맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

저온전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014056580
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 저온에서 증착되는 용이한 제조방법 이외에 대면적성장, 고결정성 나노선, 균일한 반경분포, 그리고 용이한 길이 및 반경 조절 등의 특성을 보유하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법에 대한 것이다.본 발명은 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법에 있어서, 알루미늄시트 (Al sheet)로부터 이단계 (two-step) 양극산화법을 이용하여 나노기공 알루미나층(양극산화 알루미나, Anodized alumina, AAO)을 제조하는 단계와, 상기 나노기공 알루미나층을 나노주형틀로 이용하여 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이를 제조하는 단계로 이루어진다.
Int. CL B82B 3/00 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01) C25D 11/04 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020110001703 (2011.01.07)
출원인 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1332422-0000 (2013.11.18)
공개번호/일자 10-2012-0080325 (2012.07.17) 문서열기
공고번호/일자 (20131202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.07)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 박배호 대한민국 서울특별시 강남구
2 강성웅 대한민국 경상남도 사천시 삼천포대교로 **

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0013181-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0007568-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0692586-72
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0024361-60
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0024362-16
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0174024-17
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0329679-39
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0626025-98
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-0626026-33
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0779195-20
13 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2013.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2013-1038095-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법에 있어서,알루미늄시트 (Al sheet)로부터 이단계 (two-step) 양극산화법을 이용하여 전기화학성장법을 적용하기 위한 나노 주형틀을 제조하는 단계와;상기 나노주형틀을 이용하여 전기화학성장법에 의한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이를 제조하는 단계;로 이루어지되,상기 알루미늄시트 (Al sheet)로부터 이단계 (two-step) 양극산화법을 이용하여 전기화학성장법을 적용하기 위한 나노 주형틀을 제조하는 단계는,알루미늄시트를 전해연마 용액 내에서 직류전압을 인가하여 전해연마하는 단계와;상기 전해연마된 알루미늄시트를 황산(H2SO4) 또는 옥살산 (H2C2O4) 수용액내에서 1차 양극산화하는 단계와;상기 1차양극산화과정을 통해 형성된 다공성 알루미나층을 인산(H3PO4)과 크롬산(CrO3)의 혼합용액을 사용하여 식각 제거하는 단계와;상기 다공성 알루미나층이 제거된 상기 알루미늄시트를 황산(H2SO4) 또는 옥살산 (H2C2O4) 수용액내에서 2차 양극산화하는 단계와; 상기 2차 양극산화하는 단계로 형성된 나노기공 알루미나층에 니트로셀룰로오스(nitrocellulose)와 폴리에스테르(polyester)의 혼합물을 도포하여 식각에칭과정으로부터 보호하는 단계와;상기 보호 단계에 따른 나노기공 알루미나층을 일정 온도에서 인산(H3PO4)용액을 사용하여 식각하여 나노기공채널을 형성시키는 단계와;상기 나노기공 알루미나층의 한쪽면에 백금(Pt) 또는 금(Au) 층을 증착하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전해연마 용액은,염소산(HClO4)과 에탄올의 부피비가 1:4인 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 전해연마하는 단계는, 상기 알루미늄시트를 전해연마 용액 내에서 +20 V의 직류전압을 인가하여 10℃에서 4분간 전해연마하는 단계인 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 1차 양극산화하는 단계는, 상기 전해연마된 알루미늄시트를 0
6 6
제1항에 있어서,상기 1차양극산화과정을 통해 형성된 다공성 알루미나층을 인산(H3PO4)과 크롬산(CrO3)의 혼합용액을 사용하여 식각 제거하는 단계는,상기 1차양극산화과정을 통해 형성된 다공성 알루미나층을 인산(H3PO4)과 1
7 7
제1항에 있어서,상기 2차 양극산화하는 단계는,상기 다공성 알루미나층이 제거된 알루미늄시트를 0
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 나노기공채널을 형성시키는 단계는,상기 나노기공 알루미나층을 30℃ 온도에서 5 wt% 인산(H3PO4)용액을 사용하여 15분 동안 식각하여 나노기공채널을 형성시키는 단계인 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
10 10
제1항에 있어서,상기 Pt 또는 Au 층을 증착하는 단계는,상기 나노기공 알루미나층의 한쪽면에 백금(Pt) 또는 금(Au) 층을 200 nm 이상의 두께로 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 나노기공 알루미나층을 나노기공 주형틀로 이용하여 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이를 제조하는 단계는,구리질산염 수화물과 헥사메틸렌테트라아민 (hexamethylenetetramine)을 혼합한 전기화학증착용액을 제조하는 단계와;상기 전기화학증착용액을 교반하고 물중탕 환경에서 가열하는 단계와;상기 전기화학증착용액을 일정 온도에서 교반하는 단계와;상기 나노기공 주형틀을 전기화학증착용액속에서 일정 전류밀도를 가해주는 단계와; 전기화학성장된 나노선을 에탄올과 탈이온수로 세척 후 건조하는 단계와;상기 나노선의 결정성을 개선하기 위해 열처리하는 단계와;나노기공 알루미나층을 NaOH 수용액으로 제거하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기화학성장을 이용한 단결정 산화구리 (I) 나노선 어레이 제조 방법
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP05942115 JP 일본 FAMILY
2 JP26507561 JP 일본 FAMILY
3 US20130270118 US 미국 FAMILY
4 WO2012093847 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2012093847 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP2014507561 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP5942115 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US2013270118 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2012093847 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2012093847 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.