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플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판

  • 기술번호 : KST2014055934
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판에 관한 것으로, 상세하게는 기판 표면에 플라즈마를 조사하여 기판을 전처리하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 전처리된 기판상에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 금속 배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 제조된 고분자 층을 단계 1의 기판과 분리시키는 단계(단계 4);를 포함하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법은 금속 배선을 유연기판 내부에 삽입된 형태로 형성시킬 수 있으며, 금속 배선의 높이에 제한되지 않고 낮은 저항의 배선을 형성시킬 수 있다. 또한, 기판 표면을 플라즈마 처리함에 따라 상기 기판으로부터 금속배선이 함몰된 유연기판을 깨끗하게 박리시킬 수 있다. 나아가, 상기 플라즈마 처리를 통해 기판 표면의 불순물을 제거할 수 있으며, 별도의 공정없이 물리적인 힘을 가하여 상기 기판으로부터 금속배선이 함몰된 유연기판을 쉽게 제거할 수 있다.
Int. CL H05K 1/02 (2006.01) H05K 3/20 (2006.01) H05K 3/46 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020120053626 (2012.05.21)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1161301-0000 (2012.06.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120704) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구
2 김도근 대한민국 경남 창원시 성산구
3 김종국 대한민국 경남 창원시 성산구
4 정성훈 대한민국 서울 은평구
5 이승훈 대한민국 서울 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.05.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0403774-13
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0408749-32
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2012.05.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2012.05.30 수리 (Accepted) 9-1-2012-0042814-82
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.06.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0361973-64
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
기판 표면에 플라즈마를 조사하여 기판을 전처리하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 전처리된 기판상에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 금속 배선이 형성된 기판 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 제조된 고분자 층을 단계 1의 기판과 분리시키는 단계(단계 4);를 포함하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 플라즈마는 Ar, N2O, CF4, CH4, C2H2, H2O, C2H5OH, 헥사메틸디실록산(hexamethyldisiloxane, HMDSO) 및 테트라메틸실란(tetramethylsilane, TMS)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 플라즈마인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 45 내지 150 °인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 단계 1에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 45 내지 90 °인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
5 5
제3항에 있어서, 상기 단계 1에서 전처리된 기판 표면의 물에 대한 접촉각이 90 내지 150 °인 경우, 상기 단계 3에서 경화성 고분자를 코팅하기 전, 금속 배선이 형성된 기판 표면에 추가로 플라즈마를 조사하는 단계를 더 포함하는 것을 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
6 6
제5항에 있어서, 전처리된 기판 표면에 추가로 플라즈마가 조사된 상기 금속 배선이 형성된 기판 표면의 물에 대한 접촉각은 0 내지 90 °인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 금속 배선은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 금속 배선은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합물을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
9 9
제1항에 있어서, 상기 단계 2의 금속 배선은 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 경화성 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 경화는 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 건조경화, 화학반응경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 또는 냉각경화인 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
12 12
제1항에 있어서, 상기 단계 3에서 제조된 고분자 층과 상기 단계 1의 기판은 물리적 힘을 가함으로써 분리되는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법
13 13
제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조되어 고분자 층 및 금속 배선이 순차적으로 적층되고 상기 금속 배선은 상기 고분자 층 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
14 14
제13항에 있어서, 상기 유연 기판은 태양전지, 면조명, e-페이퍼, 터치패널 또는 디스플레이 기판으로 이용되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
15 15
제13항에 있어서, 상기 유연 기판은 인쇄 배선 기판(Printed Wiring Board, PCB), 태양전지용 기판, 디스플레이용 기판, 전파식별 기판(Radio Frequency Identification, RFID), 센서용 기판 또는 이차전지용 기판 소재의 보조전극으로 이용되는 것을 특징으로 하는 금속 배선이 함몰된 유연 기판
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