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1
서로 대향 배치되는 음극과 양극; 및 상기 음극과 양극 사이에 배치되는 유기 광활성층을 포함하는 유기 태양전지에 있어서, 상기 유기 광활성층이 도너(donor), 억셉터(acceptor) 및 금속 나노입자 표면에 탄소나노입자가 부착된 성게 모양의 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 양극 및 유기 광활성층 사이에 전도성 고분자층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제 2항에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)):PSS(poly(stylenesulfonate)) 또는 이의 유도체인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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4 |
4
서로 대향 배치되는 음극과 양극; 상기 음극과 양극 사이에 배치되는 유기 광활성층; 및 상기 광활성층과 양극 사이에 배치되는 전도성 고분자층을 포함하는 유기 태양전지에 있어서, 상기 전도성 고분자층이 도너(donor), 억셉터(acceptor) 및 금속 나노입자 표면에 탄소나노입자가 부착된 성게 모양의 탄소나노튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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5 |
5
제1항에 있어서, 상기 금속 나노입자의 직경은 10 내지 500 nm이고, 금속 나노입자 표면에 형성된 탄소나노튜브의 길이는 1 내지 500 nm인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 음극은 리튬플로라이드와 알루미늄 적층(LiF/Al), 칼슘과 알루미늄 적층(Ca/Al), 알루미늄, 은, 금, 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택된 금속 물질로 형성된 금속판인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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7
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 양극은 기판 상에 형성된 투명 전도성 산화물(TCO)을 포함하는 투명 전극인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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8
제7항에 있어서, 상기 투명 전도성 산화물은 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드 (AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO), 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드 (AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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9
제7항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 플렉시블 고분자 기판 및 플렉시블 금속 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 기판인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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삭제
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 도너는 폴리티오팬, 폴리피롤, 폴리비닐카바졸, 폴리아닐린, 폴리아세틸렌, 폴리페닐렌비닐렌, P3HT(poly-3-hexylthiophene), MDMO-PPV 및 MEH-PPV로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 억셉터는 풀로렌 유도체(PCBM, C60), poly(9,9-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole) (F8BT), CdS, CdSe, CdTe, ZnSe, TiO2, 및 ZnO로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지
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13
기판 상에 양극을 적층하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 기판 상에 적층된 양극 상에 금속 나노입자 표면에 탄소나노입자가 부착된 성게 모양의 탄소나노튜브, 도너 및 억셉터를 포함하는 유기 광활성층을 적층하는 단계(단계 2);
상기 단계 2의 유기 광활성층 상에 음극을 적층하는 단계(단계 3); 및
상기 단계 3의 음극 상에 투명보호막을 적층하는 단계(단계 4)
를 포함하는 유기 태양전지의 제조방법
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14
제13항에 있어서, 상기 단계 1의 기판은 유리 기판, 플렉시블 고분자 기판 및 플렉시블 금속 기판으로 이루어진 군으로부터 선택된 기판인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 단계 1에서 기판 상에 적층된 양극은 인듐-주석 산화물(ITO), 인듐-아연 산화물(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드 (AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드 (IZTO-Ag-IZTO), 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드 (AZO-Ag-AZO)로 이루어진 군으로부터 선택되는 투명 전도성 산화물을 스퍼터링 또는 진공 열증착하여 형성되는 것을 특징으로 유기 태양전지의 제조방법
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16
제13항에 있어서, 상기 단계 2에서의 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS층 또는 이의 유도체층인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 단계 2에서의 유기 광활성층은 상기 양극에 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅, 스프레이 코팅, 스크린 인쇄 및 닥터 블레이드법으로 이루어진 군으로부터 선택된 방법을 사용하여 200 내지 2000 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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18
제13항에 있어서, 상기 단계 3에서 형성되는 음극은 리튬플로라이드와 알루미늄 적층(LiF/Al), 칼슘과 알루미늄 적층(Ca/Al), 알루미늄, 은, 금, 및 구리로 이루어진 군으로부터 선택된 금속판인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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기판 상에 양극을 적층하는 단계(단계 1);
상기 단계 1에서 기판 상에 적층된 양극 상에 전도성 고분자층을 적층하는 단계(단계 2);
상기 단계 2의 전도성 고분자층 상에 금속 나노입자 표면에 탄소나노입자가 부착된 성게 모양의 탄소나노튜브, 도너 및 억셉터를 포함하는 유기 광활성층을 적층하는 단계(단계 3);
상기 단계 3의 유기 광활성층 상에 음극을 적층하는 단계(단계 4); 및
상기 단계 4의 음극 상에 투명보호막을 적층하는 단계(단계 5)
를 포함하는 유기 태양전지의 제조방법
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20
제19항에 있어서, 상기 전도성 고분자층은 PEDOT:PSS층 또는 이의 유도체층인 것을 특징으로 하는 유기 태양전지의 제조방법
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