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페노싸이아진 층상 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기물 반도체

  • 기술번호 : KST2014055860
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기물로서 보다 우수한 전하 이동도 등의 전기적 특성을 나타냄에 따라, 신규한 유기물 반도체 등의 제공을 위해 적절히 사용될 수 있는 페노싸이아진 층상 구조체, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 유기물 반도체에 관한 것이다. 상기 페노싸이아진 층상 구조체는 순차 적층된 복수의 페노싸이아진 분자층을 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 51/10 (2006.01) H01L 51/40 (2006.01)
CPC H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01) H01L 51/0071(2013.01)
출원번호/일자 1020130037669 (2013.04.05)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1449624-0000 (2014.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141013) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.04.05)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이민경 대한민국 경남 창원시 성산구
2 최희철 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0299894-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0004879-27
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0198892-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0472459-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2014-0472458-65
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0661654-32
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
순차 적층된 복수의 페노싸이아진 분자층을 포함하고,상기 페노싸이아진 분자층의 각각은 수소 결합에 의해 서로 연결되어 능삼 무늬(herringbone)로 배열된 페노싸이아진 분자들을 포함하고, 상기 복수의 페노싸이아진 분자층은 반데르발스 힘을 매개로 적층되어 있으며, p-type 반도체 특성을 갖는 유기물 반도체에 포함되는 페노싸이아진 층상 구조체
2 2
제 1 항에 있어서, 판상 형태를 갖는 페노싸이아진 층상 구조체
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 200nm 내지 2㎛의 두께 및 10㎛ 내지 2mm의 너비를 갖는 페노싸이아진 층상 구조체
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 페노싸이아진 분자층은 사방정계 결정 구조를 갖는 페노싸이아진 분자를 포함하는 페노싸이아진 층상 구조체
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 층상 구조체 그 결정면 중 (020)면이 기판에 대해 수직하게 세워지게 배열되도록, 상기 기판 상에 형성되어 있는 페노싸이아진 층상 구조체
8 8
페노싸이아진 증기를 형성하는 단계; 및페노싸이아진 증기를 냉각 및 응축시키면서 재결정화하는 단계를 포함하는 제 1 항의 페노싸이아진 층상 구조체의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 페노싸이아진 증기의 형성 단계에서는 페노싸이아진 분말을 180 내지 250℃에서 증기화하는 페노싸이아진 층상 구조체의 제조 방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 재결정화 단계에서는 페노싸이아진 증기를 30 내지50℃에서 5 분 내지 1 시간 동안 냉각하는 페노싸이아진 층상 구조체의 제조 방법
11 11
제 1 항의 페노싸이아진 층상 구조체를 포함하는 유기물 반도체
12 12
제 11 항에 있어서, p-type 반도체 특성을 갖는 유기물 반도체
13 13
제 11 항에 있어서, 전계 효과 트랜지스터(field-effect transistor; FET)인 유기물 반도체
14 14
제 13 항에 있어서, 플렉서블 전계 효과 트랜지스터인 유기물 반도체
15 15
제 11 항에 있어서, UV 조사된 페노싸이아진 층상 구조체를 포함하는 유기물 반도체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 선도연구센터육성사업 분자ㆍ소재 융합 계의 전자-광 거동 연구 센터
2 교육과학기술부 포항공과대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 공액계 분자 기반 저차원 구조체의 결정면 차이에 따른 광-전기 특성 연구