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p-n 접합 Zno LED 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056199
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 p-n 접합을 이루는 p형 ZnO와 n형 ZnO로 이루어진 ZnO LED 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 인쇄전자(Printed Electronics) 기술을 이용하여 p형 ZnO와 n형 ZnO 나노분말이 포함된 나노잉크를 각각 종횡으로 프린트하여 격자점에 p-n 접합이 형성되도록 하거나 또는 기판 위에 n형 ZnO의 시드층(seed layer)을 형성하고 수열합성법(hydrothermal method)으로 n형 ZnO 나노로드를 성장시킨 후 여기에 p형 ZnO를 증착시켜 수직방향의 p-n 접합을 형성시키는 p-n 접합 ZnO LED에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/28 (2014.01)
CPC H01L 33/28(2013.01) H01L 33/28(2013.01)
출원번호/일자 1020110052767 (2011.06.01)
출원인 제주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1285475-0000 (2013.07.05)
공개번호/일자 10-2012-0133873 (2012.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20130712) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배진호 대한민국 제주특별자치도 제주시 금월길 **
2 김상재 대한민국 제주특별자치도 제주시 아라
3 라니스 모한 대한민국 제주특별자치도 제주시 제주대학로 *
4 이종현 대한민국 제주특별자치도 제주시 대원길

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 에이치엠피 대한민국 서울특별시 중구 세종대로*길 **, *층 (서소문동, 부영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 제주대학교 산학협력단 제주특별자치도 제주시 제주
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0412640-70
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2012.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0137612-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.19 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047019-62
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0482878-84
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0848970-14
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0948053-95
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1058133-97
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1058132-41
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5043519-53
11 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.04.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0226536-82
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0333537-68
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0333539-59
14 등록결정서
Decision to grant
2013.07.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0460702-98
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 위에 형성된 하부전극, 상기 하부전극 위에 형성된 n형 ZnO, 상기 n형 ZnO 위에 p-n 접합을 이루도록 형성된 p형 ZnO 및 상기 p형 ZnO 위에 형성된 상부전극을 포함하는 p-n 접합 ZnO LED로서, 상기 하부전극은 수직 및 수평간격이 일정한 격자배열을 이루도록 이산되게 형성되고; 상기 n형 ZnO 및 p형 ZnO는 나노 스트립으로서 상기 하부전극 위에서 p-n 접합을 이루는 교차점을 이루도록 종횡으로 형성되며;상기 상부전극은 상기 p형 ZnO 및 n형 ZnO 나노 스트립의 p-n 접합 위에 형성하되;상기 n형 ZnO 및 p형 ZnO의 나노 스트립은 각각 n형 ZnO 및 p형 ZnO의 나노분말이 분산된 나노잉크를 사용하는 잉크젯 프린트 장치에 의해 상기 기판상에 프린트되어 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 ZnO LED
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 p-n 접합은 열확산에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 ZnO LED
5 5
제1항에 있어서,상기 하부전극은 Au/Ti(Au막, Ti막 순차 적층, 이하 동일)기판, 상기 기판 위에 형성된 하부전극, 상기 하부전극 위에 형성된 n형 ZnO, 상기 n형 ZnO 위에 p-n 접합을 이루도록 형성된 p형 ZnO 및 상기 p형 ZnO 위에 형성된 상부전극을 포함하는 p-n 접합 ZnO LED로서, 상기 하부전극은 수직 및 수평간격이 일정한 격자배열을 이루도록 이산되게 형성되고; 상기 n형 ZnO 및 p형 ZnO는 나노 스트립으로서 상기 하부전극 위에서 p-n 접합을 이루는 교차점을 이루도록 종횡으로 형성되며;상기 상부전극은 상기 p형 ZnO 및 n형 ZnO 나노 스트립의 p-n 접합 위에 형성하되;상기 n형 ZnO 및 p형 ZnO의 나노 스트립은 각각 n형 ZnO 및 p형 ZnO의 나노분말이 분산된 나노잉크를 사용하는 잉크젯 프린트 장치에 의해 상기 기판상에 프린트되어 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 ZnO LED
6 6
제1항에 있어서,상기 상부전극은 Au/Ni(Au막, Ni막 순차 적층, 이하 동일) 합금 또는 그래핀 소재로 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 ZnO LED
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 상부전극 및 하부전극은 전극재질의 나노분말이 분산된 나노잉크를 사용하는 잉크젯 프린트 장치에 의해 프린트되어 형성되는 것을 특징으로 하는 p-n 접합 ZnO LED
8 8
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9 9
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10 10
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11 11
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12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.