y4)(Y5)(Y6)으로 표시되는 실릴기를 갖는 단위를 나타내고;상기 Y4, Y5 및 Y6는 서로 독립적으로, 할로겐 원자, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기, 치환 또는 비치환된 C6-C30아릴기 또는 가수분해성 치환기를 나타내고, 상기 Y4, Y5 및 Y6 중 적어도 하나는 상기 가수분해성 치환기이고; G는 사슬전달제(chain transfer agent)의 잔기를 포함한 1가 유기 그룹이고;n은 1 내지 100의 수이고;m은 0 내지 100의 수이고;r은 0 내지 100의 수이고;n+m+r은 적어도 2이고;p는 0 내지 10의 수이다
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제1항에 있어서,상기 전도성 고분자는, 폴리티오펜, 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리스티렌, 술폰화된 폴리스티렌, 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜), 셀프-도핑 전도성 고분자, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함한, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막
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삭제
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제1항에 있어서,상기 일함수-제어층의 일함수가 5
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제1항에 있어서, 상기 일함수-제어층이, 탄소나노튜브, 그라펜, 환원된 산화그라펜, 금속 나노와이어, 금속 카본 나노점, 반도체 양자점(semiconductor quantum dot), 반도체 나노와이어 및 금속 나노점 중에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함한, 유기 태양 전지
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10
제1항에 있어서, 상기 전도도-제어층이 전도성 고분자를 포함하고, 상기 전도도-제어층에 포함된 전도성 고분자가 상기 일함수-제어층에 포함된 전도성 고분자와 동일한, 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막
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11
기판; 제1전극; 제2전극; 및 상기 제1전극과 상기 제2전극 사이에 개재된 발광층;를 포함하고,상기 제1전극이 상기 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막이고;상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막 중 전도도-제어층이 상기 기판과 상기 일함수-제어층 사이에 개재되어 있는, 유기 발광 소자
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12
제11항에 있어서,상기 발광층이 표면 미처리된 ITO의 일함수보다 0
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13
제11항에 있어서,상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막 중 일함수-제어층의 제2면이 상기 발광층과 접촉한, 유기 발광 소자
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제11항에 있어서,상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막과 상기 발광층 사이에 정공 수송층이 개재되어 있고, 상기 고-일함수 및 고-전도도 하이브리드 전도성 박막 중 일함수-제어층의 제2면이 상기 정공 수송층과 접촉한, 유기 발광 소자
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