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홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056590
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 홀로그램 리소그래피를 이용하여 나노패턴을 형성함으로써 정렬된 산화아연 나노구조물을 제조할 수 있다. 본 발명은 홀로그램 리소그래피를 이용함으로써 고가의 장비가 필요하지 않으면서도 간단하게 정렬된 산화아연 나노구조물을 제조할 수 있으며, 나노결정, 나노막대, 나노구멍 등 다양한 나노구조물을 제조할 수 있다. 산화아연(ZnO) 나노구조물, 홀로그램 리소그래피, 수열합성법
Int. CL G03F 7/00 (2011.01) G03F 7/20 (2011.01) B82B 3/00 (2011.01)
CPC G03F 7/00(2013.01) G03F 7/00(2013.01) G03F 7/00(2013.01) G03F 7/00(2013.01) G03F 7/00(2013.01)
출원번호/일자 1020080071837 (2008.07.23)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0010796 (2010.02.02) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 취하
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120020329;
심사청구여부/일자 Y (2008.07.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김진혁 대한민국 광주광역시 북구
2 김태언 대한민국 전라남도 나주시 세지면
3 김진아 대한민국 광주광역시 북구
4 문종하 대한민국 광주광역시 북구
5 김선훈 대한민국 광주광역시 서구
6 김회종 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.23 취하 (Withdrawal) 1-1-2008-0530385-73
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020537-55
4 보정요구서
Request for Amendment		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0229441-54
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0357849-45
6 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0543427-02
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0543426-56
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0074850-11
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0144260-69
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0228170-06
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0228147-55
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564785-03
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0949510-93
14 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-1048051-27
15 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0073428-23
16 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0163279-50
17 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2012.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0163311-24
18 [특허 등 절차 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Procedure such as Patent, etc.] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2012.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0521216-93
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 포토레지스트(PR)층을 형성하는 단계; 홀로그램 리소그래피(hologram lithography)를 이용하여 상기 포토레지스트층을 일정 형태로 노광하는 1차노광단계; 상기 기판을 일정 각도로 회전시킨 후 홀로그램 리소그래피를 이용하여 1차노광된 상기 포토레지스트층을 일정 형태로 노광하는 2차노광단계; 상기 포토레지스트층을 현상하여 나노패턴을 형성하는 단계; 및 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연(ZnO) 나노구조물을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
2 2
기판상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 홀로그램 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 라인형태로 노광하되, 노광되는 부분의 포토레지스트층이 모두 제거되도록 노광하는 1차노광단계; 상기 기판을 일정 각도로 회전시킨 후 홀로그램 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 라인형태로 노광하되, 노광되는 부분의 포토레지스트층이 모두 제거되도록 노광하는 2차노광단계; 상기 포토레지스트층을 현상하여 나노점(spot)패턴을 형성하는 단계; 및 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연 나노구조물을 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
3 3
기판상에 포토레지스트층을 형성하는 단계; 홀로그램 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 라인형태로 노광하되, 노광되는 부분의 포토레지스트층의 두께가 노광되지 않는 부분의 포토레지스트층의 두께보다 50% 이하가 되도록 노광하는 1차노광단계; 상기 기판을 일정 각도로 회전시킨 후 홀로그램 리소그래피를 이용하여 상기 포토레지스트층을 라인형태로 노광하되, 노광되는 부분의 포토레지스트층의 두께가 노광되지 않는 부분의 포토레지스트층의 두께보다 50% 이하가 되도록 노광하는 2차노광단계; 상기 포토레지스트층을 현상하여 1차노광 및 2차노광에 의해 중복 노광된 부분이 구멍을 이루는 나노메쉬(mesh)패턴을 형성하는 단계; 및 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연(ZnO) 나노막대를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
4 4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연 나노구조물을 성장시키는 단계 후에 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
5 5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 Si기판, ZnO가 형성된 Si기판 및 ZnO가 형성된 Al2O3기판으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
6 6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 1차노광단계 및 상기 2차노광단계에서 노광시간을 조절하여 노광되는 포토레지스트층의 너비를 조절하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
7 7
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 수열합성법을 이용하여 상기 기판상에 산화아연(ZnO) 나노구조물을 성장시키는 단계는 증류수에 아연 니트레이트(Zn nitrate) 전구체를 녹인 전구체 용액을 이용하고, 80 내지 100℃의 온도에서 일정시간 가열하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전구체 용액에 넣는 Na4OH 양의 조절에 의해 pH를 조절하여 형성되는 나노구조물의 두께 또는 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 홀로그램 리소그래피를 이용한 산화아연 나노구조물의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020120039578 KR 대한민국 FAMILY
2 KR1020130100929 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.