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황화주석 박막 형성용 전구체 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014057112
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하기 화학식 1 내지 화학식 3 중 어느 하나 이상의 구조를 포함하는 전구체 및 이를 이용한 황화주석 박막의 제조방법에 관한 것이다. [화학식 1]화학식 1에서, R1 내지 R4는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.[화학식 2]화학식 2에서, R5 내지 R9는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. 화학식 3의 구조를 포함하는 황화주석 박막 형성용 전구체;[화학식 3]화학식 3에서, R10 내지 R12는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, n은 1 내지 4의 정수이다.
Int. CL C07F 7/22 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) C23C 16/06 (2006.01)
CPC C07F 7/2284(2013.01) C07F 7/2284(2013.01) C07F 7/2284(2013.01)
출원번호/일자 1020120019547 (2012.02.27)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1512749-0000 (2015.04.10)
공개번호/일자 10-2013-0097904 (2013.09.04) 문서열기
공고번호/일자 (20150417) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.01.23)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심일운 대한민국 서울 중구
2 박종필 대한민국 경기 성남시 중원구
3 송미연 대한민국 경기 화성시
4 정원목 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0156440-41
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000494-54
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0070363-19
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0748920-09
5 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2014.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2014.08.21 수리 (Accepted) 9-1-2014-0068630-55
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.20 수리 (Accepted) 4-1-2014-5123944-33
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.12.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0843979-89
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0135705-12
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.02.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0135706-68
11 등록결정서
Decision to grant
2015.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0235034-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5125629-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
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번호 청구항
1 1
화학식 1의 구조를 포함하는 황화주석 박막 형성용 전구체:[화학식 1]화학식 1에서,R1 내지 R4는 독립적으로 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서,상기 전구체는 비대칭 구조인 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 형성용 전구체
5 5
제 1 항에 따른 전구체에 대한 증착공정을 통해 박막을 형성하는 과정을 포함하는 황화주석 박막 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서,증착공정은 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition)을 통해 수행하는 것을 특징으로 하는 황화주석 박막 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서,화학기상증착은 버블러 온도 70 내지 160℃, 기판 온도 250 내지 500℃ 및 챔버 압력 5 mtorr의 조건 하에서, 40 내지 80 분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 황화주석 박막의 제조방법
8 8
제 5 항에 따른 방법으로 제조된 황화주석 박막
9 9
제 8 항에 있어서,상기 박막의 두께는 0
10 10
제 8 항에 따른 황화주석 박막을 포함하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101540032 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2013129746 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 중앙대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 다중기포음파발광 및 유기금속증기증착을 이용한 화합물반조체형 태양전지관련 나노물질제조