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태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014055963
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는, i) 제1 도전층, ii) 제1 도전층 위에 위치하고, 제1 도전층의 판면에 교차하는 방향으로 뻗으며, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들, iii) 제1 도전층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들 사이의 공간에 충전된 수지층, iv) 수지층 위에 위치하고, 복수의 나노 구조체들을 덮는 하나 이상의 반도체층, 및 v) 반도체층을 덮고, 제1 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 제2 도전층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020110051965 (2011.05.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1230639-0000 (2013.01.31)
공개번호/일자 10-2011-0132274 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20130206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100051094   |   2010.05.31
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.31)
심사청구항수 38

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 강남구
2 지상원 대한민국 경기도 의왕시
3 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 박광태 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 정진영 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0407863-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.25 수리 (Accepted) 9-1-2012-0050990-31
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0407236-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0750807-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0750808-16
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0022920-83
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 전극으로서 광이 입사되어 투과되는 제1 도전층,상기 제1 도전층 위에 위치하고, 상기 제1 도전층의 판면에 교차하는 방향으로 뻗으며, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들,상기 제1 도전층 위에 위치하고, 상기 복수의 나노 구조체들 사이의 공간에 충전된 수지층,상기 수지층 위에 위치하고, 상기 복수의 나노 구조체들을 덮는 하나 이상의 반도체층, 및상기 반도체층을 덮고, 상기 제1 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 제2 도전층을 포함하고,상기 복수의 나노 구조체들의 직경은 상기 제1 도전층의 판면으로부터 멀어질수록 작아지는 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들의 표면 위에 위치하고, 상기 수지층과 접하는 유전체층을 더 포함하는 태양 전지
3 3
제1항에 있어서,상기 제2 도전층의 두께는 20㎛ 내지 100㎛인 태양 전지
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 도전층 위에 위치하고, 상기 복수의 나노 구조체들의 하단과 접하는 하나 이상의 전자 이송체를 더 포함하는 태양 전지
5 5
제4항에 있어서,상기 제2 도전층 및 상기 전자 이송체는 상호 동일한 금속을 포함하는 태양 전지
6 6
제5항에 있어서,상기 금속은 알루미늄(Al), 은(Ag), 니켈(Ni), 금(Au) 및 백금(Pt)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 원소인 태양 전지
7 7
제4항에 있어서,상기 하나 이상의 전자 이송체는 복수의 전자 이송체들을 포함하고, 상기 복수의 전자 이송체들은 상호 이격된 태양 전지
8 8
제7항에 있어서,상기 전자 이송체의 평균 직경은 상기 복수의 나노 구조체들의 평균 직경보다 큰 태양 전지
9 9
제4항에 있어서,상기 전자 이송체는 상기 제1 도전층을 덮고, 상기 전자 이송체는 p+형 반도체 물질 또는 n+형 반도체 물질을 포함하는 태양 전지
10 10
제9항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체층은 복수의 반도체층들을 포함하고, 상기 복수의 반도체층들 중 상기 전자 이송체와 접하는 반도체층은 진성 물질을 포함하는 태양 전지
11 11
제1항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체층은 복수의 반도체층들을 포함하고, 상기 복수의 반도체층들 중 하나 이상의 반도체층은,상기 복수의 제1 나노 구조체들 위에 위치한 복수의 제1 반도체부들, 및상기 제1 반도체부와 연결되어 일체로 형성되고, 상기 수지층 위에 위치하는 제2 반도체부를 포함하고,상기 복수의 제1 반도체부들의 상단부들간의 폭은 100nm 내지 2㎛인 태양 전지
12 12
제1항에 있어서,상기 제2 도전층을 덮고, 상기 수지층의 측면과 접하는 커버층을 더 포함하는 태양 전지
13 13
제12항에 있어서,상기 커버층 내부에 위치하고, 상기 제2 도전층과 접촉하여 상기 제2 도전층을 외부와 전기적으로 연결시키는 컨택 전극을 더 포함하는 태양 전지
14 14
제1항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 반도체 물질을 포함하는 태양 전지
15 15
제1항에 있어서,상기 제1 도전층의 두께는 30nm 내지 300nm인 태양 전지
16 16
