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유기물 및 나노미세기공을 함유하는 PZT계 압전 후막 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056671
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Pb(ZrxTi1-x)O3 를 포함하는 유기물을 함유하고, 나노 미세기공을 갖는 PZT계 압전 후막 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 PZT계 압전 후막은 종래의 후막보다 막 증착시간이 짧고, 빠른 열처리 승온 속도 및 냉각 속도로 제조할 수 있으며, 증착 가능한 막의 두께가 두꺼워 뛰어난 전기적 특성과 안정성을 갖고 있다. 그러므로, 본 발명에 따른 PZT계 압전 후막은 고감도, 고출력, 안정성 및 빠른 응답속도를 지니는 센서 및 액츄에이터에 유용하게 사용할 수 있다.PZT계 후막, 에어로졸 증착법, 유기물, 열분해, 열처리, 잔류응력, 나노 미세기공
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 41/16 (2011.01) H01L 41/18 (2011.01)
CPC H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01) H01L 41/1876(2013.01)
출원번호/일자 1020070059845 (2007.06.19)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0890006-0000 (2009.03.16)
공개번호/일자 10-2008-0111641 (2008.12.24) 문서열기
공고번호/일자 (20090325) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.19)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한병동 대한민국 경남 창원시 가음정동
2 박동수 대한민국 서울 강남구
3 최종진 대한민국 부산 동래구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0442033-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.08 수리 (Accepted) 9-1-2008-0018487-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0570176-11
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0846799-38
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2008-0846800-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2009.02.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0062256-73
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Pb(ZrxTi1-x)O3 를 포함하는 유기물을 함유하고, 나노 미세기공을 갖는 PZT계 압전 후막
2 2
제1항에 있어서, 유기물은 아세트산 납(Pb(CH3CO2)23H2O) 및 질산 납(Pb(NO3)2)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Pb 함유 유기물; 지르코늄 프로폭사이드, 지르코늄 에톡사이드, 지르코늄 부톡사이드 및 지르코늄 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Zr 함유 유기물; 및 티타늄 프로폭사이드, 티타늄 에톡사이드, 티타늄 부톡사이드 및 티타늄 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Ti 함유 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, x는 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기물은 강화제 또는 유연제 역할을 하는 산화물을 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막
6 6
제1항에 있어서, 상기 유기물은 PMN 또는 PZN의 완화형 강유전체를 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막
7 7
제1항에 있어서, 상기 유기물 함량은 1% ~ 30%인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막
8 8
제1항에 있어서, 상기 나노 크기 기공의 함량은 30% ~ 1%인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막
9 9
Pb(ZrxTi1-x)O3 를 포함하는 유기물을 함유하는 PZT계 원료 분말을 합성하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 합성한 분말을 기판 위에 증착하여 후막을 제조하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 제조한 후막을 1차 열처리하는 단계(단계 3); 및 상기 단계 3에서 열분해한 후막을 2차 열처리하는 단계(단계 4)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 청구항 1 에 기재된 PZT계 압전 후막의 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 단계 1은졸겔법을 사용하여 PZT계 전구체 용액을 제조하는 단계(단계 1a);상기 전구체 용액을 건조하여 분말을 형성하는 단계(단계 1b); 및상기 건조된 분말을 열처리하여 분말내 유기물의 함량을 조절하는 단계(단계 1c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
11 11
제9항 또는 10항에 있어서, 상기 유기물은 아세트산 납(Pb(CH3CO2)23H2O) 및 질산 납(Pb(NO3)2)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Pb 함유 유기물; 지르코늄 프로폭사이드, 지르코늄 에톡사이드, 지르코늄 부톡사이드 및 지르코늄 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Zr 함유 유기물; 및 티타늄 프로폭사이드, 티타늄 에톡사이드, 티타늄 부톡사이드 및 티타늄 클로라이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 Ti 함유 유기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 단계 1c의 열처리는 200 ℃ ~ 600 ℃인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
13 13
제9항 또는 10항에 있어서, 합성된 PZT계 원료 분말의 평균 입경은 0
14 14
삭제
15 15
제9항 또는 제10항에 있어서, x는 0
16 16
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 유기물은 강화제 또는 유연제 역할을 하는 산화물을 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
17 17
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 유기물은 PMN 또는 PZN의 완화형 강유전체와의 복합화합물을 추가로 첨가하는 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
18 18
제9항 또는 제10항에 있어서, 상기 유기물 함량은 1% ~ 30%인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
19 19
제9항에 있어서, 상기 단계 2의 증착 방법은 에어로졸 증착법인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
20 20
제19항에 있어서, 상기 에어로졸 증착법에서 가스 유량이 20 ℓ/min ~ 50 ℓ/min인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
21 21
제9항에 있어서, 상기 단계 2의 기판은 실리콘, 알루미나, 사파이어, 스트론튬 타이타네이트(SrTiO3), 스테인레스 스틸, 티타늄 및 티타늄 합금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
22 22
제9항에 있어서, 상기 단계 3의 1차 열처리 온도는 300 ℃ ~ 500 ℃범위인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
23 23
제9항에 있어서, 상기 단계 4의 2차 열처리 온도는 600 ℃ ~ 900 ℃ 범위인 것을 특징으로 하는 PZT계 압전 후막의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.