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정렬된 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법 및 이를 이용한 전자소자

  • 기술번호 : KST2014055855
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 증류수 또는 유기 용매에 산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자의 복합체(composite) 용액을 제공하는 단계; 기판으로부터 수직으로 상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 용액을 적하하여 상기 기판 상에 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 와이어를 정렬하는 단계; 상기 정렬된 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체의 와이어를 가열하여 정렬된 산화물 반도체 와이어의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/60 (2006.01) H01L 21/205 (2006.01)
CPC B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01) B82B 3/0009(2013.01)
출원번호/일자 1020130017217 (2013.02.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1486955-0000 (2015.01.21)
공개번호/일자 10-2014-0103612 (2014.08.27) 문서열기
공고번호/일자 (20150127) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.02.18)
심사청구항수 35

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태우 대한민국 경북 포항시 남구
2 민성용 대한민국 광주 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0145162-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0084435-99
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0072918-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0297045-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0412255-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0412254-63
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0554868-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0978272-04
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0978271-58
13 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0020762-98
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
증류수 또는 유기 용매에 산화물 반도체성 전구체 및 유기 고분자를 용해하여 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체(composite) 용액을 제공하는 단계; 기판으로부터 수직으로 상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 적하하여, 상기 기판 상에 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 와이어를 정렬하는 단계; 및상기 정렬된 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 와이어를 가열하여 상기 복합체 와이어 내 유기 고분자를 열분해하여 제거하고 산화물 반도체성 전구체를 산화물 반도체로 변환시킴으로써 정렬된 산화물 반도체 와이어의 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법으로서,상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 제공하는 단계는, 산화물 반도체성 전구체와 유기 고분자를 10:90 내지 97:3의 중량비로, 증류수 또는 유기 용매에 1 중량% 내지 30 중량%의 농도가 되도록 용해하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 적하하는 단계는, 기판으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 ㎜ 떨어진 지점으로부터 상기 용액을 적하하는 것을 포함하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 정렬된 산화물 반도체 와이어 패턴을 형성하는 단계는 100 ℃ 내지 900 ℃의 온도 하에서, 상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 와이어를 10 분 내지 24 시간 동안 가열하는 것을 포함하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 정렬된 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 와이어를 정렬하는 단계는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터에 의하여 실시되며, 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터는 i) 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 수용하는 용액 저장 장치;ii) 상기 용액 저장 장치로부터 공급받은 용액을 토출하는 노즐 장치;iii) 상기 노즐에 고전압을 인가하는 전압 인가 장치;iv) 상기 기판을 고정하는 콜렉터;v) 상기 콜렉터를 수평 방향으로 이동시키는 로봇 스테이지;vi) 상기 콜렉터를 수직방향으로 이동시키는 마이크로 거리 조절기; 및vii) 상기 콜렉터를 지지(support)하는 석정반을 포함하는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 정렬된 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 