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오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택

기술번호 : KST2014056333
담당센터 : 광주기술혁신센터
전화번호 : 062-360-4654

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택이 제공된다. 본 발명에 따른 오믹 컨택 제조방법은 n-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계; 상기 식각처리된 n-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속층 및 n-GaN층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 발명에 따르면, KOH에 의한 습식 식각 공정-금속박막 증착 공정-열처리 공정을 연속적으로 진행함으로써 개선된 오믹 컨택 특성을 갖는 반극성(Semipolar) 또는 비극성(nonpolar) n-GaN 기반 소자를 제조할 수 있었다.
Int. CL	H01L 33/22 (2014.01) H01L 33/32 (2014.01) H01L 33/16 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC
출원번호/일자	1020120090557 (2012.08.20)
출원인	전북대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1317106-0000 (2013.10.02)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20131011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.08.20)
심사청구항수	14

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단	대한민국	전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김현수	대한민국	전라북도 전주시 완산구
2	이성남	대한민국	경기도 시흥시 산기
3	정성민	대한민국	전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 다해	대한민국	서울특별시 강남구 삼성로**, 층(삼성동,고운빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	전북대학교산학협력단		전라북도 전주시 덕진구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2012.08.20	수리 (Accepted)	1-1-2012-0663518-62
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
3	[출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment	2012.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0912153-75
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.06.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0044111-85
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.06.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0421217-07
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.08.02	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0701719-58
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.08.02	수리 (Accepted)	1-1-2013-0701718-13
9	등록결정서 Decision to grant	2013.09.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0679156-37
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
15	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 n-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계; 상기 식각처리된 n-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속층 및 n-GaN층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 n-GaN층은 반극성 또는 비극성 n-GaN을 포함하는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
3	3 제 2항에 있어서, 상기 반극성 n-GaN층은 (11-22), (10-11), (20-21) 또는 (30-31) 결정구조를 갖는 것을 특징으로 하는 사파이어 기판 위에 성장한 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
4	4 제 2항에 있어서, 상기 비극성 n-GaN층은 (11-20), (10-11), (11-22) 결정구조의 사피이어 기판 위에 성장한 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
5	5 제 3항에 있어서, 상기 오믹 컨택은 반극성 n-GaN층과 금속층사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
6	6 제 1항에 있어서, 상기 금속층은 Ti/Al인 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 n-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계에 따라 상기 n-GaN층 표면에는 요철구조가 형성되는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 열처리는 단계는, 질소 분위기에서 섭씨 200 - 900도로 진행되는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
9	9 제 1항에 있어서, 상기 n-GaN층은 기판상에 적층된 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 n-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계는, 상기 기판상에 적층된 상기 n-GaN층을 KOH 용액과 접촉시키는 습식 식각 방식으로 진행되는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택 제조방법
11	11 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따라 제조된 오믹 컨택
12	12 제 11항에 있어서, 상기 오믹 컨택은 반극성 n-GaN층과 금속층 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 오믹 컨택
13	13 제 12항에 따른 오믹 컨택을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자소자
14	14 제 13항에 있어서, 상기 전자소자는 LED 소자 또는 전력소자인 것을 특징으로 하는 전자소자

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2014030816	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	WO2014030816	WO	세계지적재산권기구(WIPO)	DOCDBFAMILY

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	교육과학기술부	한국산업 기술대학교	중견연구자 지원사업	반극성 질화물계 녹색 LED개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1317106-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20120820 출원 번호 : 1020120090557 공고 연월일 : 20131011 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130930 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택 존속기간(예정)만료일 : 20181003

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	295,500 원	2013년 10월 02일	납입
제 4 년분	금 액	243,600 원	2016년 09월 21일	납입
제 5 년분	금 액	243,600 원	2017년 09월 25일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2012.08.20	수리 (Accepted)	1-1-2012-0663518-62
2	출원인정보변경(경정)신고서	2012.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2012-5206243-46
3	[출원서등 보정]보정서	2012.11.06	수리 (Accepted)	1-1-2012-0912153-75
4	선행기술조사의뢰서	2013.05.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2013.06.07	수리 (Accepted)	9-1-2013-0044111-85
6	의견제출통지서	2013.06.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0421217-07
7	[명세서등 보정]보정서	2013.08.02	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0701719-58
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.08.02	수리 (Accepted)	1-1-2013-0701718-13
9	등록결정서	2013.09.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0679156-37
10	출원인정보변경(경정)신고서	2016.01.29	수리 (Accepted)	4-1-2016-5013206-34
11	출원인정보변경(경정)신고서	2019.02.27	수리 (Accepted)	4-1-2019-5038917-11
12	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146985-61
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5146986-17
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.10.22	수리 (Accepted)	4-1-2019-5219602-91
15	출원인정보변경(경정)신고서	2020.07.06	수리 (Accepted)	4-1-2020-5149086-79


기술번호	KST2014056333
자료제공기관	NTB
기술공급기관	전북대학교
기술명	오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택
기술개요	오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택이 제공된다. 본 발명에 따른 오믹 컨택 제조방법은 n-GaN층 표면을 KOH로 식각처리하는 단계; 상기 식각처리된 n-GaN층 상에 금속층을 적층하는 단계; 및 상기 금속층 및 n-GaN층을 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 발명에 따르면, KOH에 의한 습식 식각 공정-금속박막 증착 공정-열처리 공정을 연속적으로 진행함으로써 개선된 오믹 컨택 특성을 갖는 반극성(Semipolar) 또는 비극성(nonpolar) n-GaN 기반 소자를 제조할 수 있었다.
개발상태	기술개발진행중
기술의 우수성
응용분야	반극성 또는 비극성 n-GaN 기반 소자 제조
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345155376
세부과제번호	2010-0026523
연구과제명	반극성 질화물계 녹색 LED 개발
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	한국산업기술대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201009~201308
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ET(환경기술)


과제고유번호	1345155376
세부과제번호	2010-0026523
연구과제명	반극성 질화물계 녹색 LED 개발
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	한국산업기술대학교 산학협력단
성과제출연도	2011
연구기간	201009~201308
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	ET(환경기술)

특허성과

[1020120090557]	오믹 컨택 제조방법 및 이에 의하여 제조된 오믹 컨택	새창보기
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