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기공이 형성된 기판; 및상기 기판에 형성된 섬광체층을 포함하고,상기 기공은 10 내지 1000의 종횡비를 갖고, 상기 기공 내에 섬광체가 80% 이상의 단차 피복율로 충진된 것인나노구조 섬광체 구조물로서, 상기 나노구조 섬광체 구조물은 기판에 다수개의 기공을 형성하고;상기 기공이 형성된 기판에 원자층 증착 방법으로 섬광체를 증착하는 공정으로 제조된 것인 나노구조 섬광체 구조물
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제1항에 있어서,상기 섬광체층은 10nm 내지 100nm인 나노구조 섬광체 구조물
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제1항에 있어서, 상기 기공은 100nm 내지 10㎛의 직경 및 100㎛ 내지 400㎛의 깊이를 갖는 것인 나노구조 섬광체 구조물
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제1항에 있어서,상기 섬광체는 HfO3:Ce, (Y,Gd)2O3:Eu, Gd2O2S:Ce, Gd3Ga5O12:Cr 또는 이들의 조합인 나노구조 섬광체 구조물
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기판에 다수개의 기공을 형성하고;상기 기공이 형성된 기판에 원자층 증착 방법으로 섬광체를 증착하여 상기 기공 내에 섬광체를 80% 이상의 단차 피복율로 충진하는 공정을 포함하는 나노구조 섬광체 구조물의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 원자층 증착 방법은 희석 가스 하에 섬광체 전구체를 상기 기판에 흡착시키는 1단계;희석 가스 하에 상기 섬광체 전구체가 흡착된 기판으로부터 부산물을 제거하는 2단계;부산물이 제거된 기판에 산화 반응을 야기하여 섬광체 전구체를 섬광체로 전환하는 3단계; 및희석 가스 하에 산화 반응된 기판으로부터 부산물을 탈착하는4단계를 포함하는 것인 나노구조 섬광체 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 1단계에서 도펀트 전구체를 더욱 사용하는 것인 나노구조 섬광체 구조물의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 1단계 이후, 2단계 전에, 도펀트 전구체를 기판에 흡착시키는 단계를 더욱 실시하는 것인 나노구조 섬광체 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 종횡비는 500 내지 1000인 나노구조 섬광체 구조물
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제5항에 있어서,상기 원자층 증착 방법은 희석 가스 하에 섬광체 전구체를 상기 기공이 형성된 기판에 흡착시키는 1단계; 희석 가스 하에 상기 섬광체 전구체가 흡착된 기판으로부터 부산물을 제거하는 2단계; 부산물이 제거된 기판에 산화 반응을 야기하여 섬광체 전구체를 섬광체로 전환하는 3단계; 및 희석 가스 하에 산화 반응된 기판으로부터 부산물을 탈착하는 4단계를 포함하고, 상기 1단계에서 도펀트 전구체를 더욱 사용하거나, 또는 상기 1단계를 실시한 후, 상기 2단계를 실시하기 전에 도퍼트 전구체를 상기 기공이 형성된 기판에 흡착시키는 단계를 더욱 실시하고,상기 섬광체 전구체와 상기 도펀트 전구체의 비율이 50 : 50 내지 90 : 10 중량%인 나노구조 섬광체 구조물의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 원자층 증착 방법은 희석 가스 하에 섬광체 전구체를 상기 기공이 형성된 기판에 흡착시키는 1단계; 희석 가스 하에 상기 섬광체 전구체가 흡착된 기판으로부터 부산물을 제거하는 2단계; 부산물이 제거된 기판에 산화 반응을 야기하여 섬광체 전구체를 섬광체로 전환하는 3단계; 및 희석 가스 하에 산화 반응된 기판으로부터 부산물을 탈착하는 4단계를 포함하고, 상기 1단계, 상기 2단계, 상기 3단계 및 상기 4단계를 1사이클이라고 할 때, 상기 1사이클당 0
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