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실리콘층을 형성하는 단계;상기 실리콘층 상에 실리콘 산화물층이 생긴 후 금속층을 형성하는 단계;상기 금속층 상에 탄소층을 형성하는 단계;상기 실리콘층, 상기 실리콘 산화물층, 상기 금속층 및 상기 탄소층을 가열하여 상기 실리콘 산화물층의 산소와 상기 탄소층의 탄소를 결합시켜 상기 실리콘 산화물층의 적어도 일부를 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 탄소층은 그라핀, 탄소나노튜브, 펜타센(pentacene) 및 테트라센(tetracene) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 금속층은 전이금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제3항에 있어서, 상기 금속층은 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 은(Ag) 및 철(Fe) 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제3항에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5nm 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 가열온도는 300℃ 내지 600℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 가열 후, 상기 금속층 상에 추가 금속층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘층은 n형 또는 p형으로 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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제1항에 있어서, 상기 가열은 진공상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 산화물층의 제거방법
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