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(a) 탄소계 기재를 강산으로 처리하는 단계;(b) 상기 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 환원제로 처리하는 단계;(c) 상기 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 반응시키는 단계; 및(d) 상기 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 열 처리하는 단계를 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (a)에서 강산은 염산, 황산, 질산, 과염소산, 요오드화수소산, 브롬화수소산 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (a)는 강산 용액에 탄소계 기재를 넣고 40℃ 내지 80℃로 가열하면서 12 시간 내지 48 시간 동안 교반하는 공정을 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 단계 (a)는 가열 및 교반 공정 이후, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액을 희석 및 세척하는 공정을 추가로 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 4 항에 있어서, 단계 (a)는 희석 및 세척 공정 이후, 탄소계 기재가 포함된 강산 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (b)에서 환원제는 리튬알루미늄 하이드라이드(LiAlH4), 나트륨보로 하이드라이드(NaBH4) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 30 중량부의 환원제를 반응시키는 공정을 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 단계 (b)에서 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정은 20℃ 내지 50℃에서 1 시간 이상 동안 수행되는 방열 입자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이전에, 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 균일하게 분산시키는 공정을 추가로 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 단계 (b)는 단계 (a)를 통해 얻어진 탄소계 기재와 환원제를 반응시키는 공정 이후, 상기 반응 용액을 여과 및 건조하는 공정을 추가로 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (c)에서 금속 수산화물의 전구체 또는 금속 산화물의 전구체는 알루미늄 이소프로폭사이드(aluminum isopropoxdie, AIP), 테트라에틸 오쏘실리케이트(tetraethly orthosilicate, TEOS) 및 티타늄(IV) 이소프로폭사이드(titanium(IV) isopropoxide)로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상인 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (c)는 단계 (b)를 통해 얻어진 탄소계 기재를 금속 수산화물의 전구체 용액 또는 금속 산화물의 전구체 용액과 40℃ 내지 80℃의 온도에서 5 시간 이상 동안 반응시킴으로써 수행되는 방열 입자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 단계 (d)는 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물을 300℃ 내지 500℃의 온도에서 4 시간 이상 동안 열 처리하는 공정을 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 단계 (d)는 열 처리 공정 이전에, 단계 (c)를 통해 얻어진 반응 생성물 용액의 용매를 제거하고, 세척하는 공정을 추가로 포함하는 방열 입자의 제조 방법
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