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ITO 형성용 조성물, 이를 이용한 박막 형성방법과 발광다이오드 및 광학반도체 소자

  • 기술번호 : KST2014055878
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ITO 형성용 조성물, 이를 이용한 박막 형성방법과 발광다이오드 및 광학반도체 소자에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 ITO와 같은 결정 구조를 갖는 물질을 파우더의 형태로 ITO 졸겔 용액에 첨가한 후 기판에 코팅하고 그 위에 전극을 형성하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 SnCl2, 에탄올 용액, In(NO3), 아세틸 아세톤 및 도판트 물질을 혼합하고 용해하여 도판트가 함유된 ITO 졸겔을 제조하고, 상기 도판트가 함유된 ITO 졸겔을 기판에 코팅하여 ITO 박막을 형성하며, 상기 ITO 박막을 투명전극으로 하여 n형 전극과 p형 전극을 형성한다.본 발명에 따르면 ITO와 같은 결정 구조를 갖는 물질을 ITO 졸겔 용액에 첨가하여 낮은 온도의 열처리를 통해서도 도판트 물질 주위로 ITO 졸겔이 쉽게 결정성을 형성할 수 있게 만들어줘 패턴 형상이 손상되지 않으면서 작은 면저항을 갖는 ITO 박막을 형성할 수 있다.
Int. CL H01B 1/06 (2006.01) H01L 33/00 (2010.01) H01B 5/14 (2006.01) C04B 35/01 (2006.01)
CPC H01B 1/06(2013.01) H01B 1/06(2013.01) H01B 1/06(2013.01) H01B 1/06(2013.01) H01B 1/06(2013.01)
출원번호/일자 1020130005999 (2013.01.18)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1397803-0000 (2014.05.14)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20140521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송양희 대한민국 경기 광명시 광덕산로 **, *
2 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김성주 대한민국 부산 사상구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0052754-01
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.11.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0091204-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0878506-82
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.02.13 수리 (Accepted) 1-1-2014-0142925-80
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.02.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0142924-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0280516-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
ITO 졸겔 용액과, 이 ITO 졸겔 용액에 빅스바이트(bixbyite) 결정구조를 갖는 분말을 포함하는 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 분말의 크기는 10um 이하인 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 ITO 졸겔 용액은 SnCl2, 에탄올, In(NO3), 아세틸아세톤을 포함하는 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
4 4
제3항에 있어서,상기 분말은 In(NO3) 중량 대비 1 ~ 30% 포함하는 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
5 5
제3항에 있어서,상기 SnCl2의 몰 함유량이 In(NO3) 대비 5 ~ 20% 인 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
6 6
제1항에 있어서,상기 분말은 ITO, Mn2O3, V2O3 중에서 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 ITO 형성용 조성물
7 7
(a) 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 ITO 형성용 조성물을 70℃ 이상에서 3 시간 이상 교반하는 단계;(b) 상기 ITO 형성용 조성물을 기판에 도포하는 단계; 및(c) 도포한 ITO 형성용 조성물을 90 ~ 110℃에서 1분 이하로 열처리하는 단계;를 포함하는 ITO 박막 형성방법
8 8
제7항에 있어서,상기 (b) 단계 전에, 상기 기판에 UV-오존 처리 또는 친수성 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
9 9
제8항에 있어서,상기 UV-오존 처리는 30분 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
10 10
제8항에 있어서,상기 친수성 표면처리를 수행한 기판의 접촉각이 20°이하인 상태에서 ITO 형성용 조성물을 기판에 도포하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
11 11
제7항에 있어서,상기 (b) 단계는 스핀코팅법, 바코팅법 또는 닥터 블레이드법 중에서 선택된 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
12 12
제7항에 있어서,상기 (c) 단계에서 도포한 ITO 형성용 조성물을 90 ~ 110℃에서 1분 이하로 열처리한 후, ITO 박막을 산소, 질소 또는 진공 분위기에서 250℃ 이상의 온도에서 열처리하여 마무리하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
13 13
제7항에 있어서,상기 (c) 단계시 ITO 박막에 임프린트 방법으로 패턴을 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ITO 박막 형성방법
14 14
제7항에 기재된 방법에 의하여 형성된 ITO 박막을 포함하는 발광다이오드
15 15
제7항에 기재된 방법에 의하여 형성된 ITO 박막을 포함하는 광학반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 포항공과대학교 산학협력단 산업원천기술개발사업 180 LM/W급 고효율 나노기반 LED 개발