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양자점 태양전지의 제조방법
- 기술번호 : KST2014055874
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 본 발명은 극성이 다른 전극에 각각 양자점을 포함하는 전도성 유기물층을 형성하고 상기 전도성 유기물층을 합체하는 방법을 통해 양자점 태양전지를 제조함으로써, 양자점 태양전지 제조공정의 효율화를 도모할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 양자점 태양전지의 제조방법의 일 태양은, 제 1 전극에 제 1 양자점층을 형성하는 단계, 상기 제 1 양자점층 상에 제 1 중간층을 형성하는 단계, 제 2 전극에 제 2 양자점층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 중간층과 제 2 양자점층을 합착하는 단계를 포함한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) |
| CPC | H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) H01L 31/035218(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020130004515 (2013.01.15) |
| 출원인 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1489777-0000 (2015.01.29) |
| 공개번호/일자 | 10-2014-0093781 (2014.07.29) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20150206) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2013.01.15) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이종람 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 2 | 김기수 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 3 | 이일환 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 4 | 동완재 | 대한민국 | 경북 포항시 남구 |
| 5 | 이보라 | 대한민국 | 경기 안양시 만안구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인아이엠 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 포항공과대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 포항시 남구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0041036-80 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2013.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0102246-89 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2014.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0139118-26 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0405122-81 |
| 8 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0078453-99 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0495356-90 |
| 10 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0450583-59 |
| 11 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.06.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0092061-23 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0527606-05 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2014.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0601178-79 |
| 14 | 보정요구서 Request for Amendment |
2014.07.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0111473-11 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number) |
2014.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0636827-12 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2014.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0709927-69 |
| 17 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2014.07.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0709926-13 |
| 18 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.12.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0876540-12 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 1 양자점층을 형성하는 단계;상기 제 1 양자점층 상에 제 1 중간층을 형성하는 단계;제 2 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 2 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제 1 중간층과 제 2 양자점층을 합착하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 중간층은 광흡수 중심파장이 상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층의 광흡수 중심파장과 상이한 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 2 |
2 제 1 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 1 양자점층을 형성하는 단계;제 2 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 2 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제 2 양자점층 상에 제 2 중간층을 형성하는 단계;상기 제 1 양자점층과 제 2 중간층을 합착하는 단계;를 포함하고,상기 제 2 중간층은 광흡수 중심파장이 상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층의 광흡수 중심파장과 상이한 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 3 |
3 제 1 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 1 양자점층을 형성하는 단계;상기 제 1 양자점층 상에 제 1 중간층을 형성하는 단계;제 2 전극에 양자점과 전도성 고분자의 혼합물로 이루어진 제 2 양자점층을 형성하는 단계; 상기 제 2 양자점층 상에 제 2 중간층을 형성하는 단계; 및상기 제 1 중간층과 제 2 중간층을 합착하는 단계;를 포함하고,상기 제 1 중간층 및 제 2 중간층은 광흡수 중심파장이 상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층의 광흡수 중심파장과 상이한 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 4 |
4 삭제 |
| 5 |
5 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 중간층 또는 제 2 중간층은 P3HT, PCDTBT, PCTDTBT, MEH-PPV, PTB7, PBDTTT-CF, PFN, CuInGaSe(S)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 6 |
6 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 합착은 5 ~ 350℃의 온도에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 7 |
7 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 양자점층 및 제 2 양자점층의 형성은, 드롭캐스팅(drop casting), 스핀코팅(spin coating), 딥코팅(dip coating), 분무 코팅(spray coating), 흐름 코팅(flow cating), 스크린 프린팅(screen printing), 잉크젯 프린팅 또는 마이크로 컨택 프린팅에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 8 |
8 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 양자점층과 제 2 양자점층은 광 흡수 파장대가 상이한 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 9 |
9 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 양자점과 제 2 양자점은, Ⅱ-Ⅵ족계 화합물 반도체 나노 결정, Ⅲ-Ⅴ족 반도체 나노 결정, Ⅳ족 반도체 나노 결정 및 이들의 혼합물 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 10 |
