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나노와이어 내부에 귀금속을 불연속적으로 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화갈륨 나노와이어

  • 기술번호 : KST2014056246
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노와이어 내부에 귀금속을 불연속적으로 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화갈륨 나노와이어에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 기판에 귀금속을 코팅하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 귀금속이 코팅된 기판을 불활성 분위기에서 가열하는 단계 (단계 2); 상기 단계 2에서 가열된 기판에 불활성 기체 및 산소가 흐르는 분위기에서 질화갈륨 분말을 기상으로 공급하여, 귀금속이 코어를 이루고 질화갈륨이 산화된 산화갈륨이 쉘을 이루는 나노와이어를 형성하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 형성된 나노와이어를 냉각한 후, 다시 냉각된 나노와이어를 불활성 분위기에서 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하는 내부에 귀금속을 불연속적으로 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명을 통해 제조된 나노와이어 내부에 귀금속을 불연속적으로 포함하는 산화갈륨 나노와이어는 열처리를 통하여 발광특성을 향상시켜 보라색 발광을 강화할 수 있어, 콤팩트디스크(CD) 및 디지털 다기능 디스크(DVD)의 저장용량을 증대시킬 수 있는 단파장 발광소자, 백색 조명의 구현에 활용될 수 있는 단파장 발광 다이오드(LED)에도 활용될 수 있다.
Int. CL C23C 14/08 (2006.01) B22F 1/02 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01) B22F 5/12(2013.01)
출원번호/일자 1020120034415 (2012.04.03)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1348728-0000 (2013.12.31)
공개번호/일자 10-2013-0112203 (2013.10.14) 문서열기
공고번호/일자 (20140110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.03)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기 고양시 일산동구
2 진창현 대한민국 인천 남구
3 김현수 대한민국 경기 남양주시
4 박성훈 대한민국 인천 부평구
5 안소연 대한민국 인천 남동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0266617-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.02 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0065297-94
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0598588-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0975047-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0975169-49
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0975171-31
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.28 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0975073-65
9 보정요구서
Request for Amendment		 2013.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0137068-07
10 [지정기간단축]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Reduction of Designated Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.11.08 수리 (Accepted) 1-1-2013-1019068-03
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2013.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0143411-51
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0902123-18
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판에 귀금속을 코팅하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 귀금속이 코팅된 기판을 불활성 분위기에서 가열하는 단계 (단계 2);상기 단계 2에서 가열된 기판에 불활성 기체 및 산소가 흐르는 분위기에서 질화갈륨 분말을 기상으로 공급하여, 귀금속이 코어를 이루고 질화갈륨이 산화된 산화갈륨이 쉘을 이루는 나노와이어를 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 나노와이어를 냉각한 후, 냉각된 나노와이어를 불활성 분위기에서 다시 열처리하는 단계(단계 4);를 포함하고, 상기 단계 3의 산소와 불활성기체의 부피 비율은 1:99 ~ 10:90의 범위인 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 귀금속은 금, 은 및 백금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 기판에 귀금속을 코팅하는 방법으로 물리기상증착(Physical vapor deposition)을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 단계 1의 기판은 (100) 또는 (111) 방향의 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계 2의 가열은 800℃ ~ 1200℃ 범위의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 단계 3은 1 torr ~ 10 torr의 압력 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
7 7
삭제
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 단계 4의 열처리는 500 ~ 1000℃ 범위에서 50 ~ 70분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어의 제조방법
9 9
제 1 항의 방법으로 제조되고, 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 산화갈륨 나노와이어는 보라색 파장에서 발광하는 것을 특징으로 하는 나노와이어 내부에 불연속적으로 귀금속을 포함하는 산화갈륨 나노와이어
11 11
제 9 항의 산화갈륨 나노와이어를 포함하는 광전소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 도약연구 나노다공성 실리콘 기반 차세대 암진단 및 치료기술