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센서부를 제조한 후 TSV(Through Si Via) 기술을 적용하여 WLP(wafer-level package) 공정을 수행하는 CMOS 이미지센서(CIS) 제조방법에 있어서,알루미늄 패드가 내부에 구비된 CIS 웨이퍼의 상면에 댐을 형성하고 상부의 글라스 웨이퍼에 접합하는 단계;상기 댐이 형성된 CIS 웨이퍼 반대면을 박막화하는 단계;하드마스크와 감광막을 형성한 후 식각하여 상기 알루미늄 패드 위의 CIS 웨이퍼에 비아홀을 형성하는 단계;ALD(Atomic Layer Deposition) ZrO2 박막이나, ALD Al2O3 박막을 상기 비아홀 바닥과 측벽에 증착한 후, 비아홀 바닥을 전면 식각하여 절연막을 형성하는 단계; 및상기 비아홀에 의해 노출된 알루미늄 패드와 상기 비아홀 측면의 절연막 및 상기 CIS 웨이퍼 상부의 하드마스크에 무전해도금 NiB 박막을 증착하는 단계; 를 포함하고,상기 절연막의 표면은 메탈 리치(metal rich) 박막으로 하여 무전해도금 NiB 박막 증착시 전자 공급층(EIL: Electron Injection Layer)으로 작용하도록 하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 ALD ZrO2 박막이나, ALD Al2O3 박막을 200~300℃ 온도에서 5~50nm 두께로 증착하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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제3항에 있어서,상기 절연막으로 ALD ZrO2 박막을 증착하는 경우 Zr 알킬아미드(alkylamido)-시클로펜타디에닐(cyclopentadienyl) 전구체(Cp-Zr)와 산소기체를 오존 발생기를 통해 발생한 오존 기체를 사용해, 증착압력 0
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제4항에 있어서,상기 전구체는 Ar 기체를 사용해 30~100(sccm) 유량으로 10~20초 동안 흘려보내고, 퍼지 공정을 5~15초 수행(50~200sccm) 한 뒤에 오존 기체를 5~50(sccm) 유량으로 2~10초간 흘러 보낸 후에 최종 퍼지(50~300sccm)를 10~20초 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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제3항에 있어서,상기 절연막으로 ALD Al2O3 박막을 증착하는 경우 증착온도 200~300℃, 증착압력 0
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제1항에 있어서,상기 ALD ZrO2, Al2O3 박막을 증착한 후 H2, N2 플라즈마 처리나 리모트(Remote) H2, N2 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무전해도금 NiB 박막을 증착 후 리모트(Remote) H2 플라즈마 처리하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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제1항에 있어서,상기 무전해도금 NiB 박막을 후속 공정에 증착되는 Cu 박막의 확산방지막이나 시드층(seed layer)으로 사용하는 것을 특징으로 하는 차세대 CMOS 이미지센서 제조방법
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