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다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 Ⅱ 내지 Ⅵ 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법

  • 기술번호 : KST2014056935
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법에 관한 것으로, 다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 어떠한 전처리 및/또는 고온 조건 없이 편리하고 간단한 원팟 반응을 통해 고 수율의 II 내지 VI 족 화합물의 양자점을 제조할 수 있다. 또한, 상기 양자점을 소성하여 나노입자로 전환시킬 수 있다. 아울러, 상기 초음파 처리 조건 또는 소성 조건을 제어하여 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 효과가 있다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020110034610 (2011.04.14)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1212015-0000 (2012.12.07)
공개번호/일자 10-2012-0117086 (2012.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20121213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.14)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심일운 대한민국 서울특별시 중구
2 박종필 대한민국 경기도 성남시 중원구
3 황차환 대한민국 서울특별시 관악구 장군
4 송미연 대한민국 경기도 화성시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0274073-98
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009653-19
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0244688-90
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0498374-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0498373-12
9 등록결정서
Decision to grant
2012.09.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0576492-91
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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극성 또는 비극성 용매에서 CdCl2, Te 또는 Se 분말, 계면활성제 및 분산제의 혼합 용액을 제조하는 단계; 및아르곤 분위기에서 40 내지 100 ℃의 온도를 유지하면서 10 내지 100 kHz의 주파수와 100 내지 500 W 동력을 이용하여 구현하는 다중기포 음파발광(multi-bubble sonoluminescence) 조건에서 상기 혼합 용액에 초음파 처리하여 CdTe 또는 CdSe 양자점을 제조하거나, 상기 CdTe 또는 CdSe 양자점을 소성하여 각각 CdTe 또는 CdSe 나노입자로 전환하는 단계를 포함하고,상기 용매는 포화탄화수소 계열 용매, 불포화탄화수소 계열 용매, 방향족 탄화수소 계열 용매 및 비양성자성 극성 용매로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이고,상기 계면활성제는 1-헥사데실아민(1-hexadecylamine), 옥타데실아민(octadecylamine) 및 4-(2-아미노에틸)페놀{4-(2-aminoethyl)phenol}로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상이며, 상기 분산제는 알킬포스핀 계열 및 알킬포스파이트 계열 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자의 제조방법
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제1항에 있어서,초음파 처리는 5 내지 40분 동안 실시하는 방법
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제1항에 있어서,반도체 양자점은 2 내지 10 nm의 직경을 갖는 방법
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제1항에 있어서,소성은 진공 하에서 300 내지 600 ℃에서 1 내지 3 시간 동안 실시하는 방법
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제1항에 있어서,나노입자는 12 nm 내지 10 ㎛의 직경을 갖는 방법
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다중기포 음파발광(multi-bubble sonoluminescence) 조건에서 초음파 처리에 의해 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조함에 있어서,상기 초음파 처리 시간을 CdTe 또는 CdSe 양자점의 크기를 제어하거나, 소성 조건을 제어하여 CdTe 또는 CdSe 나노입자의 크기를 제어하는 단계를 포함하는 II 내지 VI 족 반도체 양자점 또는 나노입자의 크기 제어방법
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제13항에 있어서,초음파 처리 시간은 5분 내지 40분인 방법
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제13항에 있어서,소성 조건은 진공 하에서 300 내지 600 ℃에서 1 내지 3시간 동안 실시하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 다중기포음파발광 및 유기금속화학증기증착을 이용한 화합물반도체형 태양전지관련 나노물질의 제조