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기판 상에 형성된 1 내지 20층의 그라펜(graphene)을 포함하는 그라펜 시트이며,상기 기판과 접하는 상기 그라펜 시트의 하부 그라펜층은 주름 없이 연속적으로 형성되어 있는 그라펜 시트이고, 상기 그라펜 시트는, 1 내지 20 층의 그라펜 하부 시트; 및 상기 하부 시트 상에 형성되며 상기 하부 시트보다 많은 층의 그라펜을 포함하는 리지(ridge);로 이루어지고, 상기 리지는 금속의 결정립 경계(grain boundary) 형상인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트에 포함된 모든 그라펜층이 주름 없이 연속적으로 형성되어 있는 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면적은 1㎛2 이상인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트는 상기 기판에 직접 형성되는 것인 그라펜 시트
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삭제
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제1항에 있어서,상기 리지는 3 내지 50 층의 그라펜을 포함하는 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 10nm 내지 10mm 인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 10nm 내지 500㎛ 인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 금속의 결정립의 크기는 50nm 내지 10mm 인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트의 광투과도는 60% 이상인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트의 광투과도는 80% 이상인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면저항은 2,000Ω/square 이하인 것인 그라펜 시트
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제1항에 있어서,상기 그라펜 시트의 면저항은 274Ω/square 이하인 것인 그라펜 시트
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14
제1항 내지 제4항 또는 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 그라펜 시트를 포함하는 투명 전극
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15
제1항 내지 제4항 또는 제6항 내지 제13항 중 어느 한 항에 따른 그라펜 시트를 포함하는 활성층
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제14항에 따른 투명 전극을 구비하는 표시소자
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17
제15항에 따른 활성층을 구비하는 전자소자
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제16항에 있어서,상기 표시소자가 액정 표시소자, 전자 종이 표시소자 또는 광전소자인 것인 표시소자
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제17항에 있어서,상기 전자소자가 트랜지스터, 센서 또는 유무기 반도체 디바이스인 것인 전자소자
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20
애노드; 정공 수송층; 발광층; 전자 수송층 및 캐소드를 구비하며,상기 애노드가 제14항에 따른 투명 전극인 것인 광전소자
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제20항에 있어서,상기 광전소자는 전자 주입층 및 정공 주입층을 더 구비하는 것인 광전소자
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제14항에 따른 투명 전극을 구비하는 배터리
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제14항에 따른 투명 전극을 구비하는 태양전지
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기판상에 적층되는 하부 전극층과 상부전극층 사이에 적어도 하나의 활성층을 구비하는 태양전지에 있어서, 상기 활성층은 제15항에 따른 활성층인 것인 태양전지
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반도체 전극, 전해질층 및 대향 전극을 포함하며, 상기 반도체 전극이 투명 전극 및 광흡수층으로 이루어지고, 상기 광흡수층이 나노입자 산화물 및 염료를 포함하는 염료감응 태양전지로서,상기 투명 전극 및 대향 전극이 제14항에 따른 투명 전극인 것인 염료감응 태양전지
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