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광 저장 장치에 있어서,일정한 직경을 가지는 제1 도체와,상기 제1 도체와 소정거리 이격되어 상호 대향하게 위치하는 제3 도체와, 상기 제1 도체의 일측에 위치하여 기설정된 임계 이하의 저저항 상태에서 전하의 양을 인식하고 상기 인식된 전하량에 따라 저항이 가변되는 제1 저항성 메모리와,상기 제1 저항성 메모리와 연결되어 기설정된 임계 이상의 고저항 상태에서 전하의 양을 인식하고 상기 인식된 전하량에 따라 저항이 가변되는 제2 저항성 메모리와,상기 제2 저항성 메모리와 연결되고, 상기 제1 도체와 소정거리 이격되어 직각을 이루는 제2 도체와,상기 제2 도체 위에 형성되어 광을 증폭 혹은 흡수하는 액티브영역의 양단에 배치된 제1 및 제2 반도체층으로 형성된 레이저다이오드(Laser Diode, LD)와,상기 액티브 영역과 연결되어 LD로부터 방출되는 광을 전송하는 광 웨이브가이드(Photonic waveguide)를 포함함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 도체는,상기 제1 및 3 도체, 상기 제1 및 제2 저항성 메모리, 상기 LD 및 상기 광 웨이브가이드를 포함하는 적어도 하나 이상의 광 저장 장치를 어레이로 연결함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 반도체층은,전자보다 홀(hole)이 많은 P타입 반도체임을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 반도체층은,홀보다 전자가 많은 N타입 반도체임을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 저항성 메모리는,전원의 공급이 차단된 경우 직전의 전류의 방향과 양을 기억하고, 상기 전원이 재공급된 경우 상기 기억의 상태를 복원함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서,상기 제2 도체를 통해 제1 반도체층과 제2 저항성 메모리를 연결하고, 상기 제1 반도체층 위에 유리기판을 적층하여 상기 제2 저항성 메모리 사이에 상기 광 웨이브가이드를 삽입하는 경우 광이 제1 반도체층에서 광이 방출되는 OLED(Organic LED)로 동작함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제1 저항성 메모리는,상기 제1 도체에 양(+)의 전압이 인가되는 경우 온(ON)상태가 되어 상기 LD로부터 광이 방출되도록 제어함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제1항에 있어서, 상기 제2 저항성 메모리는,상기 제1 도체에 음(-)의 전압이 인가되는 경우 오프(OFF)상태가 되어 상기 LD로부터 광 방출이 차단되도록 제어함을 특징으로 광 저장 장치
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제7항 또는 제8항에 있어서,상기 제3 도체는 개방되고, 상기 제2 도체는 접지 상태임을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제2항에 있어서, 상기 제2 도체로 어레이로 연결된 적어도 하나 이상의 광 저장 장치는 다수의 비트의 광이 저장 가능함을 특징으로 하는 광 저장 장치
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제2항에 있어서, 상기 제2 도체로 어레이로 연결된 적어도 하나 이상의 광 저장 장치에서 각 LD가 서로 다른 파장의 광을 방사하여 상기 광 웨이브가이드에 여러 파장의 저장된 데이터를 동시에 전송할 수 있음을 특징으로 하는 광 저장 장치
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