와이어를 정렬하는 단계는i) 상기 용액 저장 장치에 상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 공급하는 단계; ii) 상기 전기장 보조 로보틱 노즐 프린터의 상기 전압 인가 장치를 통하여 상기 노즐에 고전압을 인가하면서 상기 노즐로부터 상기 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액을 토출시키는 단계를 포함하며, 상기 노즐로부터 산화물 반도체성 전구체/유기 고분자 복합체 용액이 토출될 때, 기판이 놓여진 콜렉터를 수평방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 기판은 절연 재료, 금속 재료, 탄소 재료, 및 전도체와 절연막의 복합 재료로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 산화물 반도체성 전구체는 산화아연 전구체, 산화인듐 전구체, 산화주석 전구체, 산화갈륨 전구체, 산화텅스텐 전구체, 산화알루미늄 전구체, 산화티타늄 전구체, 산화바나듐 전구체, 산화몰리브데늄 전구체, 산화구리 전구체, 산화니켈 전구체, 산화철 전구체, 산화크롬 전구체, 산화비스무스 전구체 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 산화아연 전구체는 수산화아연(Zn(OH)2), 아세트산아연(Zn(CH3COO)2), 아세트산아연수화물(Zn(CH3(COO)2·nH2O), 디에틸아연(Zn(CH3CH2)2), 질산 아연(Zn(NO3)2), 질산아연수화물(Zn(NO3)2·nH2O), 탄산아연(Zn(CO3)), 아연아세틸아세토네이트(Zn(CH3COCHCOCH3)2), 아연아세틸아세토네이트수화물(Zn(CH3COCHCOCH3)2·nH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 산화인듐 전구체는 질산인듐수화물(In(NO3)3·nH2O), 아세트산인듐(In(CH3COO)2), 아세트산인듐수화물(In(CH3(COO)2·nH2O), 염화인듐(InCl, InCl2, InCl3), 질산인듐(In(NO3)3), 질산인듐수화물(In(NO3)3·nH2O), 인듐아세틸아세토네이트(In(CH3COCHCOCH3)2), 인듐아세틸아세토네이트수화물(In(CH3COCHCOCH3)2·nH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 산화주석 전구체는 아세트산주석(Sn(CH3COO)2), 아세트산주석수화물(Sn(CH3(COO)2·nH2O), 염화주석(SnCl2, SnCl4), 염화주석수화물(SnCln·nH2O), 주석아세틸아세토네이트(Sn(CH3COCHCOCH3)2), 주석아세틸아세토네이트수화물(Sn(CH3COCHCOCH3)2·nH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
11 11
제 7 항에 있어서,상기 산화갈륨 전구체는 질산갈륨(Ga(NO3)3), 질산갈륨수화물(Ga(NO3)3·nH2O), 갈륨아세틸아세토네이트(Ga(CH3COCHCOCH3)3), 갈륨아세틸아세토네이트수화물(Ga(CH3COCHCOCH3)3·nH2O), 염화갈륨(Ga2Cl4, GaCl3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
12 12
제 7 항에 있어서,상기 산화텅스텐 전구체는 탄화텅스텐(WC), 텅스텐산분말(H2WO4), 염화텅스텐(WCl4, WCl6), 텅스텐아이소프로폭사이드(W(OCH(CH3)2)6), 텅스텐나트륨(Na2WO4), 텅스텐나트륨수화물(Na2WO4·nH2O), 텅스텐산암모늄((NH4)6H2W12O40), 텅스텐산암모늄수화물((NH4)6H2W12O40·nH2O), 텅스텐에톡사이드(W(OC2H5)6) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
13 13
제 7 항에 있어서,상기 산화알루미늄 전구체는 염화알루미늄(AlCl3), 질산알루미늄(Al(NO3)3), 질산알루미늄수화물(Al(NO3)3·nH2O), 알루미늄부톡사이드(Al(C2H5CH(CH3)O)) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
14 14
제 7 항에 있어서,상기 산화티타늄 전구체는 티타늄아이소프로폭사이드(Ti(OCH(CH3)2)4), 염화티타늄(TiCl4), 티타늄에톡사이드(Ti(OC2H5)4), 티타늄부톡사이드(Ti(OC4H9)4) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
15 15
제 7 항에 있어서,상기 산화바나듐 전구체는 바나듐아이소프로포사이드(VO(OC3H7)3), 바나듐산암모늄(NH4VO3), 바나듐아세틸아세토네이트(V(CH3COCHCOCH3)3), 바나듐아세틸아세토네이트수화물(V(CH3COCHCOCH3)3·nH2O 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
16 16
제 7 항에 있어서,상기 산화몰리브데늄 전구체는 몰리브데늄아이소프로폭사이드(Mo(OC3H7)5), 염화몰리브데늄아이소프로폭사이드(MoCl3(OC3H7)2), 몰리브데늄산암모늄((NH4)2MoO4), 몰리브데늄산암모늄수화물((NH4)2MoO4·nH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
17 17
제 7 항에 있어서,상기 산화구리 전구체는 염화구리(CuCl, CuCl2), 염화구리수화물(CuCl2·nH2O), 아세트산구리(Cu(CO2CH3),Cu(CO2CH3)2), 아세트산구리수화물(Cu(CO2CH3)2·nH2O), 구리아세틸아세토네이트(Cu(C5H7O2)2), 질산구리(Cu(NO3)2), 질산구리수화물(Cu(NO3)2·nH2O), 브롬화구리(CuBr, CuBr2),　구리탄산염(CuCO3·Cu(OH)2),　황화구리(Cu2S, CuS),　구리프탈로시아닌(C32H16N8Cu), 구리트리플로로아세테이트(Cu(CO2CF3)2), 구리아이소부티레이트 (C8H14CuO4), 구리에틸아세토아세테이트 (C12H18CuO6), 구리2-에틸헥사노에이트 ([CH3(CH2)3CH(C2H5)CO2]2Cu), 불화구리 (CuF2), 포름산구리수화물 ((HCO2)2CuㆍnH2O), 구리글루코네이트 (C12H22CuO14), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트 (Cu(C5HF6O2)2), 구리헥사플로로아세틸아세토네이트수화물 (Cu(C5HF6O2)2ㆍnH2O), 구리메톡사이드 (Cu(OCH3)2), 구리네오데카노에이트 (C10H19O2Cu), 과염소산구리수화물 (Cu(ClO4)2ㆍ6H2O), 황산구리 (CuSO4), 황산구리수화물 (CuSO4ㆍnH2O), 주석산구리수화물 ([-CH(OH)CO2]2CuㆍnH2O), 구리트리플로로아세틸아세토네이트 (Cu(C5H4F3O2)2), 구리트리플로로메탄설포네이트 ((CF3SO3)2Cu), 테트라아민구리황산염수화물 (Cu(NH3)4SO4ㆍH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
