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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014056950
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일 실시예에 따른 태양전지는 기판; 상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되고 ZnS를 포함하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 윈도우층;을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110039051 (2011.04.26)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1210171-0000 (2012.12.03)
공개번호/일자 10-2012-0121210 (2012.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20121207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.26)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철환 대한민국 서울특별시 중구
2 최인환 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
2 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0310646-84
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148883-62
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.07.20 수리 (Accepted) 4-1-2011-5148879-89
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021205-50
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0227227-12
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0488359-93
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0488360-39
9 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0653540-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되고 ZnS를 포함하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 윈도우층;을 포함하고,상기 버퍼층은 하부에서 상부로 갈수록 S의 농도가 전체적으로 감소하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 버퍼층은 25nm 내지 35nm의 두께로 형성되는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 버퍼층 상에 형성되고, i-ZnO의 화학식을 갖는 고저항 버퍼층을 포함하는 태양전지
4 4
기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계; 상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 상기 광 흡수층 상에 S 전구체를 먼저 주입한 후, Zn 전구체를 주입하여 MOCVD 방법으로 ZnS를 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 Zn 전구체는 TEZn, R2Zn, R2ZnNEt3 중 적어도 하나를 포함하고, 상기 S 전구체는 터트-부틸티올(tert-butylthiol t-BuSH), R2S, RSH, H2S gas 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 버퍼층은 150℃ 내지 250℃의 범위에서 형성하는 태양전지 제조방법
7 7
삭제
8 8
제4항에 있어서,상기 버퍼층을 형성한 후, 상기 버퍼층 상에 H2O를 흘려주는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103620792 CN 중국 FAMILY
2 EP02702615 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02702615 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US20140048132 US 미국 FAMILY
5 WO2012148208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2012148208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103620792 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103620792 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2702615 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2702615 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2702615 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 US2014048132 US 미국 DOCDBFAMILY
7 WO2012148208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
8 WO2012148208 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.