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백금－산화갈륨 나노선, 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서

  • 기술번호 : KST2014056371
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire), 이의 제조방법 및 이를 이용한 가스센서에 관한 것이다.이를 위하여 본 방법은 질화갈륨(GaN) 분말을 원료로 산화갈륨 나노선을 제조하는 단계(단계 1); 백금 박막을 상기 단계 1에서 제조된 산화갈륨 나노선에 코팅하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 백금 박막이 코팅된 산화갈륨 나노선을 열처리하는 단계(단계 3); 를 포함하는 제1항에 따른 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)의 제조방법 를 제공한다.본 발명에 따라 제조된 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)은 종래의 2차원 나노구조를 기반으로 한 산화갈륨(Ga2O3) 박막과는 달리 1차원 나노구조를 기반으로 함으로써, 더욱 넓은 표면적을 가지고, 화학적, 전기적으로 안정한 장점을 가진다. 상기 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)을 일산화탄소 가스 검출용 가스센서로 제조할 경우, 종래의 산화갈륨(Ga2O3) 나노선을 이용하여 제조한 가스센서보다 향상된 센싱 감도 및 응답률을 나타내어 가스의 누설감지, 농도의 측정 및 기록, 경보 등에 사용이 가능한 효과가 있다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01) G01N 27/127(2013.01)
출원번호/일자 1020120031696 (2012.03.28)
출원인 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1360085-0000 (2014.02.03)
공개번호/일자 10-2013-0109717 (2013.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20140212) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.28)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종무 대한민국 경기 고양시 일산동구
2 안소연 대한민국 인천 남동구
3 진창현 대한민국 인천 남구
4 박성훈 대한민국 인천 부평구
5 김현수 대한민국 경기 남양주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0248654-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.25 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0044730-26
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0438336-18
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0590050-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0823250-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.01.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0050047-27
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0050048-73
9 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0071997-59
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)이 중심부에 위치하고 상기 중심부의 외주면에 백금 코팅층이 형성되어 일산화탄소 가스 검출용 가스센서에 사용되는 것을 특징으로 하는 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)
2 2
제1항에 있어서, 상기 산화갈륨 나노선의 직경은 80 nm 내지 120 nm이고, 백금 코팅층의 두께는 5 nm 내지 15 nm 인 것을 특징으로 하는 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)
3 3
삭제
4 4
기판; 절연층; 제1항의 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire) 및 전극이, 상기 기재된 순서대로 적층된 가스센서
5 5
제4항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판, 도전성 기판 및 비전도성 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 가스센서
6 6
제4항에 있어서, 상기 절연층은 이산화규소(SiO2), 산화알루미륨(Al2O3), 산화탄탈륨(Ta2O5), 산화지르코늄(ZrO2), 이산화하프늄(HfO2), 이산화타이타늄(TiO2), 산화질화규소(SiON), 질화규소(Si3N4), 하프늄 실리콘 옥시나이트라이드(HfSiON), 및 하프늄실리케이트(HfSiXOY, 이때 0
7 7
제4항에 있어서, 상기 가스센서는 일산화탄소 가스 검출용으로 사용되는 것을 특징으로 하는 가스센서
8 8
질화갈륨(GaN) 분말을 원료로 산화갈륨 나노선을 제조하는 단계(단계 1);백금 박막을 상기 단계 1에서 제조된 산화갈륨 나노선에 코팅하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 백금 박막이 코팅된 산화갈륨 나노선을 열처리하는 단계(단계 3);를 포함하는 제1항에 따른 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 단계 1은 0
10 10
제8항에 있어서, 상기 산화갈륨 나노선은 촉매 층을 포함하는 실리콘 기판 상에 제조되는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)의 제조방법
11 11
제8항에 있어서, 상기 단계 2는 5×10-3 Torr 내지 5×10-2 Torr 압력의 챔버내에서 10 mA 내지 30 mA의 전류를 공급하면서 150 초 내지 200 초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)의 제조방법
12 12
제8항에 있어서, 상기 단계 3은 500 mTorr 내지 2 Torr로 유지되는 아르곤 분위기 하에서 600 ℃ 내지 900 ℃의 온도로 30분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 제1항에 따른 백금(Pt)-산화갈륨(Ga2O3) 나노선(nanowire)의 제조방법
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1 교육과학기술부 인하대학교 산학협력단 도약연구 나노다공성 실리콘 기반 차세대 암진단 및 치료기술