18 18
제 7 항에 있어서,상기 산화니켈 전구체는 염화니켈(NiCl2), 염화니켈수화물(NiCl2·nH2O), 아세트산니켈수화물(Ni(OCOCH3)2·4H2O), 질산니켈수화물(Ni(NO3)2·6H2O), 니켈아세틸아세토네이트(Ni(C5H7O2)2), 수산화니켈(Ni(OH)2), 니켈프탈로시아닌(C32H16N8Ni), 니켈탄산염수화물(NiCO3·2Ni(OH)2·nH2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
19 19
제 7 항에 있어서,상기 산화철 전구체는 아세트산철(Fe(CO2CH3)2), 염화철(FeCl2, FeCl3), 염화철수화물(FeCl3·nH2O), 철아세틸아세토네이트(Fe(C5H7O2)3), 질산철수화물(Fe(NO3)3·9H2O), 철프탈로시아닌(C32H16FeN8), 철옥살레이트수화물(Fe(C2O4)·nH2O, Fe2(C2O4)3·6H2O) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
20 20
제 7 항에 있어서,상기 산화크롬 전구체는 염화크롬(CrCl2, CrCl3), 염화크롬수화물(CrCl3·nH2O), 크롬카바이드(Cr3C2), 크롬아세틸아세토네이트(Cr(C5H7O2)3), 질산크롬수화물(Cr(NO3)3·nH2O), 수산화크롬아세트산(CH3CO2)7Cr3(OH)2, 크롬아세트산수화물([(CH3CO2)2Cr·H2O]2) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
21 21
제 7 항에 있어서,상기 산화비스무스 전구체는 염화비스무스(BiCl3), 질산비스무스수화물(Bi(NO3)3·nH2O), 비스무스아세트산((CH3CO2)3Bi), 비스무스카보네이트((BiO)2CO3) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
22 22
제 1 항에 있어서,상기 유기 고분자는 폴리비닐 알코올(PVA), 폴리에틸렌 옥사이드(PEO), 폴리스티렌(PS), 폴리카프로락톤(PCL), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리(메틸 메타크릴레이트)(PMMA), 폴리이미드, 폴리(비닐리덴 플루오라이드)(PVDF), 폴리아닐린(PANI), 폴리비닐클로라이드(PVC), 나일론, 폴리(아크릴산), 폴리(클로로 스티렌), 폴리(디메틸 실록산), 폴리(에테르 이미드), 폴리(에테르 술폰), 폴리(알킬 아크릴레이트), 폴리(에틸 아크릴레이트), 폴리(에틸 비닐 아세테이트), 폴리(에틸-co-비닐 아세테이트), 폴리(에틸렌 테레프탈레이트), 폴리(락트산-co-글리콜산), 폴리(메타크릴산)염, 폴리(메틸 스티렌), 폴리(스티렌 술폰산)염, 폴리(스티렌 술포닐 플루오라이드), 폴리(스티렌-co-아크릴로니트릴), 폴리(스티렌-co-부타디엔), 폴리(스티렌-co-디비닐 벤젠), 폴리(비닐 아세테이트), 폴리락타이드, 폴리(비닐 알콜), 폴리아크릴아미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보네이트, 폴리(디메틸실록산-co-폴리에틸렌옥사이드), 폴리(에테르에테르케톤), 폴리에틸렌, 폴리에틸렌이민, 폴리이소프렌, 폴리락타이드, 폴리프로필렌, 폴리술폰, 폴리우레탄, 폴리(비닐피로리돈), 폴리(페닐렌 비닐렌), 폴리(비닐 카바졸) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
23 23
제 1 항에 있어서,상기 유기 용매는 다이클로로에틸렌, 트라이클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 다이클로로메탄, 스티렌, 다이메틸포름아마이드, 다이메틸설폭사이드, 테트라하이드로퓨란, 자일렌, 톨루엔, 사이클로헥센, 2-메톡시에탄올, 에탄올아민, 아세토니트릴, 부틸알콜, 이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올, 및 아세톤 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조방법
24 24
삭제
25 25
제 1 항에 있어서, 상기 산화물 반도체 와이어의 직경이 10 nm 내지 1000 μm인 산화물 반도체 와이어 패턴의 제조 방법
26 26
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 압력센서
27 27
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 광센서
28 28
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 CMOS센서
29 29
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 태양전지
30 30
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 발광트랜지스터
31 31
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 레이저소자
32 32
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 메모리
33 33
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 압전소자
34 34
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 배터리
35 35
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 논리회로
36 36
제 1 항 내지 제23항 및 제 25 항 중 어느 한 항의 방법으로 제조된 정렬된 산화물 반도체 와이어를 포함하는 링오실레이터
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2 KR101507240 KR 대한민국 FAMILY
3 KR1020140103534 KR 대한민국 FAMILY
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5 WO2014126448 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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