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A2Zn(QO3)4계 화합물 및 비중심대칭 화합물을 이용한 광학품

  • 기술번호 : KST2014057014
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 A2Zn(QO3)4계 화합물 및 비중심대칭 화합물을 이용한 광학품에 관한 것이다. 본 발명은 A2Zn(QO3)4계 화합물은 d10 전이금속(Zn2+)과 2차 얀-텔러 변형 양이온(Se4+ 또는 Te4+)이 공존하는 2종의 비중심대칭 발광체에, Ga3+ 및 In3+ 이온이 도입된 Ga3+(In3+)-Zn2+-Se4+(Te4+)-산화물 시스템으로서, 상기 도입되는 Ga3+ 및 In3+의 이온반경에 따른 비중심대칭 화합물의 분자구조를 설계하고, 그로부터 얻어진 비중심대칭 화합물의 비선형 광학 성질을 이용하여 레이저, 광집적회로, 압전센서 또는 압전 필터 등의 광학품 개발에 유용하게 활용될 수 있다.
Int. CL C01B 19/00 (2006.01) C01G 15/00 (2006.01) G02B 1/00 (2006.01) C01G 9/00 (2006.01)
CPC C01G 15/00(2013.01)C01G 15/00(2013.01)C01G 15/00(2013.01)C01G 15/00(2013.01)C01G 15/00(2013.01)
출원번호/일자 1020120059225 (2012.06.01)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1400957-0000 (2014.05.22)
공개번호/일자 10-2013-0135555 (2013.12.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.01)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 옥강민 대한민국 서울특별시 양천구
2 이동우 대한민국 서울특별시 동작구
3 박단비 대한민국 서울 중랑구
4 김샛별 대한민국 서울 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2012-0441147-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0047584-71
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0679815-71
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0729335-10
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1183600-41
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-1183599-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
9 등록결정서
Decision to grant
2014.04.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0264396-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
A3+-Zn-Q4+-산화물 조성으로 설계된 A2Zn(QO3)4계 화합물(여기서, A는 In 또는 Ga이고, Q는 Se 또는 Te임)로, 상기 A2Zn(QO3)4계 화합물은 4배위구조로 이루어진 비중심대칭 Ga2Zn(TeO3)4화합물 또는 6배위구조로 이루어진 중심대칭 In2Zn(SeO3)4화합물이고, 상기 In2Zn(SeO3)4화합물은 틀어져 변형된 InO6 팔면체, ZnO6 팔면체 및 SeO3 다면체로 구성되고, 상기 InO6 팔면체의 각 코너는 산소 원자를 통해 서로 공유하면서 [010] 방향을 따라 1차원의 사슬을 형성하고, ZnO6 팔면체는 상기 사슬 내에 삽입되어 층상 구조를 형성하며, 상기 층상 구조에는 2개의 InO6 팔면체와 2개의 ZnO6 팔면체에 의해 형성된 4원 고리와 3개의 InO6 팔면체와 1개의 ZnO6 팔면체에 의해 형성된 4원 고리가 있는 것인, 화합물
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 Ga2Zn(TeO3)4 화합물의 무게변화 개시온도가 최대 810℃인 것을 특징으로 하는 상기 화합물
4 4
제1항에 있어서, 상기 Ga2Zn(TeO3)4 화합물이 α-SiO2 결정대비 최대 25배의 비선형광학 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 상기 화합물
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 In2Zn(SeO3)4화합물의 무게변화 개시온도가 최대 450℃인 것을 특징으로 하는 상기 화합물
7 7
4배위구조로 이루어진 비중심대칭 Ga2Zn(TeO3)4 화합물이 레이저, 광집적회로, 압전센서 또는 압전 필터에서 선택되는 어느 하나에 적용된 광학품
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 환경 친화적인 새로운 비대칭 구조 화합물의 합성 및 그 다목적 전기/광학적 특성