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산화마그네슘 나노로드에 산화아연 막이 코팅되어 산화마그네슘이 코어를 형성하고, 산화아연이 쉘을 형성하며, 상기 산화마그네슘 나노로드와 산화아연 막 코팅의 총 두께는 하기 수학식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 코어/쉘 구조의 나노로드 발광체:003c#수학식 1003e# (상기 수학식에서, d는 산화마그네슘 나노로드와 산화아연 코팅의 총 두께이고, mc는 공명차수로 1 또는 2인 자연수이고, λ는 니어밴드에지의 발광파장이고, n은 산화아연의 굴절율이다)
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제 1 항에 있어서, 상기 산화마그네슘 코어의 두께는 50 ~ 70 nm 인 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체
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제 1 항에 있어서, 상기 산화아연 쉘의 두께는 5 ~ 20 nm 인 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체
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제 1 항에 있어서, 상기 발광체의 딥레벨 발광강도(IDL)에 대한 니어밴드에지 발광강도(INBE)의 비()의 범위가 5 ~ 35 인 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체
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제 1 항에 있어서, 상기 발광체는 청색광의 발광효율이 향상되는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체
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제 1 항에 있어서, 상기 발광체는 코어로부터 발광하는 빛과 쉘로부터 발광하는 빛이 공명하여 발광특성이 향상되는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체
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산화마그네슘 나노로드를 형성하는 단계(단계 1); 및상기 단계1에서 제조된 산화마그네슘 나노로드에 산화아연 막을 코팅하되, 상기 산화마그네슘 코어와 상기 산화아연 쉘의 총 두께가 하기 수학식 1을 만족하도록 코팅하는 단계(단계 2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체의 제조방법:003c#수학식 1003e#(상기 수학식에서, d는 산화마그네슘 나노로드와 산화아연 코팅의 총 두께이고, mc는 공명차수로 1 또는 2인 자연수이고, λ는 니어밴드에지의 발광파장이고, n은 산화아연의 굴절율이다)
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제 8 항에 있어서, 상기 단계 2의 산화아연 막의 코팅은 원자층 증착법 또는 유기금속 화학 증착법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노로드 발광체의 제조방법
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산화마그네슘 나노로드에 산화아연이 코팅되어 산화마그네슘이 코어를 형성하고 산화아연이 쉘을 형성하며, 상기 산화마그네슘 나노로드와 산화아연 막 코팅의 총 두께는 하기 수학식 1을 만족하는 코어/쉘 구조의 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자:003c#수학식 1003e# (상기 수학식에서, d는 산화마그네슘 나노로드와 산화아연 코팅의 총 두께이고, mc는 공명차수로 1 또는 2인 자연수이고, λ는 니어밴드에지의 발광파장이고, n은 산화아연의 굴절율이다)
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제 9 항에 있어서, 상기 산화마그네슘 코어의 두께는 50 ~ 70 nm 인 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자
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제 9 항에 있어서, 상기 산화아연 쉘의 두께는 5 ~ 20 nm인 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광체의 딥레벨 발광강도(IDL)에 대한 니어밴드에지 발광강도(INBE)의 비()의 범위가 5 ~ 35 인 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자
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제 9항에 있어서, 상기 발광체의 청색광의 발광효율이 향상되는 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광체의 코어로부터 발광하는 빛과 쉘로부터 발광하는 빛이 공명하여 발광특성이 향상되는 나노로드 발광체를 포함하는 전자소자
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