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전류주입방지층 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 제조방법

  • 기술번호 : KST2014055877
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전류주입방지층 형성방법 및 이를 이용한 발광다이오드 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 부도체 물질 삽입이나 표면 처리로 전류주입방지층(CBL: Current Blocking Layer)을 형성하는 것이 아니라 식각에 의해 CBL을 형성하고 이를 통해 높은 광추출효율을 갖는 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 전류주입방지층 형성방법은 차례로 적층된 반도체 기판, n형 반도체층 및 활성층의 상부에 형성된 p형 반도체층 위에 전극 형태의 패턴을 갖는 건식 에칭 보호막을 형성하는 단계와, 상기 p형 반도체층을 건식 에칭하여 p형 반도체층에 전류주입방지층(CBL)을 형성하는 단계, 및 상기 건식 에칭 보호막을 제거하는 단계를 포함하여 구성된다.
Int. CL H01L 33/14 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01)
CPC H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01) H01L 33/145(2013.01)
출원번호/일자 1020130004376 (2013.01.15)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2014-0093340 (2014.07.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송양희 대한민국 경기 광명시 광덕산로 **, *
2 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김경준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0039905-48
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.08.27 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0081236-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0032417-42
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0245950-59
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.04.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0357753-10
9 보정요구서
Request for Amendment		 2014.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0069020-22
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0455520-55
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0455521-01
12 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2014-0395138-20
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0574007-04
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1011257-84
15 보정요구서
Request for Amendment		 2014.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0190834-86
16 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-1050476-24
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2014.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2014-1134739-85
18 보정요구서
Request for Amendment		 2014.12.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0215201-26
19 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1172880-95
20 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1245567-09
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.12.22 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1245566-53
22 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0266799-78
23 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2015.05.20 수리 (Accepted) 7-1-2015-0022289-98
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
차례로 적층된 반도체 기판, n형 반도체층 및 활성층의 상부에 형성된 p형 반도체층 위에 전극 형태의 패턴을 갖는 건식 에칭 보호막을 형성하는 단계;상기 p형 반도체층을 건식 에칭하여 p형 반도체층에 전류주입방지층(CBL)을 형성하는 단계; 및상기 건식 에칭 보호막을 제거하는 단계;를 포함하는 전류주입방지층 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 전극 형태의 패턴을 포토리소그라피 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 건식 에칭 보호막은 포토레지스트나, MgOx, SiOx, TaOx, TiOx, MoOx의 산화층 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
4 4
제3항에 있어서,상기 건식 에칭 보호막의 두께는 500nm 이상인 것을 특징으로 전류주입방지층 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 건식 에칭시 식각 깊이를 50nm보다 깊고 p형 반도체층 높이보다 얕게 형성하는 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
6 6
제1항에 있어서,상기 건식 에칭 후, 산소, 질소 또는 아르곤 분위기에서 플라즈마로 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
7 7
제6항에 있어서,상기 표면 처리 후, 아세톤, 이소프로판알코올(IPA)와 탈이온수를 이용하여 세척하고 질소로 건조하는 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
8 8
제1항에 있어서,상기 p형 반도체층은 p형 질화갈륨층이고, 상기 활성층은 다중양자우물(MQW: Multiple Quantum Well) 구조를 가지며, 상기 n형 반도체층은 n형 질화갈륨층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전류주입방지층 형성방법
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 CBL이 형성된 p형 반도체층 위에,p형 전극과 n형 전극을 옆으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 p형 반도체층 위에 메사(Mesa) 식각 후 투명전극, n형 전극, p형 전극을 순차적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 투명전극은 ITO, ZnO, AZO 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
12 12
제11항에 있어서,상기 투명전극의 두께는 10nm ~ 500nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 투명전극은 금속물질/부도체물질의 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 금속물질은 Ag, Au, Cu, Pt 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
15 15
제13항 또는 제14항에 있어서,상기 금속물질의 두께는 1nm ~ 100nm인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
16 16
제13항에 있어서,상기 부도체물질은 MoOx, WOx, TiOx, TaOx 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
17 17
제13항 또는 제16항에 있어서,상기 부도체물질의 두께는 10nm ~ 1um인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
18 18
제10항에 있어서,상기 n형 전극이나 p형 전극은 Cr, Au, Ti, Al 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
19 19
제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 의해 CBL이 형성된 p형 반도체층 위에,p형 전극과 n형 전극을 상하로 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
20 20
제19항에 있어서,상기 p형 반도체층 위에 p형 전극, 전극 보호층, 제1-1결합층, 제1배리어층, 제1-2결합층, 제1금속접합층을 차례로 형성하고,전도성 기판 위에 제2-1결합층, 제2배리어층, 제2-2결합층, 제2금속접합층을 차례로 형성하여,상기 제1금속접합층과 제2금속접합층을 마주보는 구조로 열과 압력을 가해 압착한 후, 상기 n형 반도체층 위에 n형 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
21 21
제20항에 있어서,상기 제1-1결합층, 제1-2결합층, 제2-1결합층 또는 제2-2결합층은 전자빔증착 방식이나 스퍼터증착 방식을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
22 22
제20항에 있어서,상기 제1-1결합층, 제1-2결합층, 제2-1결합층 또는 제2-2결합층의 물질은 Ti, Cr, Ni의 금속, TiOx, CrOx, NiOx의 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
23 23
제20항 또는 제22항에 있어서,상기 제1-1결합층, 제1-2결합층, 제2-1결합층 또는 제2-2결합층의 두께는 1nm 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
24 24
제20항에 있어서,상기 제1배리어층 또는 제2배리어층은 Ru, Pt, Pd, Ir, Rh, Nb, W, Ta의 금속, RuOx, IrOx, RhOx, NbOx, TaOx의 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
25 25
제20항에 있어서,상기 제1배리어층 또는 제2배리어층은 Ru, Pt, Pd, Ir, Rh, Nb, W, Ta의 금속 중 두 개 이상을 포함하는 합금층이거나, 상기 금속 중 어느 하나의 금속과 RuOx, IrOx, RhOx, NbOx, TaOx 중 어느 하나의 산화물이 교대로 적층하는 구조인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
26 26
제20항에 있어서,상기 금속접합층은 Ag-In 합금, Ag-Sn 합금, Ag-Ti 합금, Al-Sn 합금, As-Ti 합금, Au-Bi 합금, Au-Li 합금, Au-Pb 합금, Au-Ti 합금 또는 Bi-Sn 합금 재질로 이루어지거나, Ag/In 각층, Ag/Sn 각층, Ag/Ti 각층, Al/Sn 각층, As/Ti 각층, Au/Bi 각층, Au/Li 각층, Au/Pb 각층, Au/Ti 각층 또는 Bi/Sn 각층 구조인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
27 27
제20항에 있어서,상기 제1금속접합층과 제2금속접합층의 압착시 열의 온도는 상기 제1금속접합층 및 제2금속접합층으로 사용한 물질의 녹는점 ~ 녹는점 + 50℃인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
28 28
제20항에 있어서,상기 전도성 기판을 아세톤, 이소프로판알코올(IPA)과 탈이온수를 이용하여 세척하고 질소로 건조한 후, 전도성 기판 위에 제2-1결합층을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
29 29
제20항에 있어서,상기 제1금속접합층과 제2금속접합층을 압착한 후 KrF 엑시머 레이저를 전도성 기판에 조사하고 n형 반도체층과 전도성 기판 사이의 계면을 분리한 다음, n형 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
30 30
제20항 또는 제29항에 있어서,상기 n형 전극은 CBL과 같은 패턴인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발