10 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 양자점 또는 제 2 양자점은, CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSTe, HgSeS, HgSeTe, HgSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe, CdHgS, CdHgSe, CdHgTe, CdHgTe, HgZnS, HgZnSe, HgZnTe, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeTe, HgZnSTe, GaN, GaP, GaAs, AlN, AlP, AlAs,InN, InP, InAs, GaNP, GaNAs, GaPAs, AlNP, AlNAs, AlPAs, InNP, InNAs, InPAs, GaAlNP, GaAlPAs, GaInNAs, GaInNP, GaInPAs, InAlNP, InAlNAs 및 InAlPAs로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 11 |
11 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 전극은, ITO, AZO, GZO, IZO, Ag, Al, Au, Cu, CNT, Graphene, PEDOT:PSS 에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 12 |
12 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 전극은, Ag, Al, Au, Cu, Pt 에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 양자점층은 p형 반도체로 이루어진 양자점을 포함하고, 상기 제 1 전극과 제 1 양자점층 사이에는 전자수집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 14 |
14 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 양자점층은 n형 반도체로 이루어진 양자점을 포함하고, 상기 제 2 전극과 제 2 양자점층 사이에는 정공수집층이 형성되는 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 15 |
15 제 3 항에 있어서,상기 제 1 중간층과 제 2 중간층은 광 흡수 파장대가 상이한 것을 특징으로 하는 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 16 |
16 삭제 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 포항공과대학교 산학협력단 | 일반연구자지원사업 | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1489777-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20130115 출원 번호 : 1020130004515 공고 연월일 : 20150206 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20141222 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 양자점 태양전지의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180130 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2015년 01월 29일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.01.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0041036-80 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.06.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0025573-58 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2013.11.05 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2013.12.16 | 수리 (Accepted) | 9-1-2013-0102246-89 |
| 5 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5024386-11 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2014.02.26 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0139118-26 |
| 7 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.04.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0405122-81 |
| 8 | 보정요구서 | 2014.05.14 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0078453-99 |
| 9 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0495356-90 |
| 10 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.05.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0450583-59 |
| 11 | 보정요구서 | 2014.06.03 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0092061-23 |
| 12 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.06.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0527606-05 |
| 13 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2014.06.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0601178-79 |
| 14 | 보정요구서 | 2014.07.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2014-0111473-11 |
| 15 | [출원서등 보정]보정서(납부자번호) | 2014.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0636827-12 |
| 16 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2014.07.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2014-0709927-69 |
| 17 | [명세서등 보정]보정서 | 2014.07.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2014-0709926-13 |
| 18 | 등록결정서 | 2014.12.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0876540-12 |
| 19 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.20 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5243581-27 |
| 20 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5245997-53 |
| 21 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.11.25 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5247115-68 |
| 기술번호 | KST2014055874 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 포항공과대학교 산학협력단 |
| 기술명 | 양자점 태양전지의 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 극성이 다른 전극에 각각 양자점을 포함하는 전도성 유기물층을 형성하고 상기 전도성 유기물층을 합체하는 방법을 통해 양자점 태양전지를 제조함으로써, 양자점 태양전지 제조공정의 효율화를 도모할 수 있는 태양전지의 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 양자점 태양전지의 제조방법의 일 태양은, 제 1 전극에 제 1 양자점층을 형성하는 단계, 상기 제 1 양자점층 상에 제 1 중간층을 형성하는 단계, 제 2 전극에 제 2 양자점층을 형성하는 단계 및 상기 제 1 중간층과 제 2 양자점층을 합착하는 단계를 포함한다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | ㅡ |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 라이센스 |
| 사업화적용실적 | ㅡ |
| 도입시고려사항 | ㅡ |
| 과제고유번호 | 1345174328 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-0012919 |
| 연구과제명 | 스마트 표면을 이용한 나노임프린트 기술 개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 201005~201304 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
| 과제고유번호 | 1345212249 |
|---|---|
| 세부과제번호 | R31-2012-000-10059-0 |
| 연구과제명 | 첨단 기능성 신물질 시스템 기초 연구 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육부 |
| 연구관리전문기관명 | |
| 연구주관기관명 | |
| 성과제출연도 | 2013 |
| 연구기간 | 200812~201308 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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