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CIGS 태양전지 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014055896
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 CIGS 태양 전지 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 상기 CIGS 태양 전지는 기판; 배면 전극; 광흡수층; 버퍼층; 및 전면 투명 전극을 포함하며, 상기 버퍼층은 Ti 화합물을 포함하는 것이다.
Int. CL H01L 31/0749 (2012.01.01) H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01) H01L 31/0749(2013.01)
출원번호/일자 1020130064835 (2013.06.05)
출원인 전영권
등록번호/일자 10-1660311-0000 (2016.09.21)
공개번호/일자 10-2014-0116770 (2014.10.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160928) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020130031012   |   2013.03.22
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.06.05)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전영권 대한민국 서울특별시 강남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영권 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전영권 대한민국 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2013.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2013-0503084-75
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0678837-07
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2014-0182839-88
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2014.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2014-0198590-23
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0457710-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0355847-03
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0688950-72
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0688952-63
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.11.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0820415-78
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0093628-20
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0203735-11
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2015.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0315632-55
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0362293-61
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.04.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0362294-17
16 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0590266-11
17 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2015.09.25 수리 (Accepted) 7-1-2015-0044274-18
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.10.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-1046791-97
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-1046792-32
20 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2015.11.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0822167-20
21 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0085438-54
22 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-0085448-11
23 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.01.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0085466-22
24 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0443599-30
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.09.07 수리 (Accepted) 4-1-2020-5202412-49
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번호 청구항
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기판, 배면 전극, 광흡수층, 버퍼층 및 전면 투명 전극을 포함하는 태양 전지의 제조 방법에 있어서,상기 버퍼층을, 테트라키스(디메틸아미노) 티타늄, 테트라키스(디에틸아미도) 티타늄, 테트라키스(에틸메틸아미도) 티타늄, 티타늄 테트라이소프로폭사이드 또는 이들의 조합으로 이루어진 Ti 전구 물질을 사용하여 원자층 증착 방법으로 형성함으로써, 상기 광흡수층의 표면 원자 배열에 맞는 박막층을 형성시키고 상기 광흡수층과 버퍼층 간의 계면에서의 결함 발생을 감소시키는 태양전지의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 원자층 증착 방법은상기 Ti 전구 물질을 상기 광흡수층에 흡착시키는 1단계;상기 광흡수층으로부터 부산물을 제거하는 2단계;상기 부산물이 제거된 광흡수층에 흡착된 상기 Ti 전구물질을 산소 플라즈마를 통해 산화반응을 일으켜 Ti 화합물로 전환하여 상기 광흡수층에 버퍼층을 형성하는 3단계; 및상기 버퍼층으로부터 부산물을 탈착하는 4단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제7항에 있어서,상기 광흡수층은 M1, M2, M3(여기서, M1은 Cu, Ag 또는 이들의 조합, M2는 In, Ga, Al, Zn, Sn 또는 이들의 조합이고, M3는 Se, S 또는 이들의 조합임)및 이들의 조합으로 이루어진 화합물을 포함하는 태양전지의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN105378947 CN 중국 FAMILY
2 EP03007236 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP28521015 JP 일본 FAMILY
4 US20160126379 US 미국 FAMILY
5 WO2014196728 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CA2914234 CA 캐나다 DOCDBFAMILY
2 CN105378947 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2016521015 JP 일본 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.