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기판 상에 상기 기판 표면에 대해 평행하게 배향되어 적층된 제1 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층 및 제2 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층을 포함하는 박막 구조체
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제1항에 있어서, 광학 활성 이온이 Eu3+, Tb3+, Pr3+, Nd3+, Pm3+, Sm3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Yb3+ 또는 Lu3+ 인 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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제1항에 있어서, 기판 상에 형성된 박막의 두께가 1 nm 내지 1 μm인 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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제1항에 있어서, 제1 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층 및 제2 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층이 한 층씩 교대로 적층된 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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제1항에 있어서, 제1 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층이 1 내지 1000 층 적층된 다음, 그 위에 제2 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층이 1 내지 1000 층 적층된 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 광학 활성 이온이 Eu3+이고, 제2 광학 활성 이온이 Tb3+인 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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제1항에 있어서, 상기 기판 표면에 대해 평행하게 배향되어 적층된 제3 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층, 제4 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층 및 제5 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층으로 구성된 군으로부터 선택된 하나 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 구조체
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기판 상에 상기 기판 표면에 대해 평행하게 배향되어 적층된 제1 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층 및 제2 광학 활성 이온이 도핑된 가돌리늄 옥시클로라이드(GdOCl) 나노시트 층을 포함하는 박막 구조체의 제조방법으로서, (i) 기판 상에 음이온성 고분자 및 제1 광학 활성 이온이 도핑된 층상 가돌리늄 히드록사이드(LGdH)를 순차적으로 층상 증착(layer-by-layer deposition)시키는 공정을 수행하여, 상기 기판 상에 음이온성 고분자 층과 제1 광학 활성 이온이 도핑된 LGdH 나노시트 층이 평행하게 적층된 필름을 수득하는 단계; (ii) 상기 필름 상에 다시 음이온성 고분자 및 제2 광학 활성 이온이 도핑된 층상 가돌리늄 히드록사이드(LGdH)를 순차적으로 층상 증착시키는 공정을 수행하여, 상기 필름 상에 음이온성 고분자 층과 제2 광학 활성 이온이 도핑된 LGdH 나노시트 층이 평행하게 적층된 복층 필름을 수득하는 단계; 및(iii) 상기 복층 필름을 어닐링시키는 단계를 포함하는 제조방법
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제8항에 있어서, 기판이 유리, 석영, 실리콘, 실리카, 운모 또는 ITO인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 음이온성 고분자가 폴리(스티렌 설포네이트 소듐 염)(poly(styrene sulfonate sodium salt): PSS), 폴리(아크릴산 소듐 염)(poly(acrylic acid sodium salt): PAA), 폴리(비닐설페이트 소듐 염)(poly(vinylsulfate sodium salt): PVS) 또는 폴리(아닐린프로판술폰산 소듐 염)(poly(aniline propanesulfonate sodium salt): PAPSA)인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 광학 활성 이온이 도핑된 층상 가돌리늄 히드록사이드(LGdH)가 하기 화학식 (I)로 표시되는 것을 특징으로 하는 제조방법: Gd2-xMx(OH)5Y·nH2O (I)상기 식에서, M은 광학 활성 이온이고, x는 0
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12
제11항에 있어서, M이 Eu3+, Tb3+, Pr3+, Nd3+, Pm3+, Sm3+, Dy3+, Ho3+, Er3+, Yb3+ 또는 Lu3+이고,Y는 Cl-이며,n은 1 내지 3인 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 단계 (i)을 반복한 다음, 단계 (ii)를 반복하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 단계 (i)과 단계 (ii)를 한 세트로 반복하는 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항에 있어서, 단계 (iii)에서 어닐링이 450 내지 600 ℃에서 수행되는 것 것을 특징으로 하는 제조방법
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제8항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 제1 광학 활성 이온이 Eu3+이고, 제2 광학 활성 이온이 Tb3+인 것을 특징으로 하는 제조방법
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