제2항에 있어서,상기 유전체층은 산화알루미늄(Al2O3), 질화실리콘(SiNx), 탄화실리콘(SiC) 및 이산화실리콘(SiOx)으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질을 포함하는 태양 전지
17 17
제1 도전층,상기 제1 도전층 위에 위치하고, 상기 제1 도전층의 판면에 교차하는 방향으로 뻗으며, 상호 이격된 복수의 나노 구조체들,상기 복수의 나노 구조체들을 덮는 복수의 반도체층들, 및상기 복수의 반도체층들을 덮고, 상기 제1 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 제2 도전층을 포함하고,상기 복수의 반도체층들 중 하나 이상의 반도체층은,상기 복수의 제1 나노 구조체들 위에 위치한 복수의 제1 반도체부들, 및상기 복수의 제1 반도체부들과 연결되어 일체로 형성되고, 상기 제1 도전층 위에 위치하는 제2 반도체부를 포함하는 태양 전지
18 18
제1항 또는 제17항에 있어서,가시광선영역에서 상기 제2 도전층의 광투과율은 상기 제1 도전층의 광투과율보다 90% 내지 99% 낮은 태양 전지
19 19
제18항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들의 직경은 상기 제1 도전층의 판면으로부터 멀어질수록 작아지고,상기 복수의 나노 구조체들은, 입사되는 광을 가두도록 적용된 제1 나노 구조체, 및 제1 나노 구조체와 함께 위치하고, 입사되는 광을 전력으로 변환하도록 적용된 제2 나노 구조체를 포함하는 태양 전지
20 20
제17항에 있어서,상기 제1 도전층 및 상기 복수의 나노 구조체들 사이에 위치하는 또다른 반도체층을 더 포함하는 태양 전지
21 21
제20항에 있어서,상기 또다른 반도체층은 n+형 반도체 물질 또는 p+형 반도체 물질을 포함하는 태양 전지
22 22
제20항에 있어서,상기 또다른 반도체층과 접하는 상기 복수의 나노 구조체들의 하면은 울퉁불퉁하게 형성된 태양 전지
23 23
제17항에 있어서,상기 제1 도전층 아래에 위치하는 반사 방지막을 더 포함하는 태양 전지
24 24
기판과 상기 기판 위에 위치하고 상호 이격된 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계,상기 기판 위에 위치하고 상기 복수의 나노 구조체들 사이의 공간을 충전시키는 수지층을 제공하는 단계,상기 수지층의 상부를 식각하여 상기 복수의 나노 구조체들을 부분적으로 노출시키는 단계,상기 노출된 복수의 나노 구조체들 위에 하나 이상의 반도체층을 제공하는 단계,상기 반도체층 위에 도전층을 제공하는 단계,상기 도전층을 덮는 커버층을 제공하는 단계,상기 기판을 분리시키는 단계, 및상기 수지층 아래에 상기 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 또다른 도전층을 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
25 25
제24항에 있어서,상기 수지층과 접하고, 상기 복수의 나노 구조체들의 표면 위에 위치하는 유전체층을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 복수의 나노 구조체들을 부분적으로 노출시키는 단계에서, 상기 유전체층 중 상기 수지층의 상부와 접하는 유전체층을 식각하는 태양 전지의 제조 방법
26 26
제25항에 있어서,상기 반도체층 위에 도전층을 제공하는 단계에서, 상기 도전층을 상기 반도체층 위에 무전해 도금하는 태양 전지의 제조 방법
27 27
제25항에 있어서,상기 기판을 분리시키는 단계 후에,상기 수지층을 식각하여 상기 복수의 나노 구조체들의 하단을 외부 노출시키는 홀을 상기 수지층에 형성하는 단계, 및상기 홀에 전자 이송체를 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
28 28
제27항에 있어서,상기 전자 이송체를 제공하는 단계에서, 상기 전자 이송체는 무전해 도금되어 제공되는 태양 전지의 제조 방법
29 29
제25항에 있어서,상기 기판과 상기 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 나노 구조체들의 직경은 상기 기판의 판면으로부터 멀어질수록 작아지게 제공된 태양 전지의 제조 방법
30 30
제29항에 있어서,상기 기판과 상기 복수의 나노 구조체들은 무전해 식각되어 일체로 제공된 태양 전지의 제조 방법
31 31
제30항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들은 추가적으로 식각된 태양 전지의 제조 방법
32 32
제25항에 있어서,상기 커버층을 제공하는 단계에서, 상기 커버층은 수지를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
33 33
제25항에 있어서,상기 하나 이상의 반도체층을 제공하는 단계에서, 상기 하나 이상의 반도체층은 복수의 반도체층들을 포함하고, 상기 복수의 반도체층들은 이온 도핑되어 형성된 태양 전지의 제조 방법
34 34
제25항에 있어서,상기 도전층을 제공하는 단계 후에 상기 도전층 위에 상기 도전층과 접촉하여 상기 도전층을 외부와 전기적으로 연결시키는 컨택 전극을 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
35 35
기판과 상기 기판 위에 위치하고 상호 이격된 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계,상기 복수의 나노 구조체들 위에 하나 이상의 반도체층을 제공하는 단계,상기 반도체층 위에 도전층을 무전해 도금하여 제공하는 단계,상기 도전층을 덮는 커버층을 제공하는 단계,상기 기판을 분리시키는 단계, 및상기 복수의 나노 구조체들 아래에 상기 도전층의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 또다른 도전층을 제공하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
36 36
제35항에 있어서,상기 복수의 나노 구조체들 및 상기 또다른 도전층 사이에 또다른 반도체층을 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
37 37
제36항에 있어서,상기 또다른 반도체층을 제공하는 단계에서, 상기 또다른 반도체층은 p+형 반도체 물질 또는 n+형 반도체 물질을 포함하는 태양 전지의 제조 방법
38 38
제35항에 있어서,상기 또다른 도전층 아래에 반사 방지막을 제공하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 원천기술개발사업(미래유망파이오니어사업) PV-TE 소자 융합