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산화와 수소화를 이용한 그래핀의 나노 리쏘그라피 제조 시스템 및 그 방법

  • 기술번호 : KST2014056578
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화와 수소화를 이용한 그래핀의 나노 리쏘그라피 치제조 장치 및 그 방법에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 진공이나 고온과 같은 극한 환경을 필요로 하지 않고 원자간력 현미경을 이용하여 상온, 상압에서 적용이 가능하며 통상적인 리쏘그라피 공정에서 필요로 하는 화학 약품 처리를 필요로 하지 않는 간단한 산화와 수소화를 이용한 그래핀의 나노 리쏘그라피 치제조 장치 및 그 방법에 관한 것이다.본 발명은 실온과 대기압에서 단층 그래핀 상에 접촉모드 원자간력 현미경으로 나노크기의 산화 또는 수소화 공정 패턴을 형성하기 위해, 원자간력 현미경 양극 리쏘그라피로 산화된 그래핀 또는 원자간력 현미경 음극 리쏘그라피로 수소화된 그래핀의 패턴을 형성시킨다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) G03F 7/20 (2006.01)
CPC G03F 7/2014(2013.01) G03F 7/2014(2013.01) G03F 7/2014(2013.01) G03F 7/2014(2013.01) G03F 7/2014(2013.01) G03F 7/2014(2013.01)
출원번호/일자 1020110002159 (2011.01.10)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1307538-0000 (2013.09.05)
공개번호/일자 10-2012-0080759 (2012.07.18) 문서열기
공고번호/일자 (20130912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.10)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박배호 대한민국 서울특별시 강남구
2 변익수 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 수 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로**길 **, *층(역삼동, 케이앤와이빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0016521-67
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0014403-29
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0559029-21
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0909457-78
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0909456-22
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0174024-17
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0216057-34
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0472010-91
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0472008-09
12 등록결정서
Decision to grant
2013.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0626538-44
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번호 청구항
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실온과 대기압에서 단층 그래핀 상에 접촉모드 원자간력 현미경으로 나노크기의 산화 또는 수소화 공정 패턴을 형성하기 위해, 원자간력 현미경 양극 리쏘그라피로 산화된 그래핀 또는 원자간력 현미경 음극 리쏘그라피로 수소화된 그래핀의 패턴을 형성시키고,상기 원자간력 현미경 양극 리쏘그라피는,실온과 20% 상대습도에서 접촉모드로 0
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원자력간 현미경 양극 리쏘그라피를 통해 소수성 그래핀 위에 친수성 산화그래핀을 형성하기 위해,양극직류 전압을 그래핀에 걸었을 때 양극에 연결된 상기 그래핀 위에 원자간력 현미경 팁 아래로 산화물들이 성장하는 단계와;상기 그래핀에 일정 전압의 전기장(E 003e# 107V/m)이 걸어 질 때 물분자들이 이온들 (H+,OH- and O2-)로 분해되고, 상기 음전하를 띠는 산소가 포함된 래디컬들(OH- and O2-)이 양극 쪽으로 끌리게 되어 표면에 산화물의 형태로 기여하여 주변에 성장하는 단계;원자간력 현미경 양극 리쏘그라피를 통해 실온과 20% 상대습도에서 접촉모드로 0
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원자간력 현미경 음극 리쏘그라피를 위해,음극직류 전압이 그래핀에 수직적으로 걸고, 음극에 연결된 그래핀 표면에서 흡착된 물 분자로부터 수소이온이 전기적으로 분해되어 얻어지는 단계와;분해된 상기 수소이온(H+)이 그래핀 표면에 노출되어 수소화되는 단계와;수직으로 음극전기장이 그래핀에 인가되면 수소분자에 의한 해리적인 흡착에 의해서 에너지 장벽을 줄이게 되어 수소분자에 의해 그래핀을 수소화하는 단계;원자간력 현미경 음극 리쏘그라피를 통해 실온과 33% 상대습도에서 접촉모드를 이용해서 0
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