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RRAM과 이를 포함하며 향상된 시냅스 특성을 가지는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014055861
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RRAM과 이를 포함하며 시냅스 특성을 가지는 전자소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 RRAM은 제1금속층; 상기 제1금속층 상에 위치하는 PCMO층; 상기 PCMO층 상에 위치하는 티타늄질화물층; 상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC G11C 13/0002(2013.01) G11C 13/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020130028170 (2013.03.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1443271-0000 (2014.09.16)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.15)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황현상 대한민국 대구 수성구
2 이대석 대한민국 광주 북구
3 박상수 대한민국 광주 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 인비전 특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, *층(대치동, 동산빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0227871-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0227368-10
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0519118-93
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0519119-38
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0595485-30
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1금속층을 형성하는 단계;상기 제1금속층 상에 PCMO층을 형성하는 단계;질소분위기에서 증착방법으로 상기 PCMO층 상에 위치하며 상기 PCMO층과 직접 접촉하는 티타늄질화물층을 형성하는 단계;상기 티타늄질화물층 상에 위치하는 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 RRAM의 제조방법
2 2
제1항에서,상기 PCMO층은 다결정 상태인 것을 특징으로 하는 RRAM의 제조방법
3 3
제1항에서,상기 제1금속층은 백금을 포함하여 이루어지며,상기 제2금속층은 텅스텐과 백금 중 적어도 어느 하나를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 RRAM의 제조방법
4 4
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5 5
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6 6
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7 7
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8 8
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9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.