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반도체 소자 중 검사 영역에 해당하는 일부 영역을 선택적으로 시닝(thinning)하는 시닝 단계; 그리고,상기 검사 영역에 광을 조사하여 상기 검사 영역 내부의 결함 여부를 검사하는 검사 단계;를 포함하고,상기 반도체 소자는 적어도 두 개 이상의 웨이퍼를 접합한 구조이고, 상기 검사 단계는 상기 웨이퍼의 접합 부분의 결함 여부를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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반도체 소자 중 검사 영역에 해당하는 일부 영역을 선택적으로 시닝(thinning)하는 시닝 단계; 그리고,상기 검사 영역에 광을 조사하여 상기 검사 영역 내부의 결함 여부를 검사하는 검사 단계;를 포함하고,상기 반도체 소자는 웨이퍼 상에 에피택셜 층(epitaxial layer)이 성장된 구조이고, 상기 검사 단계는 상기 웨이퍼 상에 성장되는 상기 에피택셜 층의 결함 여부를 검사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제2항 또는 제3항에 있어서,상기 시닝 단계는 상기 검사 영역의 외면에 위치한 웨이퍼의 단면 두께를 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제4항에 있어서,상기 시닝 단계는 상기 검사 영역의 외면에 위치한 웨이퍼의 단면 두께를 200㎛ 이하로 감소시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제4항에 있어서,상기 시닝 단계는 기계 드릴 공법, 레이저 드릴 공법, FIB(Focused ion beam) 공법, 화학적, 건식 식각 공법 중 적어도 어느 하나의 방식을 이용하여 진행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사방법
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제4항에 있어서,상기 시닝 단계는 기계적 드릴 공법, 레이저 드릴 공법 및 FIB(Focused ion beam) 공법 중 적어도 어느 하나의 방식으로 진행하는 제1 단계 및 습식 식각 공법 또는 건식 식각 공법을 이용하여 진행하는 제2 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사방법
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제7항에 있어서,상기 제2 단계는 화학적 식각 방식에 의해 단면의 두께를 미세하게 감소시키면서, 상기 제1 단계에서 상기 웨이퍼 단면에 가해진 스트레스를 최소화시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제4항에 있어서,상기 시닝 단계는 상기 검사 영역의 외면에 위치한 웨이퍼에 각 변이 수십 내지 수백 ㎛에 해당하는 모니터링 창을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사방법
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제4항에 있어서,상기 시닝 단계는 상기 검사 영역의 외면에 위치한 웨이퍼에 우묵한 형상을 갖는 모니터링 창을 형성하고,상기 모니터링 창은 결함 분석(failure analysis) 또는 결함 원인 분석(defect source analysis)이 가능하도록, 깊이 방향을 따라 단면이 좁아지도록 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제10항에 있어서,상기 모니터링 창은 깊이 방향을 따라 상이한 단면 크기를 갖는 복수개의 층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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제9항에 있어서,상기 모니터링 창은 상기 웨이퍼의 스크라이브 레인(scribe lane)에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 검사 방법
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