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고체 확산법을 이용한 ＣＩＧ 박막의 셀렌화 및 황산화 방법

  • 기술번호 : KST2014055908
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 (1) 기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키는 제1단계; (2) 상기 증착된 몰리브덴 전극층 상부에 CIG(CuInGa) precursor layer를 증착시키는 제2단계; 및 (3) 상기 증착된 CIG precursor layer 상부에 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계; 를 포함하는 CIGS의 제조방법에 관한 기술이다. 상기 고체확산법은 (1) 균일한 크기의 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 수득하기 위해 TOP(Trioctylphosphine)에 셀레니움 또는 황을 10 ml : 0.01 M의 비율로 용해시켜 TOP-Se 또는 TOP-S 용액을 수득하는 제A단계; (2) CIG precursor layer상부에 셀레니움 또는 황을 균일하게 도포하는 제B단계; 및 (3) TOP를 건조시킨 후, 셀레니움 또는 황을 CIG precursor layer로 확산시키는 제C단계를 포함한다.
Int. CL C23C 10/26 (2006.01) C23C 10/60 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01) C23C 8/42(2013.01)
출원번호/일자 1020110032333 (2011.04.07)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1317834-0000 (2013.10.07)
공개번호/일자 10-2012-0114664 (2012.10.17) 문서열기
공고번호/일자 (20131015) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이철로 대한민국 전라북도 전주시 덕진구
2 라용호 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0255103-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.10.23 수리 (Accepted) 9-1-2012-0078641-67
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0666191-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0015712-82
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0088951-76
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.30 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0088952-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0092551-66
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0092549-74
11 보정요구서
Request for Amendment		 2013.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0014481-44
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.03.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0026694-98
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0325843-38
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0611686-06
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-0611681-78
16 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0681785-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(1)기판 상부에 몰리브덴(molybdenum; Mo) 전극층을 증착시키고 몰리브덴 전극층 표면에 존재하는 불순물을 제거하고, 박막의 균일성을 향상시키기 위해 4∼6분간, 5∼20rpm으로 회전시키는 제1단계;(2)상기의 몰리브덴 전극층 상부에 구리인듐갈륨 프리커서 층(CuInGa[CIG] precursor layer)를 증착시키는 제2단계; 및 (3)상기의 구리인듐갈륨 프리커서 층(CIG precursor layer) 상부에 하기 (A)단계 내지 (C)단계의 고체확산법을 이용하여 셀레니움(Selenium; Se) 또는 황(Sulfur; S)을 확산시키는 제3단계;를 포함하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판의 소재는 소다석회유리(Soda-lime Glass), 스테인레스강(Stainless Steel), 티탄(titanium; Ti), 구리(copper; Cu) 및 폴리이미드(Polyimide)로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 기판의 크기는 10×10mm2 ∼ 50×50mm2 인 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1단계의 몰리브덴 전극층은 스퍼터링 시스템(Sputtering system)을 이용하여 기판 상부에 증착시키는 것임을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
5 5
제4항에 있어서, 상기 스퍼터링 시스템은 (1)몰리브덴 타겟(Mo target)의 두께가 0
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1단계에서의 몰리브덴 전극층의 두께는 0
8 8
삭제
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제1항에 있어서, 상기 제B단계의 도포는 스핀 코터(spin coater)를 이용하여 500∼1000rpm으로 수행함을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 제C단계의 건조는 75∼85℃의 온도로 55∼65분 동안 건조하는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
13 13
제1항에 있어서, 상기 제C단계의 확산은 200∼400℃로 열처리하여 확산시키는 것임을 특징으로 하는 씨아이지에스(CIGS)의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.