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그래핀 도핑을 통한 일함수 증대

  • 기술번호 : KST2014057052
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀 및 상기 그래핀 표면에 도핑된 이리듐, 몰리브덴, 오스뮴, 로듐, 금 및 팔라듐 중 일종 이상을 함유하는 전이금속 도펀트를 포함하는 일함수가 증가된 그래핀에 관한 것이다. 본 발명에 따른 함수가 증가된 그래핀은 종래의 일반적인 그래핀에 비해 높은 일함수 값을 가지며, LED 및 OLED 등과 같은 전자 소자에 사용될 수 있다.
Int. CL H01L 31/042 (2014.01) C01B 31/02 (2006.01) C23C 16/06 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020120021124 (2012.02.29)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1385048-0000 (2014.04.08)
공개번호/일자 10-2013-0099535 (2013.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140424) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.29)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수영 대한민국 서울 동작구
2 권기창 대한민국 경기도 수원시 권선구
3 최경순 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0169124-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.05.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0045081-71
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0568895-89
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0949588-12
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0949589-57
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0068660-18
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.26 수리 (Accepted) 1-1-2014-0191283-14
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0191282-68
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0215031-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
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그래핀을 실리콘 기판, 실리콘 옥사이드 웨이퍼 기판 또는 유리 기판에 전사하는 단계; 및상기 단계에서 전사된 그래핀 상에 이리듐, 몰리브덴, 오스뮴 및 로듐 중 일종 이상을 함유하는 전이금속염 용액을 도포한 후, 10 내지 100 초 후에 스핀 코팅 하는 단계에 의해 제조되며,상기 전이금속염 용액은 염화이리듐, 염화몰리브덴, 염화오스뮴 및 염화로듐 중 일종 이상을 함유하는 전이금속염 및 용매의 혼합물이고,상기 용매는 니트로메탄, 아세토나이트릴, 테트라히드로퓨란(THF), 디에틸 에터, 수산기를 포함하는 메탄올 또는 수산기를 포함하는 에탄올인 일함수가 증가된 그래핀의 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서,그래핀 상에 도포되는 전이금속염 용액의 농도는 5 mM 내지 50 mM인 일함수가 증가된 그래핀의 제조방법
9 9
제 7 항에 있어서,스핀 코팅은 1500 내지 3500 rpm에서 30 내지 150 초 동안 수행하는 일함수가 증가된 그래핀의 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서,제조되는 그래핀의 일함수는 4
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제 7 항에 있어서,제조되는 그래핀의 가시광선 영역에서의 광투과도는 80% 이상인 알함수가 증가된 그래핀의 제조 방법
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제 7 항에 따른 일함수가 증가된 그래핀을 포함하는 전자장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야기초연구사업 플렉서블 소자 적용을 위한 기능화 그래핀-형광체/양자점 기반 유무기 복합 투명 전극 개발에 관한 연구