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유기발광다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014055872
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유기발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 낮은 광 추출 효율을 증가시킬 수 있는 투명 폴리머를 유기발광다이오드 소자에 부착하여 높은 광 추출 효율을 얻을 수 있는 유기발광다이오드 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 유기발광다이오드에 관한 것이다.본 발명에 따른 유기발광다이오드는 투명 또는 불투명 기판과, 상기 기판 위에 형성된 평탄한 절연막과, 상기 절연막 위에 형성된 반사전극인 양극과, 상기 양극 위에 유기물을 증착하여 형성된 유기발광층과, 상기 유기발광층 위에 형성된 반투명전극인 음극과, 상기 음극 위에 형성된 굴절률 조절층 및 상기 굴절률 조절층 위에 형성된 굴곡 구조의 나노 구조체를 포함하는 폴리머층을 포함하여 구성된다.
Int. CL H05B 33/10 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01) H01L 51/5072(2013.01)
출원번호/일자 1020130003383 (2013.01.11)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1489780-0000 (2015.01.29)
공개번호/일자 10-2014-0091807 (2014.07.23) 문서열기
공고번호/일자 (20150206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.11)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경북 포항시 남구
2 구본형 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 유철종 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0030034-31
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0096115-19
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0041069-67
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0262544-79
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0262542-88
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0457979-80
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0838028-20
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0943937-48
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2014-0943938-94
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0749279-54
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 위에 평탄한 절연막을 증착하는 단계;상기 절연막 위에 반사전극인 양극을 형성하는 단계;상기 양극 위에 유기물을 증착하여 유기발광층을 형성하는 단계;상기 유기발광층 위에 반투명전극인 음극을 형성하는 단계;상기 음극 위에 굴절률 조절층을 형성하는 단계; 및상기 굴절률 조절층 위에 광 추출 효율 증가를 위해 폴리머층을 형성하는 단계; 를 포함하고,상기 폴리머층을 형성하는 단계는,지지판 위에 상온에서 액체와 고체의 중간 상태로 존재하는 폴리머를 분사하는 단계와,상기 지지판을 회전하여 지지판 상부에 폴리머를 스핀코팅하는 단계와,상기 폴리머에 굴곡 구조의 나노 구조체를 포함하는 마스터 몰드를 임프린트하여 굴곡 구조의 나노 구조체를 포함하는 복제 몰드를 형성하는 단계와상기 복제 몰드를 지지판에서 분리하는 단계, 및상기 복제 몰드를 굴절률 조절층 상부에 부착하여 폴리머층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 유기발광층을 형성하는 단계는,상기 양극 위에 정공주입층을 형성하는 단계와,상기 정공주입층 위에 정공수송층을 형성하는 단계와,상기 정공수송층 위에 발광층을 형성하는 단계와,상기 발광층 위에 정공억제층을 형성하는 단계와상기 정공억제층 위에 전자수송층을 형성하는 단계, 및상기 전자수송층 위에 전자주입층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 음극을 형성하는 단계에서 금속 혹은 이원계 이상의 합금을 열 증착법, 전자선 증착법, 스퍼터링, 화학 기상법, 또는 레이저 증착법에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 굴절률 조절층을 형성하는 단계에서 무기물 또는 유기물을 열 증착법, 전자선 증착법, 스퍼터링, 화학 기상법, 또는 레이저 증착법에 의해 증착하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 지지판과 평행한 마스터 몰드의 나노 구조체 수평 길이는 1㎛ ~ 10um인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 복제 몰드를 지지판에서 분리하는 단계에서 복제 몰드를 자외선 혹은 열을 이용하여 경화하는 과정을 거친 후에 분리하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
8 8
투명 또는 불투명 기판;상기 기판 위에 형성된 평탄한 절연막;상기 절연막 위에 형성된 반사전극인 양극;상기 양극 위에 유기물을 증착하여 형성된 유기발광층;상기 유기발광층 위에 형성된 반투명전극인 음극;상기 음극 위에 형성된 굴절률 조절층; 및상기 굴절률 조절층 위에 형성된 굴곡 구조의 나노 구조체를 포함하는 폴리머층; 를 포함하고,상기 기판과 평행한 폴리머층의 나노 구조체 수평 길이는 1um ~ 10um이며,상기 굴절률 조절층의 굴절률은 폴리머층의 굴절률보다 큰 값을 가지되, 상기 폴리머층의 굴절률을 고정시킨 후에 그 밑에 형성되는 굴절률 조절층은, 폴리머층이 가지는 굴절률보다 큰 값을 가지면서 그 차이는 작은 물질을 택하여 폴리머층과 굴절률 조절층 간의 임계각을 높이는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
9 9
제8항에 있어서,상기 기판은 유리, 스테인리스 스틸, 플라스틱 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
10 10
제9항에 있어서,상기 플라스틱은 PET, PEN, PES, PC로 이루어진 군에서 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
11 11
제8항에 있어서,상기 절연막은 SiO2, SiNx, Al2O3, HfO2 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
12 12
제8항 또는 제11항에 있어서,상기 절연막의 두께는 1um ~ 100um인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
13 13
제8항에 있어서,상기 반사전극인 양극은 Ag, Cu, Fe, Cr, W, Al, Mo, Zn, Ni, Pt, Pd, Co, In, Sn, V, Ru, Mg, Ta, Ir, Zr 또는 이들의 합금 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
14 14
제8항에 있어서,상기 반사전극인 양극의 두께는 100nm ~ 10um인 것을 특징으로 하는 상부 발광형 유기발광다이오드
15 15
제8항에 있어서,상기 반투명전극인 음극은 Ag, Au, Al, Cu, Pt, Ca, Sm, Ir, Rh, Ru, Mo, W, Ti, Li, Mg 중 적어도 하나 이상의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
16 16
제8항에 있어서,상기 반투명전극인 음극은 이원계 합금으로 이중 금속층인 Ca/Mg, Ca/Ag, Sm/Ag, Sm/Au, Yb/Au, Yb/Ag, Al/Ag와, 하나의 합금 금속층인 Mg:Ag와,이원계 이상의 합금층인 Al/SiO:Al 중 적어도 하나 이상의 합금층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
17 17
제8항, 제15항 또는 제16항에 있어서,상기 반투명전극인 음극의 두께는 5nm ~ 10nm인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
18 18
제8항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 WO3, MoO3, Ta2O5, MgO, CaO, SiO2, V2O5, MnO2, SiO, Ga2O3, SnO2, In2O3, ZnS, AZO, GZO, TiO2 ,ZrO2 중 적어도 하나 이상의 무기물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
19 19
제8항에 있어서,상기 굴절률 조절층은 Alq3, NPB, TCTA, CBP, BCP, Bphen, TPD, PVK, TAZ, mCP, BAlq, DPVBi, TDK 중 적어도 하나 이상의 유기물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
20 20
제8항, 제18항 또는 제19항에 있어서,상기 굴절률 조절층의 두께는 5nm ~ 40nm인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
21 21
삭제
22 22
제8항에 있어서,상기 폴리머층은 포토레지스트, 이미드계 유기 화합물, 아크릴계 유기 화합물, 폴리카보네이트, 폴리설포네이트, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, BCB, PFCB, PDMS 중 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
23 23
제8항에 있어서,상기 폴리머층은 1
24 24
제8항, 제22항 또는 제23항에 있어서,상기 폴리머층의 두께는 10um ~ 100um인 것을 특징으로 하는 상부 발광형 유기발광다이오드
25 25
삭제
26 26
제8항에 있어서,상기 폴리머층은 굴절률 조절층 상부에 탈부착이 가능한 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
27 27
제8항에 있어서,상기 유기발광층은,상기 양극 위에 형성된 정공주입층과,상기 정공주입층 위에 형성된 정공수송층과,상기 정공수송층 위에 형성된 발광층과,상기 발광층 위에 형성된 정공억제층과,상기 정공억제층 위에 형성된 전자수송층, 및상기 전자수송층 위에 형성된 전자주입층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발